Проведено модельні розрахунки, що пояснюють температурну залежність концентрації вільних носіїв струму у моносульфіді самарію. Використано модель, у якій враховано наявність в енергетичній структурі кристала мілких донорних рівнів, зумовлених присутністю у кристалічній гратці власних точкових дефектів, а також f-рівнів атома самарію: основного, першого збудженого, та другого збудженого, який кристалічним полем розщеплюється на 5 окремих рівнів. Запропонована модель носить універсальний характер і її можна застосовувати також для розрахунку параметрів інших властивостей в SmS, зокрема і фазового переходу напівпровідник - метал.

  Повний текст PDF - 139.754 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"