За допомогою методів оже- та фотоелектронної спектроскопій, дифракції повільних електронів (ДПЕ) та спектроскопії характеристичних втрат енергії електронів (СХВЕЕ) досліджено формування електронної структури та зміну роботи виходу при адсорбації Bi на атомарно чистих Si(111) 7 times 7 розупорядкованих іонами Ar a-Si(111)-поверхнях. Показано, що на обох поверхнях Bi адсорбується за механізмом Странського - Крастанова. Електронну структуру, характерну для об'ємного Bi, спостережено вже при theta_Bi = 5 symbol Ш 6 моношарів (МШ). Прогрівання інтерфейсів, утворених Bi на таких поверхнях, по- різному впливає на їх структуру. На кристалічних підкладках за Т > 300 °C утворюється надструктура sqrt 3 times sqrt 3, на a-Si(111) при 300 °C Bi десорбується. На упорядкованій та на розупорядкованій поверхнях кремнію Bi зменшує роботу виходу приблизно на 0,7 еВ, впливає на щільність поверхневих електронних станів, що зумовлені адатомами кремнію та зв'язані з напруженістю зв'язків між атомами перших двох шарів Si, а також модифікує спектр характеристичних втрат енергії електронів. Подано інтерпретацію результатів.

З використанням методів мас-спектрометрії нейтральних частинок з пошаровим аналізом і спектроскопії поверхневої фотоелектрорушійної сили досліджено процеси гетерування рекомбінаційно-активних домішок у мультикристалітному (крупнозернистому полікристалічному) кремнії. Використано швидкий термічний відпал (the rapid thermal annealing (RTA)) в ізохронному й ізотермічному режимах. Дозовані концентрації домішок заліза та міді введено в зразки шляхом іонної імплантації. Гетерний шар формувався на тильному боці зразка та складався з шару алюмінію, напиленого на модифіковану хімічним травленням розвинуту поверхню Si. Оцінено енергії активації та коефіцієнти дифузії міді та заліза в імплантованих зразках, підданих RTA. Запропоновано оптимальні температури та час RTA для одержання гетеруючого ефекту. Спостережено прискорену (аномальну) дифузію заліза в гетерний шар, у той час як коефіцієнт дифузії міді був близький до літературних даних для монокристалічного кремнію. Обговорено можливі механізми виявлених ефектів.

Із використанням методів гравіметрії, мікротвердості, інфрачервоної спектроскопії, багатокутової еліпсометрії та мікроскопії атомних сил досліджено термостимульовану трансформацію структури кремній-кисневої фази в шарах <$E {roman SiO} sub x>, яка призводить до утворення нановключень кремнію. Продемонстровано, що вакуумна термообробка напилених плівок <$E {roman SiO} sub x> викликає збільшення концентрації кисневих містків у структурній сітці оксиду. В результаті оксид ущільнюється, а нанорельєф його поверхні згладжується. Показано, що виділення фаз кремнію та діоксиду кремнію зумовлене процесом переходу кисню від слабкоокиснених молекулярних комплексів (<$E roman SiOSi sub 3>) до сильноокиснених (<$E roman SiO sub 3 roman Si>).

Досліджено вплив in situ ультразвукового опромінення зразків під час імплантації іонів <$E roman Si sup +> та <$E roman N sup +> на формування Si-нанокластерів в шарах SiO2. Для аналізу синтезованих структур використано методи фотолюмінесценції та мас-спектрометрії вторинних іонів. Спостережено зсув максимуму фотолюмінесцентного випромінення в область коротких довжин хвиль та підвищення його інтенсивності в зразках, імплантованих під дією ультразвукової обробки. Цей ефект є обумовленим формуванням під дією УЗ вакансійних кластерів в області імплантації іонів, які впливають на кінетику кластеризації кремнію. Формування оксинітридної фази на межі поділу Si-нанокристал - SiO2 після додаткової імплантації іонів азоту призводить до підвищення інтенсивності та зсуву максимуму смуги фотолюмінесцентного випромінення у короткохвильову область.

