У рамках квазікласичного наближення проведено аналіз спектральних залежностей оптичної густини D(omega) та пропускання T(omega) епітаксійних плівок Hg_{1 - x}Cd_xTe з градієнтом ширини забороненої зони. Плівки p-типу провідності було вирощено методом рідкофазної епітаксії (РФЕ) на підкладках CdTe. Встановлено, що на спектральних залежностях другої похідної д²D(omega)/дomega² спостерігаються особливості, пов'язані зі зміною механізмів поглинання за енергії фотонів, яка дорівнює мінімальній і максимальній ширині забороненої зони. Розрахункові спектри T(omega) задовільно узгоджуються з виміряними для експонеціальної залежності E_g від товщини і дозволяють визначити градієнти складу досліджених плівок Hg_{1 - x}Cd_xTe.

Теоретично та експериментально досліджено епітаксійні плівки Hg_{1 - x}Cd_xTe з градієнтом складу та діодні структури на їх основі. Показано можливість визначення величини градієнта (внутрішнього електричного поля) і вигляду залежності ширини забороненої зони від товщини плівки з вимірів оптичного пропускання. Досліджено трансформацію спектрів фотоструму в епітаксійних шарах Hg_{1 - x}Cd_xTe та фотодіодах на їх основі, спричинену градієнтом складу. Досліджено темновий струм і спектри шуму в фотодіодах у випадку нульового та малих зворотних зміщень U <= 0,1 В. Доведено, що 1/f шум корелює з тунельним струмом через глибокі дефектні стани в забороненій зоні.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2-03

Рубрики:

Напівпровідникові фотоелектричні прилади

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