Наведено результати експериментального дослідження впливу різних структурних дефектів на магнітні властивості промислового Si та Ge. Експериментально доведено існування в Si, вирощеному методом Чохральського, раніше невідомих мікронеоднорідностей просторового розподілу кисню і кисневмісних термічних та радіаційних дефектів, які за певних температур здатні до магнітного упорядкування. Методом вимірювання магнітної сприйнятливості (МС) розкрито природу і тип магнітного впорядкування у пластично деформованих кристалах Si та Ge і визначено, що спричинену цим упорядкуванням появу нелінійності залежностей МС можна ефективно використовувати для детектування наявності неростових дислокацій і контролю якості даних матеріалів. Доведено: відпал двофазних полікристалів системи Si_xNi_{1 - x} (x >= 0,67) за 800 °C спричинює відповідність значень МС закону адаптивності, що є наслідком чіткого розмежування існуючих у них фаз (дисиліциду нікелю та кремнію). Одним із найбільш важливих результатів даного дослідження є широке використання та ефективність методу вимірювання МС у вивченні дефектної структури напівпровідникових матеріалів.