Laser treatment of <$E alpha >-Fe single crystals was shown to lead to complex recrystallization of the material with the formation of both polycrystalline and single-crystal structural constituents.

Experimental results on the polarization of the far-IR radiation <$E ( lambda~=~80~-~120 roman mm )> from <$E p >-type germanium under strong uniaxial pressure and heating electric field at liquid-helium temperature are reported. The directions of the polarization and the electric field are shown to be mainly coaxial for samples under pressure and perpendicular to each other for unstrained samples. The possible reasons of this phenomenon are discussed.

Досліджено поляризаційні залежності випромінювання світла вільними електронами в n-Ge за температур рідкого гелію. Одержано загальний вираз для інтенсивності спонтанного випромінювання світла в багатодолинних напівпровідниках із врахуванням механізму спонтанного випромінювання фононів гарячими електронами. Одержано якісне узгодження числових розрахунків поляризаційної залежності випромінювання з експериментом.

Представлено результати вимірювань гамма-спектрів (n, x<$E gamma>) реакцій у разі взаємодії нейтронів енергії 14,1 МеВ з ядрами заліза та вісмуту. Використано метод часу прольоту на основі імпульсного нейтронного генератора. Результати вимірювань порівняно з теоретичними розрахунками, виконаними в припущенні перебігу реакції через складене (компаунд) ядро, а також із урахуванням вильоту частинок на передрівноважних стадіях. Розрахунки виконано з використанням кодів EMPIRE і TALYS. Проаналізовано чутливість теоретично розрахованих результатів до зміни характеристик збуджених станів ядер.

Розкрито основні закономірності поведінки отруйних речовин в організмі. Наведено інформацію про металеві отрути, леткі отрути, пестициди, лікарські речовини. Кожну групу отруйних речовин розглянуто в таких аспектах: використання, токсичність, метаболізм і виведення, ізолювання з біологічних об'єктів, виявлення та кількісне визначення. Матеріали подано англійською мовою.

The optical properties of Cu - Mn alloys with Mn concentrations of 2, 5, 10 and 17,5 % (which corresponds to the <$Egamma>-solid solutions) were studied within a wide spectral range of 0,23 to 2,8 <$Emu>m (0,44 - 5,39 eV). Real and imaginary parts of the refractive index were measured, other optical properties such as dielectric constant, optical conductivity and the coefficient of specular reflectance at normal incidence were calculated being based on them. The analysis of the dispersion dependences <$Eepsilon (h nu )>, <$ER(h nu )> and <$Esigma (h nu )> enabled us to offer the electronic structure model for these alloys. According to this model, the electronic spectra (dependence of the density of electronic states on energy N(E)) of alloys with the indicated concentrations of components are the superposition of electronic spectra of Cu host, with weights equal to Cu concentrations, and the density of states within the impurity band, calculated using the experimental data.

Індекс рубрикатора НБУВ: В374 + В377

Рубрики:

Оптичні властивості твердих тіл. Оптичні властивості кристалів (кристалооптика)

Електричні та магнітні властивості твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

The refraction n and absorption <$Echi> indices of paramagnetic Co - Cr alloys with 10, 20 and 35 % chromium concentrations were measured within the spectral range 0,23 to 2,8 <$Emu>m (0,44 - 5,36 eV) at room temperature by spectral ellipsometric methods. Based on these data, the dielectric permittivity <$Eepsilon>, optical conductivity <$Esigma> and reflection coefficient R at normal incidence were calculated. The dispersion of optical conductivity <$Esigma (h nu )> and dispersion curves of residual optical conductivity <$EDELTA sigma (h nu )> = <$Esigma (h nu )~-~(1~-~c)~times~sigma sub roman Co (h nu )> were analyzed in detail (c - Cr impurity concentration, <$Esigma sub roman Co (h nu )> - optical conductivity of Co solvent). It has been ascertained that new impurity bands are formed in the electronic spectrum of Co solvent when Cr impurities are added, which are responsible for the extra absorption in Co - Cr alloys. The localization of impurity energy levels in Co - Cr alloys at 1,8 - 2,0 eV above the Fermi level has been suggested.

Індекс рубрикатора НБУВ: К232.306.3 + В378.71

Рубрики:

Фізичні властивості кобальту та його сплавів

Електричні властивості металів

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

Процеси утворення кристалічної структури в деяких тонкоплівкових люмінофорах на основі оксидів досліджено методами просвічучої електронної мікроскопії та рентгенодифрактометрії. Тонкі плівки ZnGa₂O₄, доповані Cr, Mn і Ti, були осаджені методом радіочастотного йонно-плазмового розпилення. Показано, що відпал в атмосфері аргону та осадження плівок на підкладки з проміжними орієнтованими шарами ZnO дозволяє отримувати близькі до монокристалічних матриці, придатні для розроблення ефективних тонкоплівкових люмінофорів для застосування у плоских пристроях відображення.

