За допомогою методу фототермостимульованої екзоелектронної спектроскопії (ФТСЕЕ) досліджено зразки монокристалічного кремнію з дефектним приповерхневим шаром, створеним низькотемпературною деформацією, внаслідок механічного скрайбування поверхні алмазним різцем (МСПАР). Проаналізовано можливі механізми виникнення максимумів ФТСЕЕ та природу екзоемісійно-активних центрів. На підставі експериментально одержаних спектрів ФТСЕЕ, МСПАР монокристалів кремнію, розраховано параметри кінетики ФТСЕЕ та концентрації емісійно-активних центрів.

Досліджено температурну залежність фотопровідності чистих і легованих йодистим свинцем кристалів йодистого кадмію в температурному діапазоні 4,2 - 80 K. Зі зниженням температури від 70 до 40 K виявлено ріст фотоструму, більший ніж на 4 порядки; для температур <$E T~<<~40> K величина фотоструму практично не залежить від температури до 4,2 K. Результати пояснюються ростом рухливості носіїв заряду у процесі розсіяння на мембранних коливаннях шаруватої кристалічної гратки CdI2, змінами пружних констант та явищем спонтанної деформації кристала в цій температурній області. У кристалічній системі CdI2 - PbI2 за температури <$E T~<<~70> K фотострум зростає менше ніж на 2 порядки, в цьому випадку змінюється і характер його температурної залежності. Обговорено вплив домішки на згинні коливання основної кристалічної гратки.

Експериментально та теоретично досліджено структури центрів люмінесценції та центрів захоплення у кристалічних системах, що складаються з галоїдних сполук кадмію та свинцю. Проведено теоретичні розрахунки спектрів поглинання даних кристалічних систем. За допомогою рентгеноструктурного аналізу визначено вміст свинцю в атомарному та молекулярному вигляді у системі CdI₂ - PbI₂, що складається з ізоструктурних сполук CdBr₂ - PbBr₂. На підставі порівняння результатів теоретичного розрахунку з експериментальними спектрами поглинання, збудження та люмінесценції показано, що активаторні центри люмінесценції, зумовлені домішкою свинцю у кристалічній системі CdI₂ - PbI₂ мають структуру прошарків 2H- і 4H-політипів мікрофази PbI₂. У разі збільшення вмісту домішки до 10 мол. % переважають включення 4H - PbI₂ у кристалічній гратці CdI₂. Проведено розрахунки положення домішкових рівнів і рівня Фермі кристалічної системи CdI₂ - PbI₂. Запропоновано модель фототермічного переходу електрона з домішкового рівня в зону провідності. Введення до кристалічної системи CdBr₂ - PbBr₂ домішки міді дозволяє збільшити спектральну чутливість матеріалу в області 3,7 - 4,1 еВ і використати даний матеріал як дозиметр ультрафіолетового випромінювання.

За допомогою методів атомно-силової мікроскопії та ІЧ спектроскопії з перетворенням Фур'є вивчено топологію поверхні і структуру гібридних органо-неорганічних композитів на основі поруватого кремнію і поліфенілацетилену, а також спектри фото- і катодолюмінесценції одержаних систем. Показано, що зміна випромінювальних властивостей поруватого кремнію у гібридному композиті може відбуватися в результаті пасивації центрів безвипромінювальної рекомбінації поруватого кремнію за рахунок слабкої ковалентної взаємодії полімер - напівпровідник.

Створено плівкові сенсорні елементи на основі гібридних систем полі-3,4-етилендиоксітіофен - нанокристали поруватого кремнію. Методом інфрачервоної спектроскопії вивчено молекулярний склад одержаних матеріалів. Досліджено вплив адсорбції молекул води на електропровідність і ємність гібридних композитів. Зареєстровано суттєву зміну електричної провідності та ємності в залежності від концентрації водяної пари. Для оцінки сенсорних властивостей було розраховано адсорбційну чутливість одержаних гібридних систем та досліджені їх динамічні характеристики.

За допомогою методу повільного випаровування на поверхні поруватого кремнію вирощено оптично прозорі у видимому діапазоні спектра кристали марганцехлорид тетраметиламонію. За допомогою скануючої електронної мікроскопії та ІЧ Фур'є спектроскопії підтверджено формування гібридної структури поруватий кремній-[N(CH3)4]2MnCl4 та досліджено її компонентний склад. Вивчено спектри збудження і випромінювання фотолюмінесценції одержаних структур в діапазонах 220 - 400 і 400 - 800 нм, відповідно. Встановлено, що багатоколірна фотоемісія утворюється поєднанням смуг люмінесцентного випромінювання наноструктур поруватого кремнію та марганцехлорид тетраметиламонію. Показано можливість керування спектром фотолюмінесценції за рахунок зміни енергії збудження.