Висвітлено основні уявлення про розсіювання носіїв струму на поверхні металів. Розглянуто фізичну картину поверхнево-чутливих гальваномагнітних розмірних явищ - поперечного магнетоопору, статичного скін-ефекту, осциляцій Зондгеймера, фокусування електронів провідності. Розглянуто застосування цих явищ для вивчення особливостей поверхневого розсіювання носіїв струму, в тому числі з участю процесів електронно-діркових перекидань. Розглянуто дифракцію носіїв струму на адсорбованих субмоношарових гратках адсорбатів. Викладено перспективу застосування даних явищ для дослідження адсорбції та впорядкування субмоношарових адсорбованих плівок різної симетрії та хімічного складу.

Досліджено теоретичні засади формування стратегічної поведінки пострадянських підприємств у післяприватизаційному періоді. З застосуванням адекватного методологічного інструментарію для відображення процесів функціонування та відтворення підприємства за умов сучасних економічних трансформацій обгрунтовано інтегральну версію теорії підприємства як господарського феномену. Визначено взаємозв'язок між адаптаційною поведінкою підприємств та характером впровадження в Україні економіко-інституціальних перетворень. Виявлено причини реструктуризації прав власності в національних економіках, де процеси приватизації розглянуто як механізми їх розподілу. Досліджено взаємозв'язок між реалізованою в Україні технологією "сертифікатної" мікроприватизації та напрямами оптимізації стратегії розвитку підприємств у післяприватизаційному періоді. Доведено пріоритетність застосування за умов перехідного періоду положень теорії конкурентних переваг як основи стратегічного розвитку вітчизняних підприємств. Обгрунтовано напрями реалізації товарної стратегії підприємств, спрямовані на забезпечення їх конкурентоздатності.

Представлены результаты экспериментальных исследований рассеяния носителей тока на атомно-чистой поверхности Mo(110), покрытой адсорбированными субмонослойными плёнками Tb. Использован неразрушающий экспериментальный метод, основанный на гальваномагнитном размерном явлении - статическом скин-эффекте, и диодный метод измерения работы выхода. Эксперименты выполнялись в сверхвысоковакуумном стеклянном приборе при остаточном давлении ~ 10<^>-11 торр, в диапазоне температур 4,2 - 2500 К, при напряжённости постоянного магнитного поля 10 кЭ. Измерялось магнетосопротивление и работа выхода монокристаллической пластины Mo(110), находящейся в условиях статического скин-эффекта, при адсорбции и упорядочении субмонослойных плёнок Tb, напылённых при температуре 4,2 и 800 К. Измерялось также изменение магнетосопротивления при отжиге напылённых субмонослойных плёнок. Установлено, что вблизи монослойного и полумонослойного покрытий Tb, при которых формируются двумерные ГПУ- и <$E c ( 1~times~3)>-решётки адсорбата, доминирующим является дифракционный механизм поверхностного рассеяния. Для этого случая выполнен качественный анализ переходов носителей при рассеянии на упорядоченных субмонослойных структурах Tb. Анализ поверхностного рассеяния при малых покрытиях позволяет заключить, что в этом случае наиболее вероятным механизмом является Кондо-рассеяние на адсорбированных магнитных примесях Tb.

Наведено огляд експериментальних досліджень розсіювання носіїв струму на атомночистих і вкритих моношарами водню (дейтерію) поверхнях Mo(110) і W(110), яке відбувається за участю поверхневих електронних станів, а також механізмів розсіювання носіїв струму спін-поляризованих поверхневих електронних станів епітаксійних наноплівок Ві(111) з атомночистою і вкритою надмалими покриттями магнітних і немагнітних адатомів поверхнею.

В магнетотранспортних експериментах встановлено домінування дифракційного механізму розсіювання електронів провідності на поверхнях W(100)- c(2х2)D, W(100)-(1x1)2D, Мо(110)-с(1хЗ)Тb і Мo(110)-ГЩУ-Тb та Кондо-розсіювання на адатомах Тb на поверхні Мо(110). Розкрито роль поверхневих електронних станів при розсіюванні на поверхнях W, Мо(110)-(1x1)H, D. Дослідженя розсіювання носіїв струму поверхневих електронних станів наноплівок Ві(111) на адатомах Ві, Sb, Сo, Fe, Tb і Cr показали спрощеність моделі локального порушення симетрії інверсії часу при розсіюванні носіїв струму спін-розщеплених поверхневих електронних станів на магнітних адатомах. Наведено також результати дослідження атомної структури поверхонь W, Мо(100)-(1х1)Н і Мо(110)-(2х2)2Н, незаповнених електронних станів на поверхні W(100) з покриттями адатомів Dy, росту сходинкових наноплівок Ві та методів компенсації плаваючого потенціалу мішені за іоного очищення.