Для підсилення фотолюмінесценції наночастинок CdS завдяки зменшенню безвипромінювальної рекомбінації електронів за межами шару наночастинок запропоновано окиснені структури макропористого кремнію з нанокристалами CdS на поверхні макропор. Встановлено, що резонансне розсіяння електронів на межі Si - SiO2 для зразків з низькою концентрацією Si - O - Si станів в оксиді трансформується в розсіяння електронів на іонізованих поверхневих станах для зразків з високою концентрацією Si - O - Si в структурованому оксиді. Максимальну інтенсивність фотолюмінесценції наночастинок CdS виміряно для структур з максимальною напруженістю електричного поля на межі кремнієвої матриці з структурованим оксидом. Це свідчить про суттєве зменшення безвипромінювальної рекомбінації електронів, генерованих на нанокристалах CdS, завдяки зустрічному потоку електронів з кремнієвої матриці в напрямку шару нанокристалів. В таких структурах в результаті випаровування молекул води квантовий вихід фотолюмінесценції з часом збільшується.

  Повний текст PDF - 801.945 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"