З використанням методу раманівського розсіювання досліджено вплив окремих структурних груп на механізми формування низькотемпературних фероелектричної, антифероелектричної фаз та фази структурного скла в змішаних кристалах <$Eroman K sub {1~-~x } ( roman NH sub 4 ) sub x roman {H sub 2 PO sub 4 }> і <$Eroman Rb sub {1~-~x } (roman NH sub 4 ) sub x roman {H sub 2 PO sub 4 }>, а також розвинуто уявлення стосовно механізму антифероелектричного фазового переходу в кристалах сімейства KDP. Експериментально одержано та ідентифіковано поляризовані раманівські спектри в кристалі <$Eroman K sub 0,26 (roman {NH sub 4 ) sub 0,74 H sub 2 PO sub 4 }> в антифероелектричній фазі у діапазоні частот <$E0~ symbol Ш ~3500 roman см sup -1>. Визначено величини енергії активації переорієнтаційних процесів за участю іонів амонію. Доведено нефіксоване положення іонів <$Eroman NH sub 4 sup +> в решітці змішаних кристалів у параелектричній фазі. Встановлено, що перестрибкові процеси, пов'язані зі зміною положення центра мас іонів амонію, модулюють усі внутрішні коливання іонів амонію, а також лібраційні коливання фосфатних іонів. Визначено, що формування стану дипольного скла відбувається в два етапи: за температур 110 - 120 К має місце фіксація іонів <$Eroman NH sub 4 sup +> у решітці змішаних кристалів, що призводить до формування антифероелектричних кластерів; за температур 50 - 70 К відбувається утворення фероелектричної кластерної структури. Доведено, що стан дипольного скла неоднорідний та є сукупністю фероелектричних і антифероелектричних кластерів та "замерзлої" параелектричної фази.