Викладено методи запису інформації на тонкі плівки халькогенідних напівпровідників. Наведено результати досліджень в галузі оптичного запису інформації, виготовлення компакт-дисків і дифракційних елементів. Проаналізовано сучасні технології виготовлення штампів для тиражуваня компакт-дисків, оптичних захисних елементів, дифракційних елементів. Увагу приділено фізико-хімічним властивостям і структурі ближнього порядку тонких плівок халькогенідних напівпровідників.

Изложены методы записи информации на тонкие пленки халькогенидных полупроводников. Приведены результаты исследований в области оптической записи информации, изготовления компакт-дисков и дифракционных элементов. Проанализированы современные технологии изготовления штампов для тиражирования компакт-дисков, оптических защитных элементов, дифракционных элементов. Уделено внимание физико-химическим свойствам и структуре ближнего порядка тонких пленок халькогенидных полупроводников.

Установлено додатковий сфероїдальний інтеграл руху та групу динамічної симетрії в модельній квантово-механічній задачі двох центрів <$E eZ sub 1 Z sub 2 omega > з кулонівською та осциляторною взаємодіями, досліджено групові властивості її розв'язків. У ролі динамічних груп симетрії задачі <$E eZ sub 1 Z sub 2 omega > розглянуто групу <$E P(3)~symbol д~P(2,1)>, що є прямим добутком двох груп рухів тривимірних просторів, та ширші групи рухів шестивимірних просторів P(5,1) і P(4,2). Отримані результати можуть виявитися корисними для розрахунків енергетичних спектрів: QQq-баріонів та QQg-мезонів.

Викладено результати узагальнення відомостей про структуру та структурні перетворення в халькогенідних склоподібних напівпровідниках (ХСН) (та плівках на їх основі) під дією зовнішніх факторів - температури, світлового випромінювання, високоенергетичної проникної радіації. Обговорено механізми фото-, термо- та радіаційностимульованих перетворень у ХСН і деякі аспекти їх практичного застосування.

Досліджено адгезійну міцність аморфних плівок системи As - S - Se. Встановлено, що зі збільшенням вмісту селену в складі плівок цей параметр зменшується. Адгезійна міцність плівок значно зростає за наявності між халькогенідною плівкою та скляною підкладкою проміжних шарів Ni, Cr, In2O3 + SnO2. Опромінення свіжонапилених плівок (As2S3)x(As2Se3)1-x ртутною лампою призводить до зменшення адгезійної міцності. Одержані результати обговорено з позицій структурної релаксації в халькогенідних плівках і перехідних шарах між плівкою та підкладкою.

Досліджено температурні залежності діелектричних параметрів халькогенідних стекол на основі сульфойодиду сурми. Показано, що аномалії на залежності <$E epsilon> і <$E tg delta> пов'язані з переходом стекол у полярний стан і наступною їх кристалізацією. Кристалізація стекол супроводжується різким зростанням діелектричних параметрів, обумовленим утворенням у склоподібній матриці кристалічних включень, наділених сегнетоелектричними властивостями. Розміри кристалічних включень і величина діелектричної проникності залежать від умов термообробки.

Досліджено вплив умов одержання і опромінювання на структуру та адгезійну міцність <$E А sup *> аморфних плівок As2S3. Виявлено, що зі зростанням швидкості напорошення, товщини плівок і часу опромінювання параметр <$E А sup *> зменшується. Одержані результати обговорено з позицій структурної релаксації у плівках As2S3 та перехідних шарах між плівкою та підложжям.

Досліджено вплив композиційного розупорядкування на енергетичне положення краю власного поглинання та дисперсії показника заломлення (ПЗ) скловидних сплавів системи As - S - Se по розрізу <$E roman {(As sub 2 S sub 3 )} sub 100-x roman {(As sub 2 Se sub 3 )} sub x>. Експериментально визначено адитивні величини рефракцій миш'яку, сірки та селену в сплавах і встановлено взаємозв'язок концентраційної поведінки ширини оптичної псевдощілини, ПЗ і рефракції вихідних компонентів досліджуваних скловидних сплавів.

The high purity selenium have been obtained by specially established technological regimes. The methods of lead-acid etching and hyperthermal treatings possible to increased purity of selenium with <$E 4,4~cdot~10 sup -2> to <$E 4,7~cdot~10 sup -5> mass. %.

В системах SbSI - As2S3 та SbSI - GeS2 за допомогою методу різкого гартування розплаву у склоподібному виді одержано сплави з великим вмістом сульфойодиду сурми. Досліджено структуру стекол та її зміни залежно від режимів термообробки. Встановлено, що всі вивчені склоподібні сплави мають мікрогетерогенну будову. Структура фази, яка виникає в матриці стекол вказаних систем під час їх кристалізації, відповідає структурі кристалічного сульфойодиду сурми.

