Рассмотрены основные признаки, характеризующие научную школу А.Ф.Иоффе. Описана предложенная Иоффе и внедренная им в практику концепция естественно-научного и технического образования. Освещены взгляды Иоффе на исследования по междисциплинарным научным направлениям на стыке различных научных дисциплин, на изобретательскую деятельность ученых и инженеров. Отмечены близость принципов, заложенных в основу школы Иоффе, идеям и технологиям современной рыночной, инновационной экономики.

The basic attributes describing scientific school A. F. Ioffe are considered. The concept of natural-scientific and technical education is described offered Ioffe and introduced by him in practice. The sights Ioffe on researches on interdisciplinary scientific directions on a joint of various scientific disciplines, on inventions activity of the scientists and engineers are stated. The affinity of principles incorporated in a basis of school Ioffe, ideas and technologies modern market, of innovetionseconomy is marked.

Теоретически и экспериментально подтверждено, что результатом воздействия мощного микроволнового излучения на полупроводниковые диодные структуры в цепях СВЧ может стать качественное изменение вида их статических характеристик. В частности, возможно появление или исчезновение падающих участков с отрицательными сопротивлением или проводимостью, являющимися одной из причин обратимых отказов радиоэлектронных устройств на основе диодных структур.

Исследована возможность использования для измерения параметров материалов волноводного резонатора, образованного емкостной диафрагмой и отстоящим от нее на расстоянии <$E lambda sub roman b "/" 100> короткозамыкателем, где <$E lambda sub roman b> - длина волны в волноводе. Показано, что предложенный резонатор может быть использован для измерений в диапазоне СВЧ ( в том числе в коротковолновой его части) диэлектрической проницаемости и проводимости материалов малых объемов.

Показано, что создание условий для преимущественного возбуждения одного из возможных высших типов колебаний в системе емкостная диафрагма - короткозамыкающий поршень путем создания выступов и впадин в щели в количестве, соответствующем индексам этого типа, приводит к существенному (примерно в два раза) уменьшению ширины резонансной кривой.

Показано, что для систем СВЧ, выполненных из немагнитных материалов, в которых реализованы условия для резонанса, можно наблюдать сильную зависимость их электродинамических характеристик от величины приложенного магнитного поля, обусловленную возникновением холловской составляющей тока СВЧ, протекающего в помещенных в них полупроводниковых вставках и в металлических стенках.

Теоретически и экспериментально исследована электродинамическая система металлический штырь с зазором - близкорасположенный короткозамыкающий поршень. Показано, что такая система может быть успешно использована при создании СВЧ устройств с уменьшенными габаритами, характеристиками которых можно эффективно управлять магнитным полем.

С использованием вариационнного метода построен алгоритм, позволяющий рассчитывать матрицу сопротивления системы диафрагма - бизкорасположенный короткозамыкающий поршень. Рассчитаны зависимости частотных характеристик системы от размеров и положения апертуры в диафрагме и расстояния между диафрагмой и поршнем. Получено хорошее совпадение результатов теории и эксперимента.

Экспериментально установлено, что частотой генерации диода Ганна, размещенного в низкоразмерной резонансной системе металлический штырь - близко расположенный короткозамыкатель, можно эффективно управлять магнитным полем, приложенным перпендикулярно широкой стенке волновода.

Показана теоретически и подтверждена экспериментально возможность создания широкополосной согласованной нагрузки на основе фотонных кристаллов, состоящих из чередующихся нанометровых металлических и диэлектрических слоев с различными электрофизическими параметрами.

Показана возможность создания миниатюрного пассивного индуктивного элемента, перестраиваемого под воздействием электрического поля. Приведены экспериментальные зависимости характеристик такой катушки от величины управляющего напряжения. Даны рекомендации по практическому применению индуктивных элементов предлагаемой конструкции.

Показана можливість створення мініатюрного пасивного індуктивного елемента, що перестроюється під впливом електричного поля. Наведено експериментальні залежності характеристик такої котушки від величини керувальної напруги, а також рекомендації щодо практичного застосування індуктивних елементів пропонованої конструкції.

The possibility of creation a miniature passive electrical field controlled inductive unit has been shown. The experimental dependences of such inductance on the control pressure value have been presented. The recommendations on practical applicationof the proposed construction inductive elements have been given.

Предложен низкоразмерный высокодобротный СВЧ резонатор с частотными характеристиками, электрически перестраиваемыми с помощью полупроводникового диода с переменной емкостью. Исследованы частотные характеристики данного резонатора.

Рассмотрена возможность создания узкополосных электрически управляемых СВЧ-выключателей и переключателей с повышенным уровнем затухания в режиме запирания на базе структуры, содержащей короткозамкнутый отрезок микрополосковой линии передачи с подключенным конденсатором и петлевым элементом связи, в центре которого расположен p - i - n-диод.

Предложена теоретическая модель плоской пассивной катушки индуктивности с электронным управлением. Приведены расчетные графики зависимости добротности и индуктивности колебательного контура от напряжения прямого смещения n-i-p-i-n-структуры, используемой в качестве специфического сердечника, свойства которого изменяются под воздействием приложенного электрического поля. Сравнение расчетных значений с экспериментальными показало их хорошее соответствие друг другу.

Запропоновано теоретичну модель плоскої пасивної котушки індуктивності з електронним управлінням. Наведено розрахункові графіки залежності добротності та індуктивності коливального контуру від напруги прямого зміщення n-i-p-i-n-структури, що використовується як специфічне осердя, властивості якого змінюються під дією прикладеного електричного поля. Порівняння розрахованих значень з експериментальними показало їх добру відповідність одне одному.

A theoretical model of a passive flat inductor with electronic control is offered. Design charts of tank inductance and Q factor dependence on the forward bias voltage of n-i-p-i-n-structure, used as a specific core, the characteristics of which are regulated under the influence of an applied electric field, are presented. The comparison of design values with experimental features has shown their good correspondence with each other.

Проведен численный расчет стационарного распределения электрического поля и концентрации носителей заряда в диоде Ганна для одномерного случая, а также экспериментальные исследования этих характеристик с помощью ближнеполевого СВЧ микроскопа. Показана принципиальная важность учета зависимости коэффициента диффузии основных носителей заряда от электрического поля при описании процессов, протекающих в диодах Ганна. Численные результаты качественно согласуются с проведенным экспериментом.