Наведено математичну модель процесу сушіння керамічних виробів, яка дозволяє вибрати оптимальні параметри сушіння. Подано метод розв'язку системи рівнянь процесу.

Рассмотрены общие принципы получения многокомпонентных (конденсационных) покрытий с использованием вакуумной техники. Разработана их классификация, систематизированы и обобщены результаты научных исследований в этой области. Рассмотрены физические процесы, технологические и конструкционные параметры, влияющие на состав и структуру, распределение по толщине и составу, адгезию, механические, коррозионные и другие свойства покрытий. Предложены модели формирования многокомпонентных конденсационных покрытий.

На основе комплексного экспериментального исследования выявлены особенности формирования поляризованного состояния и его релаксации в пленках поливинилиденфторида и его сополимера, электризованных в коронном разряде и предназначенных для изготовления пиро- и пьезоэлектрических сенсоров. Установлено, что поляризация и объемный заряд взаимосвязаны, образуя самосогласованную систему, стабильность которой в основном определяется захваченными в объеме зарядами. Показано, что захват зарядов происходит в макроскопических переходных областях, находящихся на границах полностью поляризованных частей объема. Захваченные заряды играют важную роль в стабильности поляризации, так как они нейтрализуют деполяризующее поле.

Вивчено струми термостимульованої деполяризації та кінетику електретного потенціалу плівок полістиролу, легованих оптично активною домішкою ДР1 та електризованих у коронному розряді. Встановлено, що крім накопичення заряду на поверхні плівки, яка бомбардується іонами, відбувається часткова інжекція зарядів в об'єм з їх наступним дрейфом у полі, створеному поверхневим та об'ємним зарядами. Застосування трьох модифікацій методу термостимульованої деполяризації дозволило розділити процеси релаксації дипольної поляризації, об'ємного та поверхневого зарядів. Показано, що найбільш термостабільним є поверхневий заряд. Проаналізовано переваги методу електризації нелінійних оптичних полімерів у коронному розряді.

З використанням короткозамкненої та розімкненої модифікацій методу термостимульованої деполяризації виміряно релаксаційні струми в діапазоні температур 10 - 120 <$E symbol Р>C в плівках сополімеру П(ВДФ-ТФЕ), які були електризовані в коронному розряді та витримані протягом або однієї доби, або 16-ти місяців після електризації. Встановлено, що розподіл піків на термограмах під час старіння плівок пов'язано з релаксацією електретної та сегнетоелектричної компоненти залишкової поляризації. Теоретична обробка піків об'ємного заряду, яка була проведена в наближенні розтягнутої експоненти, підтвердила високу стабільність захопленого заряду. Одержано експериментальне підтвердження наявності двох видів компенсуючих зарядів в сегнетоелектричних полімерах.

Дисертація присвячена комплексному дослідженню впливу опромінення великими дозами gamma-квантів і швидких нейтронів на електричні, оптичні і фотоелектричні властивості спеціально нелегованих монокристалів CdSb. Встановлено вплив структурних дефектів в нейтронно опромінених кристалах CdSb на стан поверхні зразків і досліджено відпал радіаційних дефектів в них. Виявлено, що дефекти відповідальні за провідність при Т = 77 К відпалюються в широкій температурній області (до 130 °C), а центри з рівнем E_c - 0,16 eB починають відпалюватися при t = 80 °C. На основі запропонованої моделі пояснено особливості домішкової фотопровідності в монокристалах CdS з неоднорідним розподілом структурних дефектів. Показано, що при електронному опроміненні Cds-монокристалів швидкість введення первинних дефектів різна в обох його підгратках і експериментально встановлено основні високотемпературні стадії відпалу цих дефектів.

Рассмотрены современные виды упаковок пищевых продуктов на основе биополимерных, электретных и нанокомпозитных материалов. Проанализированы основные физико-химические свойства и технологии получения таких материалов. Дана детальная характеристика активной упаковки для некоторых пищевых продуктов: хлеба и хлебобулочных изделий, овощей и фруктов, молочных продуктов, рыбы и морепродуктов. Приведена информация о съедобных пленках, антимикробных пленках и покрытиях, полимерной упаковке на основе электретов, а также об интеллектуальных упаковках пищевых продуктов, упаковках на основе биоразлагаемых полимеров. Рассмотрены новейшие тенденции в области разработки и применения упаковочных материалов.