Розглянуто вплив технологічних умов одержання, опромінювання та відпалу на структуру ближнього порядку стекол і плівок у системі миш'як - сірка - селен.

Досліджено температурні залежності діелектричних параметрів (<$E epsilon> і <$E tg delta>) і краю фундаментального вбирання халькогенідного скла (SbSI)0,90(As2S3)0,10. На температурних залежностях <$E epsilon> і <$E tg delta> виявлено аномалії, пов'язані з переходом скла у полярний стан при структурній релаксації з наступною його кристалізацією. Структурна релаксація супроводжується зміною нахилу і положення краю вбирання, а кристалізація скла - різким зростанням <$E epsilon> і <$E tg delta>. На температурних залежностях діелектричних параметрів закристалізованих зразків проявляються аномалії, характерні для сильно розмитого сегнетоелектричного фазового переходу. Збільшення температури відпалу супроводжується зростанням <$E epsilon> і <$E tg delta>. Вплив теплової обробки на властивості одержаних матеріалів інтерпретується в межах розмірного ефекту.

Досліджено криві інтенсивності розсіяння рентгенівських променів, ІЧ- та КР-спектри стекол системи сурма - сірка. Визначено типи зв'язків, основні структурні одиниці та структурні параметри. Встановлено, що матрицю стекол побудовано переважно пірамідальними молекулами SbS3, зв'язаними між собою через двічі координовані атоми сірки. В структурі стекол виявлено структурні угрупування з гомеополярними зв'язками S - S і Sb - Sb, концентрація яких залежить від хімічного складу. Зроблено висновок про мікрогетерогенну будову стекол системи сурма - сірка.

Наведено результати досліджень температурних та баричних залежностей краю фундаментального поглинання стекол As40S60-xSex (<$E 0~symbol Г~ x~symbol Г~20>). Встановлено, що збільшення вмісту селену у складі стекол, температури, тиску призводить до зсуву краю поглинання у довгохвильову область. Визначено значення енергетичного положення краю поглинання <$E {roman E} sub g sup alpha>. На ізоабсорбційних кривих <$E {roman E} sub g sup alpha> ~ f(p) невідпалених стекол за певних тисків Pк виявлено злами, зумовлені виключенням впливу флуктуаційного вільного об'єму на їх структурне упорядкування.

Розроблено установку для дослідження кінетики рідинного травлення тонких плівок халькогенідних склоподібних матеріалів (неорганічних резистів) і одержання інформаційного мікрорельєфу в статичному, динамічному з циркуляцією та динамічному з утилізацією травника режимах в інтервалі температур 293 - 353 K.

Наведено результати досліджень спектрів пропускання тонких плівок GeS2, Ge2S3 і As2S3 залежно від умов експонування. Встановлено, що фотоекспонування плівок GeS2 і Ge2S3 призводить до зсуву краю поглинання у короткохвильову, а плівок As2S3 - у довгохвильову область спектра. Визначено значення ширини псевдозабороненої зони <$E E sub g> і показника заломлення n плівок. Зміни оптичних параметрів плівок обумовлені фотоструктурними перетвореннями, які проходять у них у процесі опромінення.

Розроблено апарат квазікласичних асимптотик для рівняння Дірака зі скалярно-векторним зв'язком. Проведено узагальнення умови квантування Бора-Зоммерфельда та формули Гамова для ширини квазістаціонарного рівня з урахуванням релятивістських ефектів, спіну і лоренц-структури потенціалів взаємодії. Сформульовано релятивістську потенціальну модель, розглянуто прості асимптотичні формули для енергетичного і масового спектрів, середніх радіусів та хвильових функцій важко-легких <$ED-,~D sub s -,~B-> і <$EB sub s>-мезонів, які забезпечують високу точність розрахунків для станів з радіальним квантовим числом <$En sub r> ~ 1. Описано релятивістську квазікласичну теорію іонізації кулонівської системи радіально-сталими скалярним та електричним зовнішніми полями. Визначено залежність ширини Г підбар'єрних резонансів від енергії зв'язаного рівня та коефіцієнта змішування <$Elambda> скалярного і векторного далекодіючих потенціалів. Проаналізовано додатковий сфероїдальний інтеграл руху та групу динамічної симетрії в модельній квантово-механічній задачі двох центрів <$EqZ sub 1 Z sub 2 omega> з кулонівською і осциляторною взаємодіями, досліджено групові та асимптотичні властивості її розв'язків.

