Наведено лабораторні роботи з основного курсу фізики, зокрема: механіки, молекулярної фізики, електрики та магнетизму, коливань та хвиль, оптики, фізики атомів, молекул та твердого тіла, атомної та ядерної фізики. Визначено залежність моменту інерції системи від розподілу її маси залежно від осі обертання, коефіцієнт поверхневого натягу рідини методом відриву кільця, опір провідника, горизонтальну складову індукції та напруженості магнітного поля Землі, магнітне поле короткого соленоїда, питомий заряд електрона методом схрещених полів. Висвітлено результати дослідження резонансних характеристик коливального контура, поляризованого світла. Викладено основи фізики навколишнього середовища, геометричної оптики.

Приведены лабораторные работы по основному курсу физики, в частности: механики, молекулярной физики, электрики и магнетизма, колебаний и волн, оптики, физики атомов, молекул и твердого тела, атомной и ядерной физики. Определены зависимость момента инерции системы от распределения ее массы в зависимости от оси оборота, коэффициент поверхностной натяжки жидкости методом отрыва кольца, сопротивление проводника, горизонтальная составляющая индукции и напряженности магнитного поля Земли, магнитное поле краткого соленоида, удельный заряд электрона методом скрещенных полей. Освещены результаты исследования резонансных характеристик колебательного контура, поляризированного света. Изложены основы физики окружающей среды, геометрической оптики.

Розглянуто характеристики гармонічних коливань, описано механічні та електромагнітні коливальні системи. Наведено диференціальні рівняння вільних згасаючих та вимушених коливань. Розглянуто закономірності згасання, розкрито сутність аперіодичних процесів. Представлено способи визначення резонансу у колах змінного струму, а також подання несинусоїдних коливань у вигляді рядів Фур'є. З'ясовано загальні закономірності хвильових процесів, наведено методи визначення швидкості механічних хвиль у газах, рідинах і твердих тілах. Розглянуто електромагнітні хвилі, випромінювання диполя, вектор Пойнтінга. Описано механізм передачі інформації за допомогою електромагнітних хвиль. Наведено закони геометричної оптики, розглянуто основні фотометричні величини, а також явища інтерференції та дифракції світла. Розкрито сутність поляризації світлових хвиль та подвійного променезахоплення у кристалах. Викладено теоретичні засади квантової опитки, зокрема розглянуто теплове випромінювання та люмінесценцію, закони Кірхгофа, Стефана - Больцмана та Віна, квантову гіпотезу та формулу Планка для спектра абсолютно чорного тіла. Запропоновано методи визначення маси та імпульсу фотонів, описано ефект Комптона та корпускулярно-хвильовий дуалізм електромагнітного випромінювання.

Рассмотрены характеристики гармонических колебаний, описаны механические и электромагнитные колебательные системы. Приведены дифференциальные уравнения свободно угасающих и вынужденных колебаний. Рассмотрены закономерности угасания, раскрыта сущность апериодических процессов. Приведены способы определения резонанса в цепях переменного тока, а также представление несинусоидных колебаний в виде рядов Фурье. Установлены общие закономерности волновых процессов, приведены методы определения скорости механических волн в газах, жидкостях и твердых телах. Рассмотрены электромагнитные волны, излучение диполя, вектор Пойнтинга. Описан механизм передачи информации с помощью электромагнитных волн. Приведены законы геометрической оптики, рассмотрены основные фотометрические величины, а также явления интерференции и дифракции света. Раскрыта сущность поляризации световых волн и двойного лучезахвата в кристаллах. Изложены теоретические основы квантовой оптики, в частности рассмотрено тепловое излучение и люминесценция, законы Кирхгофа, Стефана - Больцмана и Вина, квантовая гипотеза и формула Планка для спектра абсолютно черного тела. Предложены методы определения массы и импульса фотонов, описан эффект Комптона и корпускулярно-волновой дуализм электромагнитного излучения.

Досліджено вплив in situ ультразвукового опромінення зразків під час імплантації іонів <$E roman Si sup +> та <$E roman N sup +> на формування Si-нанокластерів в шарах SiO2. Для аналізу синтезованих структур використано методи фотолюмінесценції та мас-спектрометрії вторинних іонів. Спостережено зсув максимуму фотолюмінесцентного випромінення в область коротких довжин хвиль та підвищення його інтенсивності в зразках, імплантованих під дією ультразвукової обробки. Цей ефект є обумовленим формуванням під дією УЗ вакансійних кластерів в області імплантації іонів, які впливають на кінетику кластеризації кремнію. Формування оксинітридної фази на межі поділу Si-нанокристал - SiO2 після додаткової імплантації іонів азоту призводить до підвищення інтенсивності та зсуву максимуму смуги фотолюмінесцентного випромінення у короткохвильову область.

За допомогою методів вторинної іонної мас-спектрометрії та просвічувальної електронної мікроскопії досліджено вплив гідростатичного тиску (ГТ) азоту за високотемпературних відпалів на синтез прихованих шарів Si3N4 в кремнії після іонної імплантації азоту. Показано, що дія ГТ за температури 1130 <$E symbol Р>C стимулює формування стехіометричного шару Si3N4 із різкими межами поділу фаз і високим рівнем кристалічної досконалості приповерхневих шарів кремнію. Утворення таких структур можна пов'язати з генерацією міжвузловинних дефектів та їх впливом на формування фази Si3N4 під дією ГТ.

На термічно окиснених зразках n-Si, імплантованих домішками Al і Ti, використаних як електроди у дистильованій воді, досліджено розкладання води. Контрелектродами слугували Pt або Yb. Уперше виявлено вплив освітлення <$E roman {Si symbol ... Al symbol ъ}>- і <$E roman {Si symbol ... Ti symbol ъ}>-електродів на струмоутворення з розкладанням води за відсутності зовнішньої електричної напруги між кремнієвим і контрелектродом, а також у разі прикладання до кремнієвих електродів зовнішньої позитивної напруги. Роль освітлення у зростанні темпу розкладання води зводиться до збагачення приповерхневої області кремнію електронами.

Досліджено спектри фотолюмінесценції (ФЛ) структур SiO2 - Si, імплантованих іонами вуглецю в інтервалі доз <$E 2,5~cdot~10 sup 15~-~2~cdot~10 sup 16~roman см sup -2> і кремнію з дозою <$E 6~cdot~10 sup 16~roman см sup -2>. Показано, що після термічних відпалів в спектрах ФЛ проявляються чотири смуги ФЛ зі спектральними максимумами за умови 360, 425, 540 і 700 нм. Смуга 700 нм з'являється після високотемпературних відпалів і пов'язується з формуванням нанокристалів кремнію в SiO2-матриці. Характеристики інших смуг залежать від концентрації вуглецю та температур відпалу. Показано, що за температури 1000 <$E symbol Р>C формуються центри безвипромінювальної рекомбінації, які призводять до суттєвого зменшення інтенсивності ФЛ всіх смуг. На підставі одержаних результатів та опрацьованих літературних даних запропоновано фізичну модель виникнення вказаних смуг ФЛ.