The high purity selenium have been obtained by specially established technological regimes. The methods of lead-acid etching and hyperthermal treatings possible to increased purity of selenium with <$E 4,4~cdot~10 sup -2> to <$E 4,7~cdot~10 sup -5> mass. %.

The high purity tallium have been obtained by specially established technological regimes. The methods of lead-acid etching and hyperthermal treatings possible to increased purity of tallium with <$E 8,3~cdot~10 sup 3> to <$E 2,5~cdot~10 sup -5> mass. %.

Розглянуто вплив технологічних умов одержання, опромінювання та відпалу на структуру ближнього порядку стекол і плівок у системі миш'як - сірка - селен.

The temperature dependence of saturated pressure of Cadmium Arsenidobromide and Cadmium Arsenidoiodide has been investigated. Due to shifting of the composition from the homogeneity region, lgP - 1/T in the temperature interval of 649 - 967 K for Cd2As3Br(I) are observed both as fractures and as pressure jump on the dependences. Mass-spectra of ternary phases demonstrate incongruent character of the compounds evaporation. On the basis of tensimetric investigations, the optimal single crystal growing conditions of the compounds are determined.

Установлено влияние температуры гомогенизации и скорости охлаждения расплава на процессы неизотермической кристаллизации стеклообразного Se и природу фаз, образующихся при этом в его матрице. Определены характеристические температуры тепловых эффектов, рассчитаны энергии активации кристаллизации <$E E sub c>. Показано, что величина <$E E sub c> определяется степенью полимиризации молекул Sen, концентрациями молекул Se8, пар с переменной валентностью и цепочечных молекул, находящихся в трансположениях. Кристаллизации аморфных пленок селена сопровождается резким уменьшением пропускания. Установлено, что размеры кристаллических включений и величина оптического пропускания определяются термовременными режимами отжига.

Наведено технологічні умови одержання стекол у багатокомпонентних системах SbSI - As2S3, SbSI - As2Se3 і SbSI - GeS2 і досліджено їх фізико-хімічні властивості. Встановлено, що у стеклах із вмістом сульфойодиду сурми понад 50 мол. % за умов постійного нагрівання в інтервалі температур <$E T sub g~-~T sub c> відбувається кристалізація за переважним механізмом із виділенням стабільної фази SbSI. Показано, що розміри кристалічних включень залежать від термочасових умов обробки.

Наведено результати досліджень діелектричних властивостей і структури стекол (As2Se3)100-x(SbSeI)x (x = 70, 80, 90) та їх змін у процесі термічної обробки. Кристалізація стекол супроводжується різким зростанням діелектричних параметрів. Структура фази, яка виникає в скляній матриці під час кристалізації, відповідає структурі кристалічного селенойодиду сурми. Обговорено вплив температури та часу відпалу на структуру та діелектричні параметри одержаних сегнетоситалів.

За допомогою методів фізико-хімічного аналізу вивчено взаємодію у шести квазіподвійних системах: CuInP2S6 - AgInP2S6, AgInP2S6 - CuInP2S6, CuCrP2S6 - AgCrP2S6, AgInP2S6 - AgInP2S6, CuInP2S6 - CuInP2S6, CuCrP2S6 - CuInP2S6 на предмет вивчення утворення між ними твердих розчинів. Пояснено характер взаємодії у вказаних системах залежно від різних факторів.