За допомогою методів вторинної іонної мас-спектрометрії та просвічувальної електронної мікроскопії досліджено вплив гідростатичного тиску (ГТ) азоту за високотемпературних відпалів на синтез прихованих шарів Si3N4 в кремнії після іонної імплантації азоту. Показано, що дія ГТ за температури 1130 <$E symbol Р>C стимулює формування стехіометричного шару Si3N4 із різкими межами поділу фаз і високим рівнем кристалічної досконалості приповерхневих шарів кремнію. Утворення таких структур можна пов'язати з генерацією міжвузловинних дефектів та їх впливом на формування фази Si3N4 під дією ГТ.

Досліджено спектри фотолюмінесценції (ФЛ) структур SiO2 - Si, імплантованих іонами вуглецю в інтервалі доз <$E 2,5~cdot~10 sup 15~-~2~cdot~10 sup 16~roman см sup -2> і кремнію з дозою <$E 6~cdot~10 sup 16~roman см sup -2>. Показано, що після термічних відпалів в спектрах ФЛ проявляються чотири смуги ФЛ зі спектральними максимумами за умови 360, 425, 540 і 700 нм. Смуга 700 нм з'являється після високотемпературних відпалів і пов'язується з формуванням нанокристалів кремнію в SiO2-матриці. Характеристики інших смуг залежать від концентрації вуглецю та температур відпалу. Показано, що за температури 1000 <$E symbol Р>C формуються центри безвипромінювальної рекомбінації, які призводять до суттєвого зменшення інтенсивності ФЛ всіх смуг. На підставі одержаних результатів та опрацьованих літературних даних запропоновано фізичну модель виникнення вказаних смуг ФЛ.

Досліджено вплив нерівноважних точкових дефектів на процеси перерозподілу домішок поблизу меж розділу фаз у твердому тілі, вивчено механізми прискореної дифузії домішок, їх електричну активацію та преципітацію, а також процеси гетерування рекомбінаційно-активних домішок у шаруватих структурах: мультикристалічний кремній - поруватий кремній - алюмінієва плівка. З'ясовано вплив ультразвукового (УЗ) випромінювання на процеси дифузії дефектів за умов імплантації іонів бору й аргону у кремній. Розроблено методику пошарового високочастотного розщеплення діелектричних матриць. Показано, що точкові дефекти, сформовані внаслідок відпалу <$Eroman {SiO sub 2 "/"Si}> структур, додатково імплантованих домішками кисню або вуглецю, дають змогу керувати поведінкою домішки арсену поблизу поверхні. Досліджено активацію домішки As після ізохронних й ізотермічних відпалів за присутності кисню та вуглецю. Доведено, що por-Si+Al/Si структура є ефективним гетерним шаром у разі швидких термічних відпалів. Виявлено, що УЗ опромінення у разі імплантації призводить до зменшення дефектності у вихідних і відпалених зразках, а також до пригнічення прискореної дифузії бору у кремнії. Запропоновано фізичну модель цього явища.

Приведены результаты комплексных исследований кристаллического материала для солнечной энергетики разных производителей, в которых применены следующие методы: рентгеновская дифрактометрия (для изучения типа и концентрации дефектов), масс-спектроскопия (для определения концентрации легирующих и рекомбинационно-активных примесей), инфракрасная спектроскопия (для определения типа и связанного состояния кислорода), спектроскопия поверхностной фотоэдс и других фотоэффектов (для определения характеристик фоточувствительности солнечного материала), а также локальная спектроскопия комбинационного рассеяния (для определения механических напряжений и их пространственного распределения). Установлено, что образцы солнечного кремния разных производителей могут отличаться по фоточувствительности на порядки величин, несмотря на то, что их примесный состав отличается незначительно. Рассмотрены возможные причины, приводящие к деградации времени жизни неравновесных носителей заряда.

Досліджено чутливість шигел і сальмонел до традиційних антибактеріальних препаратів та норбактину (норфлоксацину). Підтверджено високу чутливість вивчених культур до норбактину на відміну від препаратів, що традиційно використовуються для лікування хворих на кишкові інфекції. Вивчено ефективність цих препаратів у лікуванні даної категорії хворих. Відзначено набагато більшу клінічну ефективність норбактину.

Показано, що неоднорідний розігрів кремнієвої симетричної n<^>+-n-n<^>+ мікроструктури під час живлення в режимі генератора напруги призводить до формування в ній високоомної області. Проведено розрахунки поля, температури та концентрації у високоомній області структури, показано, що вона являє собою термічний градієнтно-дрейфовий домен з концентрацією носіїв заряду менше за термічно рівноважну. Досліджено динаміку формування та руйнування домену.

Розглянуто ефект пам'яті, який виникає в напівпровідникових структурах, виготовлених за технологією "кремнієві структури з діелектричною ізоляцією" (КСДІ) у разі живлення їх двома послідовними імпульсами в режимі генератора напруги. Показано, що в цьому випадку на осцилограмах струму першого імпульсу виникає пік, вольтамперна характеристика (ВАХ) набуває N-подібного вигляду, формується високопольова область, яка являє собою термічний градієнтно-дрейфовий (ТГД) домен. Ця область розташована перпендикулярно лініям протікання струму, визначає його величину і неоднорідний джоулів розігрів структури. Другий імпульс напруги "пам'ятає" тепловий профіль, параметри першого імпульсу і зразу формує N-подібну характеристику без піка струму. Наведено пояснення одержаних результатів.

Наведено порівняння теоретичних розрахунків та експериментальних результатів впливу інтерференційних явищ на визначення параметрів і структури показника заломлення. Показано особливість формування вихідної хвилі в системі з подвійним Фур'є-перетворенням за відбивання світла від поверхні зі структурованими локальними неоднорідностями показника заломлення. Проведено теоретичний аналіз та комп'ютерне моделювання роботи сенсора хвильового фронту щодо виявлення просторового розподілу показника заломлення. Для визначення напрямку зміни показника заломлення запропоновано використати дисперсію фази хвильового фронту.

Проведено теоретичний аналіз механізмів, які призводять до просторового перерозподілу компонентів твердотільної мішені під дією іонного бомбардування. Виконано моделювання впливу іонно-променевого перемішування (ion-beam mixing), форми кратера розпилення та шорсткості поверхні на результати мас-спектрометричних вимірювань залежно від енергії розпилюючих іонів. Показано, що в діапазоні енергій іонів 200 - 400 еВ вплив згаданих факторів є мінімальним для розпилення багатошарових нанорозмірних періодичних структур Mo/Si, виготовлених за допомогою методу магнетронного напилення шарів молібдену та кремнію. Експериментальні дослідження профілів розподілу домішок і порівняння їх з результатами моделювання надало змогу встановити оптимальні режими мас-спектрометричного аналізу, досягти роздільної здатності по глибині краще 1 нм та одержати профілі розподілу домішок, максимально наближені до реальних.

Розглянуто вплив польового розігріву на інжекційні ефекти в кремнієвих n<^>+-n-n<^>+ структурах. Показано, що за умов виникнення ТГД домену польовий розігрів носіїв заряду не є визначальним.

Представлено результати дослідження фазового складу і структурного стану синтезованих за різних технологічних факторів полікристалічних зливків бездомішкового телуриду свинцю та виготовлених на їх основі методом пресування порошку зразків. Проведено вимірювання температурних залежностей питомої електропровідності, коефіцієнта термоерс та коефіцієнта теплопровідності. Встановлено вплив температури відпалу зразків на їх термоелектричні властивості.