Визначено інтервал значень зовнішнього поля H, в якому існує змішаний стан з заданою індукцією B в монокристалі високотемпературного надпровідника YBa₂Cu₃O_x для випадку H, перпендикулярного c. З цією метою в інтервалі температур 70 - 84 К вивчено польові залежності вкладу mu_upsilon в динамічну магнітну проникність mu'_ac від індукованого слабким змінним полем коливального руху вихорів, який в полі H зазнає гістерезисну поведінку. Показано, що природа гістерезиса mu_upsilon(H) може бути пояснена в термінах взаємодії вихорової гратки з поверхнею і обумовлена існуванням гістерезиса B(H) внаслідок виявлення поверхневого бар'єра. Петлі гістерезиса mu_upsilon(H), які відповідають різним температурам, описуються універсальною залежністю у зведених координатах. Зроблені оцінки, а також порівняння теорії з експериментом виявили сильне пригнічення поверхневого бар'єра у реальному монокристалі YBaCuO в порівнянні з очікуваним для ідеальної поверхні. Внаслідок цього нижня гілка гістерезиса mu_upsilon(H), яка відповідає збільшенню поля H, стає близькою до рівноважної залежності mu_upsilon(H), а поверхневий бар'єр істотно впливає лише на поведінку mu_upsilon(H) у процесі зменшення поля, тобто на вихід вихорів із надпровідника.

Исследована пpоблема точности теоpетического описания полевых зависимостей pавновесной намагниченности M(H) свеpхпpоводников II pода с паpаметpом Гинзбуpга-Ландау k >> 1, полученных в pазличных пpиближениях для области магнитных полей H, на много меньших втоpого кpитического поля H_c2. Установлено, что учет пpостpанственного pаспpеделения паpаметpа поpядка существенно влияет на поведение намагниченности M(H), начиная с самых малых полей, находящихся в непосредственной близости к первому критическому полю H_c1. В интеpвале полей H_c1 <= H << H_c2 изучены механизмы и степень влияния на полевую зависимость M(H) таких фактоpов, как собственная энеpгия вихpевой нити, точность описания пpостpанственного pаспpеделения поля вихpя, подавление паpаметpа поpядка за счет пеpекpытия вихpей, а также использование пpинципа супеpпозиции полей. Для данного интеpвала полей получено аналитическоe выpажение для зависимости M(H) путем пpямого вычисления pешеточных сумм с учетом влияния стpуктуpы вихpевых сеpдцевин.

В магнитных полях H << H_c2, где для описания свойств сверхпроводников II рода обычно используется лондоновское приближение, при вычислении колебательного вклада mu nu(H) в динамическую магнитную проницаемость mu'_ac проведен учет пространственного изменения параметра порядка. Проанализированы особенности поведения аналитических зависимостей mu nu(H) для случая, когда вихри совершают малые колебания вблизи своих положений равновесия, отвечающих термодинамически равновесной вихревой решетке. Показано, что учет эффекта подавления параметра порядка в сердцевинах вихрей приводит к существенным отличиям в поведении mu nu(H) по сравнению с аналогичной зависимостью, полученной в лондоновском приближении. Установлено, что главной причиной этих отличий является изменение формы той эффективной потенциальной ямы, в которой происходит колебательное движение приповерхностных вихрей.

За допомогою методу гама-резонансної (мессбауерівської) спектроскопії за умови температур 293, 91 та 78 K досліджено полікристалічні високотемпературні надпровідники (ВТНП) <$E roman YBa sub 2 roman Cu sub 2,985 nothing sup 57 roman Fe sub 0,015 {roman O} sub y> (<$E y~symbol Ы~ 6,92,~T sub c ~=~91~-~91,5~roman K>) з мікронними та субмікронними розмірами кристалітів. Виявлено кореляцію між змінами інтенсивностей компонент мессбауерівських спектрів і середніми розмірами кристалітів <$E symbol ... D symbol ъ>. Показано, що причиною змін, які спостерігаються у спектрах, є ефект міжплощинного перерозподілу кисню, що супроводжується збільшенням структурного параметра c. В цьому випадку даний ефект тим більше, чим менше середні розміри <$E symbol ... D symbol ъ>. Зроблено висновок, що головною особливістю реальної структури дрібнокристалічних ВТНП у порівнянні з об'ємними рівноважними зразками <$E roman {YBa sub 2 Cu sub 3 O} sub {6~+~ delta }>, яка лежить в основі змін, що спостерігаються в аніонній підсистемі, є існування часткового взаємозаміщення катіонів <$E roman Y sup 3+> та <$E roman Ba sup 2+>. Останнє може бути обумовлено нерівноважними умовами синтеза, які з необхідністю використовуються у процесі одержання ВТНП мікронних і субмікронних розмірів.