Досліджено структуру та властивості стекол і плівок у системах As(Sb) - S(Se) та їх трансформації залежно від хімічного складу, умов одержання, за дії опромінення та відпалу, а також можливості використання цих матеріалів як неорганічних резистів з високою роздільною здатністю для голографії, лазерної й оптичної літографії. Здійснено розрахунок критичних швидкостей розплавів, визначено оптимальні режими синтезу стекол та одержання плівок на їх основі. Досліджено фізико-хімічні та кристалізаційні параметри стекол, установлено взаємозв'язок особливостей композиційних залежностей цих параметрів зі станом відповідних систем (за кінетичними діаграмами) та структурою скла. Показано, що всі досліджені стекла та плівки мають мікрогетерогенну будову. Для більшості вивчених матеріалів у системах A - B (A - As, Sb; B - S, Se) характерна двовимірна сітчаста структура на основі пірамідальних угрупувань <$Eroman AB sub {3"/"2 }>, яка містить значну кількість структурних фрагментів з гомополярними зв'язками A - A і B - B, за цього їх кількість у плівках є набагато більшою, ніж у склах ідентичних складів. Досліджено вплив опромінення та відпалу на структуру й оптичні властивості плівок <$Eroman As sub 40 roman S sub {60~-~x } roman Se sub x ~(0~ symbol Г ~x~ symbol Г ~20>). Показано, що їх дія призводить до полімеризації молекулярних груп <$Eroman {As sub 4 S(Se) sub 4 }> <$Eroman {S(Se)} sub n> у матриці плівки, яка супроводжується зсувом краю поглинання в довгохвильову область і зростанням показника заломлення. Установлено роль у цьому процесі структурних дефектів над- і недокоординованих атомів

Висвітлено закономірності впливу хімічного складу, умов одержання та зовнішніх чинників (температура, тиск, електричне поле, опромінення) на формування структури, фізико-хімічні й оптичні параметири некристалічних халькогенідів миш'яку та сурми, а також можливості їх використання як елементів оптоелектроніки, наносенсорики, голографії, систем запису та збереження інформації, сегнетоелектричної пам'яті. Наведено результати розрахунку критичних швидкостей охолодження розплавів, визначено оптимальні режими синтезу стекол і одержання плівок на їх основі. Показано, що одержання стекол в сурм'яновмісних системах можливо тільки за умов жорсткого гартування розплавів. Проаналізовано фізико-хімічні та кристалізаційні параметри стекол, розглянуто взаємозв'язок особливостей композиційних залежностей цих параметрів з кінетичними діаграмами стану відповідних систем і структурою стекол. Встановлено, що всі досліджені стекла та плівки мають мікрогетерогенну будову. Охарактеризовано закономірності впливу умов модифікування на електрофізичні, фотоелектричні, діелектричні властивості й електронну структуру стекол, механізми провідності та види поляризації. Вивчено оптичні властивості халькогенідних стекол і плівок, а також вплив на них температури, тиску й опромінення. Показано, що фотоекспонування та відпал призводять до полімеризації молекулярних груп у матриці плівок, яка супроводжується зменшенням кількості гомополярних зв'язків, зсувом краю поглинання у довгохвильову область спектра та зростанням показника заломлення.

Висвітлено класифікацію та ієрархію речовин різної природи, особливості структури аморфних матеріалів та плівок, стекол. Розкрито особливості аморфного стану речовин з халькогенами, специфіку структури невпорядкованого конденсованого стану. Розглянуто методи опису структури та визначення параметрів ближнього порядку аморфних речовин (АР). Проаналізовано вплив термодинамічної метастабільності на структурні параметри АР.

Освещены классификация и иерархия веществ разной природы, особенности структуры аморфных материалов и пленок, стекол. Раскрыты особенности аморфного состояния веществ с халькогенами, специфика структуры неупорядоченного конденсированного состояния. Рассмотрены методы описания структуры и определения параметров ближнего порядка аморфных веществ (АВ). Проанализировано влияние термодинамической метастабильности на структурные параметры АВ.

Висвітлено умови та методи одержання аморфних халькогенідів (АХ). Проаналізовано процеси утворення аморфного стану речовин, склад і енергетичний стан парового (плазмового) потоку за конденсації аморфних плівок халькогенідів. Розглянуто питання формування аморфних плівок за умов вакуумної конденсації. Визначено фактори аморфізації за конденсації тонких плівок. Розкрито особливості структури АХ, локальну координацію склотвірних сполук і трансформацію квазімолекулярних структурних одиниць у бінарних сплавах, конфігурацію дефектів у бінарних склоподібних сплавах.

Освещены условия и методы получения аморфных халькогенидов (АХ). Проанализированы процессы образования аморфного состояния веществ, состав и энергетическое состояние парового (плазменного) потока при конденсации аморфных пленок халькогенидов. Рассмотрены вопросы формирования аморфных пленок в условиях вакуумной конденсации. Определены факторы аморфизации при конденсации тонких пленок. Раскрыты особенности структуры АХ, локальная координация стеклообразовательных соединений и трансформация квазимолекулярных структурных единиц в бинарных сплавах, конфигурация дефектов в бинарных стеклообразных сплавах.