Вплив високотемпературного вiдпалу на параметри анiзотропiї рухливостi i анiзотропiї термо-ЕРС захоплення електронiв фононами в n−Si

Баранський, П. I.; Гайдар, Г. П.


	Наукова періодика України		Доповіді Національної академії наук України

Баранський П. I.
Вплив високотемпературного вiдпалу на параметри анiзотропiї рухливостi i анiзотропiї термо-ЕРС захоплення електронiв фононами в n−Si / П. I. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 5. - С. 70-75. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2014_5_14

Повний текст PDF - 188.288 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Баранський П.

Гайдар Г.

Бібліографічний опис для цитування:

Баранський П. I. Вплив високотемпературного вiдпалу на параметри анiзотропiї рухливостi i анiзотропiї термо-ЕРС захоплення електронiв фононами в n−Si / П. I. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 5. - С. 70-75. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2014_5_14.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Гайдар Галина Петрівна (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача