За допомогою рентгенівської монокристальної та порошкової дифрактометрії і структурного аналізу визначено кристалічну структуру тернарних сполук Gd2Os3Si5 та Gd2Pt3Si5 (структурний тип U2Co3Si5, символ Пірсона oI40, просторова група Ibam, параметри елементарної комірки: a = 9,6724(9), b = 12,0458(8), c = 5,6838(5) <$E roman A back 35 up 35 symbol Р> для Gd2Os2,86(2)(2)Si5,14(2); a = 9,9224(2), b = 11,3997(2), c = 5,99300(9) <$E roman A back 35 up 35 symbol Р> для Gd2Pt3Si5). Координаційним многогранником атомів Gd є гексагональна призма з п'ятьма додатковими атомами, атомів Os чи Pt - тетрагональна піраміда і кубооктаедр, тоді як атомів Si - кубооктаедри та тригональна призма з трьома додатковими атомами. Кристалічну структуру сполук Gd2Os3Si5 та Gd2Pt3Si5 можна уявити як укладку шарів з многогранників атомів Gd, які сполучені гранями. Іншою особливістю структурного типу U2Co3Si5 є формування вздовж кристалографічного напряму [001] нескінченних колон з многогранників атомів d-елемента у вигляді тетрагональних пірамід, утворених атомами Si. Аналіз значень функції локалізації електрона (ELF) для Gd2Os3Si5 засвідчив зміщення електронної густини до більш електронегативних атомів (Os та Si).

  Повний текст PDF - 691.147 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"