Досліджено спектральні характеристики кремнієвих сенсорів видимого та ультрафіолетового (УФ) випромінювання. Показано, що фоточутливість сенсорів, виготовлених за допомогою методу акустостимульованої імплантації іонів B та As, в ближній УФ області спектра на порядок перевищує чутливість аналогічних сенсорів, виготовлених без ультразвукової обробки. Дослідження профілів залягання імплантованих домішок показують, що у випадку домішки B даний ефект пояснюється зменшенням глибини p - n переходу, а у випадку As - зменшенням концентрації рекомбінаційно-активних центрів в області емітера та/або збільшенням електричної активації домішки. Запропоновано пояснення фізичних механізмів спостережуваних ефектів.