Вивчено вплив термообробки при T = 155 і 205 <$E symbol Р>C протягом 1 год на низькотемпературну (4,5 К) фотолюмінесценцію (НФЛ) кристалів <$E {roman Cd} sub 1-x {roman Zn} sub x roman Te> (<$E x~symbol Ы~0,1>), вирізаних з приконтактної та віддаленої від контактів областей детектора радіаційного випромінювання на їх основі. Показано, що відпал за вказаних температур призводить до певних змін в спектрах НФЛ обох груп кристалів: досить помітних як для <$E T~=~155~symbol Р>C, так і для $E T~=~205~symbol Р>C. Крім того, відпал при T = 155, 205 <$E symbol Р>C кристалів, вирізаних з приконтактної області детектора, призводить до появи в спектрах НФЛ смуг, зумовлених дефектами іншої природи. Зазначені закономірності змін, викликаних відпалом, зумовлені анігіляцією та генерацією центрів люмінесценції і взаємодією проникаючих із золотих контактів в приконтактну область атомів Au з дефектами гратки, а також особливостями дифузії атомів Cd з об'єму кристала CdZnTe в золотий контакт детектора.

Досліджено дефектні стани, створювані залишковими домішками та дефектами гратки, їх взаємодію між собою і з екситонами, а також вплив цієї взаємодії на енергетичну структуру напівізолювального спеціально нелегованого арсеніду галію. Експериментально показано, що в напівізолювальному GaAs спостерігається значна взаємодія дефектних станів (домішок між собою та з дефектами гратки, домішок з вільними екситонами). Визначено роль домішки вуглецю в утворенні дивакансій галію. Отримано залежність між концентрацією вуглецю і концентрацією дивакансій галію та запропоновано модель, що пояснює цю залежність. Доведено, що смуга випромінювання з положенням максимуму h nu = 1,5133 eВ зумовлена випромінювальною анігіляцією екситонів, зв'язаних із дрібними іонізованими донорами D⁺. Встановлено вплив термообробки кристалів напівізолювального GaAs за 900 ° C протягом 20 - 90 хв на домішковий склад досліджуваних зразків, зокрема, підвищення концентрації акцепторів і немонотонну зміну концентрації донорів. Запропоновано безконтактний експресний метод визначення кількісного вмісту вуглецю, цинку та кремнію в напівізолювальному GaAs.

Проаналізовано вплив сучасного інформаційного простору на людину. Розкрито соціально-психологічні механізми взаємодії виробника і споживача інформації за умов українського медіапростору, особливості перегляду дітьми мультфільмів, користування інтернетом. Висвітлено стан медіакультури української молоді на підставі новітніх медіапсихологічних досліджень. Вивчено досвід медіаосвіти закордонних країн, описано вітчизняну модель медіаосвіти.

Вивчено вплив опромінення різними потоками <$Egamma>-квантів (доза 10 - 100 кГр) на низькотемпературну (T = 5 К) фотолюмінесценцію кристалів <$E {roman Cd} sub 1-x {roman Zn} sub x roman Te> (x = 0,05). Спостережено стимульовані <$E gamma>-опроміненням: суттєве зменшення інтенсивностей вихідних (ростових) смуг люмінесценції - дефектної (hvm = 1,409 еВ), зумовленої донорно-акцепторними парами (hvm = 1, 547 еВ), мілкими акцепторами (hvm = 1, 556 еВ) та зумовлених зв'язаними на мілких нейтральних акцепторах і донорах екситонами (hvm = 1,592 еВ та hvm = 1, 599 еВ відповідно) внаслідок зменшення концентрації відповідних центрів люмінесценції завдяки їх взаємодії з радіаційними дефектами; появу нових смуг люмінесценції, зумовлених, ймовірно, радіаційно-стимульованими вакансіями кадмію <$EV sub roman Cd> зв'язаними з іншими дефектами (hvm = 1,548 еВ) та ізольованими вакансіями кадмію (hvm = 1,557 еВ), а також екситонами, зв'язаними на вказаних вакансіях кадмію (hvm = 1,590 еВ). Інтенсивність радіаційно-стимульованих смуг немонотонно змінюється зі збільшенням дози <$E gamma>-опромінення.

З метою визначення відмінностей у спектрах низькотемпературної фотолюмінесценції, властивих об'ємному кристалу CdZnTe і кристалу зі сформованими на його поверхні квантово-розмірними структурами, та з'ясування їх фізичної природи вивчено фотолюмінесцентні спектри обох типів кристалів за температури T = 5 K. Внаслідок їх аналізу встановлено, що сформовані на поверхні кристала наноструктури призводять до зміщення енергетичного положення екситонних смуг у короткохвильову область, тобто до збільшення ширини забороненої зони напівпровідника в приповерхневій області, що пов'язано з особливостями ефекту екситонного квантового обмеження.

Досліджено оптичні властивості (спектри пропускання в діапазоні 800 - 1100 нм, спектри пропускання та відбивання в діапазоні 1,4 - 25 мкм і спектри фотолюмінесценції за температури T = 5 K в енергетичному діапазоні 1,35 - 1,7 еВ) високоомних монокристалів CdTe орієнтації (111) з питомим опором <$E rho~=~(2~symbol Ш~5)~10 sup 9> Oм <$E cdot> cм, легованих хлором, так і твердих розчинів Cd1-xZnxTe (x = 0,1) з питомим опором <$E rho~=~5~cdot~10 sup 9~-~3~cdot~10 sup 10> Ом <$E cdot> см. Визначено, що фундаментальний оптичний перехід <$E E sub 0> для CdTe за температури 300 K дорівнює 1,44 і 1,5 еВ для Cd1-xZnxTe, а температурний коефіцієнт зміни ширини забороненої зони <$E dE sub g "/" dT> рівний <$E 5,32~cdot~10 sup -4> еВ/К для CdTe та <$E 5,2~cdot~10 sup -4> еВ/К для Cd1-xZnxTe.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223 + В379.24

Рубрики:

Тверді розчини напівпровідників

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України