Рассмотрены физико-химические свойства, технологии получения и виды полимерных материалов, применяемых для упаковки пищевых продуктов. Освещены современные тенденции в области разработки и применения полимерных упаковочных материалов. Раскрыты особенности физического и химического взаимодействия между полимером и пищевым продуктом. Охарактеризованы такие полимерные материалы, как полиэтилен, полипропилен, полистирол, полиамид, поливинилхлорид, циклические олефиновые сополимеры, термоактивные полимеры, силиконы, синтетический каучук. Дана информация о способах производства полимерных пленок, полимерных добавках, особенностях полимерной упаковки молочных, рыбных, мясных продуктов, хлебобулочных изделий, овощей, продуктов глубокой заморозки, сухих напитков. Увделено внимание экологическому аспекту использования полимерных упаковочных материалов.

Исследованы монокристаллы n-Si с исходной концентрацией носителей тока 1,24 <195> 10<^>14 см<^>-3, облученные гамма-квантами Co<^>60 дозой 3,8 <195> 10<^>17 кв/см<^>2. Исследовано пьезосопротивление гамма-облученных кристаллов n-Si при условии, когда X || J || [100] и X || J || [110]. Представлен метод расчета скорости смещения и оценена степень заполнения альфа глубоких уровней. Вычислена величина изменения энергетического зазора между глубоким энергетическим уровнем EC - 0,17 эВ и нижними долинами зоны проводимости n-Si при одноосной упругой деформации вдоль кристаллографических направлений [100] и [110]. Определено среднее значение коэффициента альфа (степень заполнения глубоких энергетических уровней) для разных температур.

Досліджено вплив одновісної пружної деформації на величину зміни положення глибокого енергетичного рівня золота EC - 0,2 еВ в n-Ge за даними п'єзоопору у широкій області механічних напруг X = 0 - 1,2 ГПа для X||J||[110] та X||J||[100]. Представлено метод розрахунку швидкості зміщення глибоких рівнів та оцінено ступінь їх заповнення alpha за одновісної деформації. Обчислено величину зміни енергетичної щілини між глибоким енергетичним рівнем EC - 0,2 еВ і долинами зони провідності n-Ge<> за деформації вздовж кристалографічних напрямків [110] і [100]. Визначено середнє значення коефіцієнта alpha (ступінь заповнення глибоких енергетичних рівнів) для різних температур.

Технічні характеристики сенсорів залежать від температури навколишнього середовища. Встановлено, що для досягнення довгострокової стабільності за підвищених температур необхідно проводити попередній відпал, причому температура відпалу повинна бути трохи вище передбачуваної температури експлуатації. Тоді властивості сенсора залишаються незмінними протягом тривалого часу. На основі досліджень зроблено висновок про те, що максимальна температура експлуатації розроблених піро- і п'єзоелектричних сенсорів не повинна перевищувати 80 <$E symbol Р>C. Стосовно ж нижньої межі діапазону робочих температур, вважається за доцільне встановити її на рівні -20...-25 <$E symbol Р>C, враховуючи зменшення коефіцієнтів, а також те, що температура склування аморфної фази ПВДФ складає -40...-50 <$E symbol Р>C.

Розглянуто вплив одновісного тиску на рухливість носіїв струму у кристалах n-Si та p-Si, який використовується під час виготовлення n-МОН і p-МОН транзисторів. Представлено залежності поздовжнього та поперечного тензорезистивних ефектів (ТРЕ), одержані у кремнії p-типу для головних кристалографічних орієнтацій X||[100], X||[110], X||[111]. Стрімке зменшення поздовжнього ТРЕ в p-Si зі збільшенням тиску пов'язано зі зменшенням поздовжньої ефективної маси важких дірок і відповідним збільшенням їх рухливості у разі зростання X. У кремнії n-типу зі збільшенням одновісного тиску X||[100] відбувається повне усунення f-переходів із міждолинного розсіювання у разі великого енергетичного розщеплення однотипних <$E DELTA sub 1>-долин (<$E DELTA epsilon~>>~10> кТ), що веде до зростання у цьому випадку рухливості електронів у температурному інтервалі 78 - 300 K. На величину рухливості електронів у цьому температурному інтервалі зміна g-переходів у разі розщеплення однотипних <$E DELTA sub 1> долин не впливає. Наведено технологічні розробки, які використовує фірма "Intel Corporation" під час виробництва інтегральних мікросхем із одновісно-деформованими каналами МОН транзисторів.

Досліджено п'єзоопір <$E gamma>-опромінених кристалів n-Si за умови, коли X||J||[111]. Визначено величину зміни енергетичної щілини між глибоким енергетичним рівнем EC - 0,17 еВ і долинами зони провідності n-Si за одновісної деформації вздовж кристалографічного напрямку [111]. Показано, що для даного кристалографічного напрямку баричний коефіцієнт зміни енергетичної щілини є незначним, оскільки зміщення самого глибокого рівня EC - 0,17 еВ і долин зони провідності n-Si у процесі деформації є практично однаковими за величиною.

Досліджено вплив сильної одновісної пружної деформації на електрофізичні властивості n-Si та n-Si з ізовалентною домішкою германію. Для пружно деформованих кристалів n-Si та n-Si з ізовалентною домішкою германію вздовж кристалографічного напрямку [100] характерною особливістю температурних залежностей <$E roman lg~rho~=~f( roman lg T)> є перехід від нахилу 1,68 до 1,83, що пояснюється активним вкладом g-переходів у міждолинне розсіяння за <$E T~>>~330> K. У цьому випадку знімаються f-переходи з міждолинного розсіювання і рухливість електронів зростає, що можна використовувити для підвищення рухливості носіїв струму в каналах n-МОН транзисторів.

З використанням вимірювання ізотермічних зарядних і розрядних струмів в електризованих плівках поліетилентерафталату (ПЕТФ) за різних напруг і температур, розрахунку параметрів діелектричної релаксації на інфранизьких частотах за методикою Хамона, вимірювання струмів ТСД досліджено електретний ефект у плівках ПЕТФ і встановлено, що внутрішня поляризація (гетерозаряд) у ПЕТФ є менш стабільною, ніж гомозаряд. Надано якісну модель електретного ефекту в плівках ПЕТФ.

У діапазоні механічних напруг 0 ÷ 1,2 ГПа оцінено зміни енергетичної щілини між нижніми долинами зони провідності та глибокими рівнями \i E{\dn\fs8 c} \i0 - 0,2 еВ (радіаційних дефектів і золота) у n-Ge і \i E{\dn\fs8 c} \i0 - 0,17 еВ у n-Si для головних кристалографічних напрямків. За температур 290 ÷ 380 К у n-Ge зміна питомого опору від механічного навантаження пояснюється впливом Δ-долин зони провідності на характер перерозподілу носіїв заряду в С-зоні. У γ-опроміненому n-Ge виявлено можливість регулювання освітленням і деформацією впливу шаруватих періодичних неоднорідностей на кінетичні ефекти. Зі збільшенням інтенсивності підсвітки зростає параметр анізотропії рухливості \i К = μ{\dn\fs8 ⊥}/μ{\dn\fs8 II} \i0 неоднаково дня різних умов. Показано, що за температури \i Т \i0 > 330 К в міждолинне розсіяння носіїв струму в n-Si суттєвий вклад будуть вносити \i g\i0-переходи. Виявлено шарувату структуру з декількома типами шарів у CdSb, легованих Те та In, а наявність градієнтів концентрації може призводити до появи внутрішніх електричних полів між шарами росту. Виявлено зміни електрофізичних параметрів після \i γ\i0-опромінення монокристалів n-CdSb, що пояснюються переважним утворенням в матеріалі радіаційних дефектів акцепторного типу, рівні яких знаходяться в нижній половині, тоді як для монокристалів p-CdSb, n-CdSb - введенням більшої кількості радіаційних дефектів донорного типу в порівнянні з кількістю радіаційних акцепторів і зміщенням рівня Фермі під дією опромінення в область дозволених енергій.

Рассмотрены физические процессы формирования и переключения поляризации в полимерных сегнетоэлектриках и ее релаксацию в изотермических и термостимулированных условиях. Получены важные экспериментальные и теоретические результаты, позволяющие понять природу указанных явлений и научно обосновать практические рекомендации по режимам электризации полимерных сегнетоэлектрических пленок, на основе которых разрабатываются пиро- и пьезоэлектрические сенсоры и преобразователи.

Наведено результати досліджень тензорезистивного ефекту в сильно деформованих слабкоізоляторних кристалах p-Si(B) в області <$Esigma sub 2>-провідності для головних кристалографічних напрямків X||[111], X||[110] та X||[001]. Мета роботи - дослідити вплив сильного одновісного тиску на домішкову <$Esigma sub 2>-провідність у кристалах p-Si(B) із концентрацією домішок, яка наближається до критичної концентрації переходу метал-ізолятор та встановити механізми досліджуваних ефектів. Встановлено, що немонотонні залежності <$Erho sub X "/" rho sub 0 ~=~f(X)> поздовжнього тензорезистивного ефекту для головних кристалографічних орієнтацій та їх анізотропія визначаються зміною ефективних мас важких дірок з тиском, зумовленою відповідними закономірностями перебудови енергетичного спектра валентної зони за рахунок зняття виродження зон важких і легких дірок за одновісного тиску.