Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю

Кукурудзяк, М. С.; Добровольський, Ю. Г.


	Наукова періодика України		Технология и конструирование в электронной аппаратуре

Кукурудзяк М. С.
Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю / М. С. Кукурудзяк, Ю. Г. Добровольський // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2021. - № 1-2. - С. 61-67. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2021_1-2_11

Повний текст PDF - 1.248 Mb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Кукурудзяк М.

Добровольський Ю.

Бібліографічний опис для цитування:

Кукурудзяк М. С. Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю / М. С. Кукурудзяк, Ю. Г. Добровольський // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2021. - № 1-2. - С. 61-67. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2021_1-2_11.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Добровольський Юрій Георгійович (технічні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача