Досліджено монокристали системи PbTe - SnTe, вирощені з розплаву та парової фази і леговані домішкою Gd у процесі росту. За допомогою методу електронного парамагнітного резонансу показано, що домішка гадолінію у даних кристалах представлена одночасно у двох зарядових станах <$Eroman Gd sup 2+> і <$Eroman Gd sup 3+>, співвідношення між якими залежить від стану системи власних дефектів даних кристалів та у разі постійної концентрації домішки може бути змінене шляхом застосування технологічних процедур, що впливають на неї. Зазначено, що одержані результати інтерпретуються на базі моделі існування іона домішки гадолінію у зарядовому стані <$Eroman Gd sup 3+> у кристалах телуридів свинцю та олова як складової частини структурного комплексу, що містить іон домішки у металічних позиціях кристалічної гратки та вакансію у підгратці халькогену. За допомогою методу мессбауерівської спектроскопії на ядрах <$Eroman nothing sup 119 Sn> встановлено існування кореляцій між напівпровідниковими параметрами даних кристалів і мессбауерівськими параметрами спектрів. Зроблено висновок про те, що легування домішкою гадолінію кристалів <$Eroman {Pb sub 1 - x Sn sub x Te}> у разі їх вирощування з розплаву дозволяє ефективно знижувати сумарну концентрацію точкових дефектів у них.

В температурному інтервалі 77 - 300 K досліджено температурні залежності коефіцієнта Холла, рухливості вільних носіїв заряду, магнітної сприйнятливості, а також кутові залежності спектрів ЕПР за кімнатної температури кристалів PbTe:Gd і PbTe:Eu. Показано, що легування європієм не змінює типу провідності кристалів PbTe, тоді як легування гадолінієм може призводити до інверсії типу провідності з діркового на електронний, а також, що спектри ЕПР іонів домішок <$E roman Gd sup 3+> і <$E roman Eu sup 2+> у легованих кристалах PbTe суттєво відрізняються. Визначено параметри спінового гамільтоніана іонів <$E roman Gd sup 3+> у PbTe:Gd. Установлено, що в процесі вирощування легованих Gd і Eu кристалів телуриду свинцю в них можуть виникати комплекси на основі оксидів рідкісноземельних елементів.