Наведено результати оптичних досліджень спектрів відбивання монокристалів n-Si(100) і CdTe(111) у діапазоні 0,2 - 1,7 мкм до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66 - 164 мДж/см². Експериментально показано збільшення відбиваючої здатності досліджуваних кристалів за даної лазерної обробки. Даний інтегральний ефект пояснюється відмінностями оптичних характеристик приповерхневого шару та об'єму матеріалу (комплексний показник заломлення приповерхневого шару <$E n tilde sub s~=~n sub s~+~i chi sub s> відрізняється від комплексного показника заломлення об'єму матеріалу <$E n tilde sub nu~=~n sub nu~+~i chi sub nu>). Розглянуто механізми лазерного опромінення. Розраховано залежності глибини утворення ударної хвилі, температури поверхні, глибини плавлення Si та CdTe за лазерного опромінення.Наведено результати оптичних досліджень спектрів відбиття монокристалів n-GaAs(100) з питомим опором 10 Ом-см (за кімнатної температури) в діапазоні 0,2 - 1,7 мкм до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66 - 108 мДж/см<^>2. Експериментально показано збільшення відбивальної здатності досліджуваних кристалів за даної лазерної обробки. Даний інтегральний ефект пояснено відмінностями оптичних характеристик приповерхневого шару та об'єму матеріалу (комплексний показник заломлення приповерхневого шару <$E n tilde sub s~=~n sub s~+~i chi sub s> відрізняється від комплексного показника заломлення об'єму матеріалу <$E n tilde sub v~=~n sub v~+~i chi sub v>.

  Повний текст PDF - 176.069 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"