Анизотропия термоЭДС захвата электронов фононами в n-Ge

Баранский, П. И.; Гайдар, Г. П.


	Наукова періодика України		Термоэлектричество

Баранский П. И.
Анизотропия термоЭДС захвата электронов фононами в n-Ge / П. И. Баранский, Г. П. Гайдар // Термоэлектричество. - 2012. - № 2. - С. 31-41. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ter_2012_2_4

Повний текст PDF - 512.433 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Баранский П.

Гайдар Г.

Бібліографічний опис для цитування:

Баранский П. И. Анизотропия термоЭДС захвата электронов фононами в n-Ge / П. И. Баранский, Г. П. Гайдар // Термоэлектричество. - 2012. - № 2. - С. 31-41. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ter_2012_2_4.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Гайдар Галина Петрівна (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача