Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (2) | Автореферати дисертацій (1) | Реферативна база даних (17) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Оберемок О$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 11 Представлено документи з 1 до 11 |
|||
| 1. | 
Москаль Д. Особливості фотолюмінесценції кремнієвих нанокластерів в оксидній матриці при наявності домішки азоту [Електронний ресурс] / Д. Москаль, В. Мельник, В. Попов, Г. Калістий, І. Хацевич, О. Оберемок, О. Чернух. // Вісник Тернопільського національного технічного університету. - 2009. - Т. 66, № 2. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/tstub_2009_2_23 | ||
| 2. | 
Бученко В. В. Сенсор хвильового фронту для визначення дефектів наноструктурованих поверхонь [Електронний ресурс] / В. В. Бученко, А. О. Голобородько, В. В. Лендєл, О. С. Оберемок // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 3. - С. 03023-1-03023-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_3_25 Наведено порівняння теоретичних розрахунків та експериментальних результатів впливу інтерференційних явищ на визначення параметрів і структури показника заломлення. Показано особливість формування вихідної хвилі в системі з подвійним Фур'є-перетворенням за відбивання світла від поверхні зі структурованими локальними неоднорідностями показника заломлення. Проведено теоретичний аналіз та комп'ютерне моделювання роботи сенсора хвильового фронту щодо виявлення просторового розподілу показника заломлення. Для визначення напрямку зміни показника заломлення запропоновано використати дисперсію фази хвильового фронту. | ||
| 3. | 
Романюк Б. М. Вплив імплантації іонів O+, C+ на перерозподіл і електричну активність арсену на границі розділу структур SiO2-Si [Електронний ресурс] / Б. М. Романюк, В. Г. Попов, О. С. Оберемок, В. П. Мельник, С. Г. Волков // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2005. - Вип. 237. - С. 14-18. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2005_237_4 | ||
| 4. | Гандзюк В. І. Інжекційні ефекти в кремнієвій симетричній n+-n-n+ структурі при живленні в режимі генератора напруги [Електронний ресурс] / В. І. Гандзюк, О. С. Оберемок, С. П. Павлюк // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Серія : Фізико-математичні науки. - 2014. - Вип. 1. - С. 221-224. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_fiz_mat_2014_1_46 Показано, що неоднорідний розігрів кремнієвої симетричної n<^>+ | ||
| 5. | Гандзюк В. І. Вплив польового розігріву на інжекційні ефекти в кремнієвих n+-n-n+ структурах [Електронний ресурс] / В. І. Гандзюк, С. П. Павлюк, О. С. Оберемок // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Серія : Фізико-математичні науки. - 2014. - Вип. 3. - С. 215-220. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_fiz_mat_2014_3_43 Розглянуто вплив польового розігріву на інжекційні ефекти в кремнієвих n<^>+ | ||
| 6. | Павлюк С. П. Ефект пам’яті в КСДІ структурах [Електронний ресурс] / С. П. Павлюк, О. С. Оберемок, В. М. Телега, В. І. Гандзюк // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Серія : Фізико-математичні науки. - 2014. - Вип. 4. - С. 277-280. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_fiz_mat_2014_4_52 | ||
| 7. |
Романюк Б. М. Вплив термічних обробок на час життя нерівноважних носіїв заряду в Cz-Si [Електронний ресурс] / Б. М. Романюк, В. Г. Попов, В. П. Мельник, М. І. Клюй, В. І. Горбулик, О. С. Оберемок // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2000. - Вип. 79. - С. 25-29. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2000_79_8 | ||
| 8. | 
Гамов Д. В. Дослідження рекомбінаційних характеристик Cz-кремнію, імплантованого іонами заліза [Електронний ресурс] / Д. В. Гамов, О. І. Гудименко, В. П. Кладько, В. Г. Литовченко, В. П. Мельник, О. С. Оберемок, В. Г. Попов, Ю. О. Поліщук, Б. М. Романюк, В. В. Черненко, В. М. Насєка // Український фізичний журнал. - 2013. - Т. 58, № 9. - С. 883-890. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2013_58_9_13 | ||
| 9. |
Єфремов О. О. Механізми модифікації профілів розподілу домішок при мас-спектрометричному аналізі багатошарових наноструктур [Електронний ресурс] / О. О. Єфремов, В. Г. Литовченко, В. П. Мельник, О. С. Оберемок, В. Г. Попов, Б. М. Романюк // Український фізичний журнал. - 2015. - Т. 60, № 6. - С. 512-521. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2015_60_6_6 Проведено теоретичний аналіз механізмів, які призводять до просторового перерозподілу компонентів твердотільної мішені під дією іонного бомбардування. Виконано моделювання впливу іонно-променевого перемішування (ion-beam mixing), форми кратера розпилення та шорсткості поверхні на результати мас-спектрометричних вимірювань залежно від енергії розпилюючих іонів. Показано, що в діапазоні енергій іонів 200 - 400 еВ вплив згаданих факторів є мінімальним для розпилення багатошарових нанорозмірних періодичних структур Mo/Si, виготовлених за допомогою методу магнетронного напилення шарів молібдену та кремнію. Експериментальні дослідження профілів розподілу домішок і порівняння їх з результатами моделювання надало змогу встановити оптимальні режими мас-спектрометричного аналізу, досягти роздільної здатності по глибині краще 1 нм та одержати профілі розподілу домішок, максимально наближені до реальних. | ||
| 10. | 
Горічок І. В. Технологічні аспекти отримання термоелектричного PbTe [Електронний ресурс] / І. В. Горічок, І. М. Ліщинський, С. І. Мудрий, О. С. Оберемок, Т. О. Семко, І. М. Хацевич, О. М. Матківський, Г. Д. Матеїк, Р. О. Дзумедзей // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2017. - Т. 14, № 3. - С. 53-64. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2017_14_3_7 Представлено результати дослідження фазового складу і структурного стану синтезованих за різних технологічних факторів полікристалічних зливків бездомішкового телуриду свинцю та виготовлених на їх основі методом пресування порошку зразків. Проведено вимірювання температурних залежностей питомої електропровідності, коефіцієнта термоерс та коефіцієнта теплопровідності. Встановлено вплив температури відпалу зразків на їх термоелектричні властивості. | ||
| 11. | 
Голтвянський Ю. В. Дослідження процесів формування фотодіодів в InSb при іонній імплантації берилію [Електронний ресурс] / Ю. В. Голтвянський, О. Й. Гудименко, О. В. Дубіковський, О. І. Любченко, О. С. Оберемок, Т. М. Сабов, С. В. Сапон, К. І. Чуніхіна // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2017. - Вып. 52. - С. 140-149. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2017_52_14 Описано процеси формування діодних структур у монокристалах антимоніду індію. Розглянуто два варіанта конструкції фотодіодних структур: планарний діод та мезаструктура Показано, що вибрані технологічні параметри (доза імплантації берилію, енергія імплантації, режими відпалів) забезпечують формування структур, чутливих до інфрачервоного випромінювання. Запропонована технологія мезаструктур має такі переваги: зворотні струми для планарного діода є значно більшими, діоди з мезаструктурою мають більшу чутливість і значно менші темнові струми. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |