У температурному інтервалі 295 - 600 K досліджено спектри рентгено-, фотолюмінесценції, збудження люмінесценції та термостимульовану люмінесценцію (ТСЛ) полікристалічних зразків гранату Gd3Ga5O12 у процесі рентгенівського опромінення. Досліджено спектральний склад ТСЛ; оцінено енергії активації пасток, що відповідають пікам ТСЛ. На підставі одержаних результатів зроблено висновок, що пік ТСЛ 384 K зумовлений делокалізацією електронів із пасток <$E roman Cr sup 3+ e> з енергією активації ~ 0,96 еВ. Обговорено природу інших піків ТСЛ.

Встановлено особливості процесів захоплення носіїв заряду та рекомбінаційної люмінесценції в складних оксидах з домішками іонів перехідних металів, які можна використати як сцинтилятори для комп'ютерних рентгенівських томографів, активні середовища та пасивні затвори для лазерів, а також як модельні об'єкти для фундаментальних досліджень. Виявлено зв'язок між центрами захоплення носіїв заряду та кінетикою загасання свічення у сполуках системи <$Ebeta - roman {Ca sub 2 O sub 3 -In sub 2 O sub 3 -SnO sub 2 }>, активованих домішковими іонами хрому. Показано можливість застосування цих сполук для реєстрації дози УФ-випромінювання. Встановлено вплив домішки магнію і відпалу у відновному середовищі на люмінесцентні властивості та процеси захоплення носіїв заряду в монокристалах (МК) і монокристалічних плівках (МП) гранатів. Розглянуто закономірності зміни валентних станів іонів ітербію залежно від технологічних особливостей одержання монокристалічних плівок гранатів. Досліджено процеси рекомбінації люмінесценції в кристалах вольфраматів цинку та кадмію. Запропоновано модель центрів, відповідальних за локальну компенсацію надлишкового заряду, створеного іонами <$Eroman Fe sup 3+> та механізм рекомбінаційного збудження "червоної" смуги свічення в цих матеріалах.

Експериментально досліджено термолюмінесцентні властивості нано- та полікристалічних зразків YaG у діапазоні температур 300 - 700 K. Досліджено нанорозмірні порошки YaG, одержані за допомогою методу золь-гель як номінально бездомішкові, так і леговані іонами неодиму, а також полікристалічні зразки YaG, леговані марганцем, одержані плавленням в інертній атмосфері. Проаналізовано процеси захоплення та рекомбінації носіїв заряду за участі власних точкових дефектів структури та домішкових іонів.

Досліджено структуру керамічних зразків MgGa2O4, Mg0,5Zn0,5Ga2O4 та ZnGa2O4, легованих іонами Mn<^>2+, одержаних за допомогою методу твердофазного синтезу за температури <$E1200~symbol Р roman C>. Зразки мають структуру шпінелі з кубічною граткою (просторова група Fd3m). Одержано значення параметрів елементарної комірки свідчать про зростання періоду кристалічної гратки зі збільшенням вмісту іонів Zn<^>2+. Дослідження елементною складу засвідчили стехіометричність одержаних керамічних зразків. Наведено зображення суміші вихідних матеріалів синтезу, поверхні та зламу керамік, одержаних за допомогою скануючої електронної мікроскопії. Проведена оцінка розміру кристалітів добре узгоджується із результатами розрахунків за формулою Шеррера. На краю смуги фундаментального поглинання спостерігається перегин, що пов'язаний з поглинанням енергії у смузі перенесення заряду від аніонів O<^>2- до іонів активатора Mn<^>2+. За спектрами оптичного поглинання визначено ширину забороненої зони керамік. Показано, що ступінь заміщення катіонів Mg<^>2+ катіонами Zn<^>2+ впливає на ширину забороненої зони мікрокерамік. Проведено дослідження люмінесценції при збудженні X-променями за кімнатної температури та температури рідкого азоту. Виявлено 3 смуги свічення, котрі відповідають люмінесценції матриці, свіченню іонів активатора Mn<^>2+ та не контрольованої домішки Cr<^>3+. Інтенсивність свічення матриці зростає приблизно удвічі за температури рідкого азоту у всіх досліджуваних зразках. Люмінесценція іонів Mn<^>2+ та Cr<^>3+ має рекомбінаційну природу та слабо залежить від температури.

За допомогою методу повільного випаровування на поверхні поруватого кремнію вирощено оптично прозорі у видимому діапазоні спектра кристали марганцехлорид тетраметиламонію. За допомогою скануючої електронної мікроскопії та ІЧ Фур'є спектроскопії підтверджено формування гібридної структури поруватий кремній-[N(CH3)4]2MnCl4 та досліджено її компонентний склад. Вивчено спектри збудження і випромінювання фотолюмінесценції одержаних структур в діапазонах 220 - 400 і 400 - 800 нм, відповідно. Встановлено, що багатоколірна фотоемісія утворюється поєднанням смуг люмінесцентного випромінювання наноструктур поруватого кремнію та марганцехлорид тетраметиламонію. Показано можливість керування спектром фотолюмінесценції за рахунок зміни енергії збудження.

За допомогою методу високотемпературного твердофазного синтезу одержано полікристалічні напівпровідникові матеріали (ПНМ) системи <$E2 beta - roman {Ga sub 2 O sub 3 ~-~SnO} sub 2>. Експерименти показали, що ефективність синтезу у системі <$E2 beta - roman {Ga sub 2 O sub 3 ~-~SnO} sub 2> залежить від способу одержання вихідних сполук. Дослідження поверхонь одержаних ПНМ на предмет можливого їх використання у електронних пристроях, що працюють на ефекті поля та на бар'єрах Шоткі, для яких міжфазові межі метал/напівпровідник, метал/діелектрик/напівпровідник та їх характеристики відіграють вирішальну роль. Зокрема, особливо, елементно-фазовий склад та шорсткість поверхонь ПНМ, які досліджувались адекватним набором експериментальних методів і дифракції повільних електронів (ДПЕ), X-променевої фотоелектронної спектроскопії (ХФЕС) та атомно-силової мікроскопії (ACM). Результати дослідження поверхонь ПНМ системи <$E2 beta - roman {Ga sub 2 O sub 3 ~-~SnO} sub 2> порівняно з результатами для поверхонь сколювання монокристалічних <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O sub 3> і вказують на те, що поверхня ПМН є цілком придатною для виготовлення напівпровідникових, керованих електричним полем, пристроїв метал/напівпровідник, метал/діелектрик/напівпровідник з металевим керуючим електродом, за умови вибору відносно гладких ділянок на поверхні ПНМ.