Досліджено анізотропію мікротвердості за допомогою методу мікронапруження монокристалів PbWO4 для визначення характеру руйнування кристалів за механічного впливу в процесі виготовлення сцинтиляторів.

Досліджено вплив термічного відпалу у різних газових середовищах (вакуум, окиснювальне та відновлювальне середовища) на основні оптико-люмінесцентні, спектрально-кінетичні та сцинтиляційні характеристики кристалів GSO:Ce як неопромінених, так і після <$E gamma>-опромінювання дозами <$E 10 sup 4~-~10 sup 6> рад. Погіршення прозорості та світлового виходу під час термообробки в окиснювальному середовищі пояснюється частковим переходом іонів церію у стан з вищим ступенем окиснення (<$E roman Ce sup 3+ ~symbol О~ roman Ce sup 4+>), за яких іони <$E roman Ce sup 4+> вже не беруть участі у сцинтиляційних процесах, але грають роль центрів поглинання власного випромінювання у кристалі і, навпаки, незначне покращання цих характеристик у разі термічної обробки у вакуумі може бути пов'язане зі зворотною трансформацією зарядного стану (<$E roman Ce sup 4+ ~symbol О~ roman Ce sup 3+>). Найбільшу радіаційно-індуковану деградацію оптичних і люмінесцентних характеристик показують кристали GSO:Ce, що заздалегідь пройшли термічний відпал у вакуумі, внаслідок чого відбувається утворення кисневих вакансій <$E V sub O>, які за <$E gamma>-опромінювання утворюють F-центри.

Досліджено тришарові плівкові структури Fe (<$E 8~roman A back 55 up 35 symbol Р>)/NM/Tb(<$E 12~roman A back 55 up 35 symbol Р>) (NM = Au, Cu), виготовлені на кремнієвій підкладці за допомогою методу електронно-променевого напилювання в надвисоковакуумній системі за тиску залишкових газів <$E symbol Ы~10 sup -9> Тор. Структуру зразків досліджено за допомогою методів рентгенівської дифрактометрії та Оже-спектроскопії. Магнітні властивості плівок досліджено за допомогою традиційного полярного магнітооптичного ефекту Керра. На підставі рентгенівських досліджень показано, що на поверхні поділу Si/Fe утворюється силіцид заліза, близький за структурою до Fe3Si. Згідно з даними магнітооптичних досліджень, утворення Fe-силіциду призводить до зникнення короткоперіодичних осциляцій обмінної взаємодії між шарами Fe та Tb. Для запобігання утворенню силіциду на підкладки попередньо нанесено буферний шар Au (<$E 3~roman A back 55 up 35 symbol Р>) або Cu (<$E 10~roman A back 55 up 35 symbol Р>). Це призводить до появи короткоперіодичних осциляцій. Проте, згідно з даними Оже-спектроскопії, такої товщини буферних шарів все ще недостатньо для повного запобігання взаємодії кремнію та заліза.

За допомогою методу склерометрії досліджено анізотропію мікротвердості монокристалів PbWO4, CdWO4 і Gd2SiO5 для визначення характеру руйнування кристалів під час механічного впливу в процесі виготовлення сцинтиляторів.

Обговорено особливості вирощування оксидних кристалів за допомогою методу Чохральського, вплив газового середовища вирощування на глибину та напрям структурних перетворень, стехіометричної розупорядкованості оксидних розплавів, природу створення у кристалах різних дефектів. Показано, що істотний вплив на глибину та напрями цих процесів, у тому числі термохімічну стійкість розплаву, надає окиснювально-відновлювальний потенціал газового середовища вирощування, що зумовлює термохімічну активність кисню в оксидних розплавах. Результуюча дія чинників, що впливають на внутрішню структуру, визначає координацію кластерів кристалоутворювальних компонентів і здатність розплаву до монофазної кристалізації.

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.7

Рубрики:

Спектроскопія твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Обговорено особливості вирощування оксидних кристалів із використанням методу Чохральського. Експериментально виявлено кореляцію між концентрацією кисню у газовому середовищі та коефіцієнтом входження іонів <$E roman Ce sup 3+> у процесі вирощування кристалів GSO. Обговорено можливі механізми впливу концентрації кисню на коефіцієнт входження іонів церію у кристал. Дослідження показали важливу роль складу ростового середовища у процесі одержання оксидних кристалів із відтворюваними функціональними характеристиками.

<$E {roman Lu} sub 2x {roman Gd} sub 2-2x roman {SiO sub 5 :Ce}> single crystals with different Lu/(Lu+Gd) atomic ratio have been obtained by the Czochralski technique. It has been shown that the polymorph transition P21/c-C2/c space symmetry at substitution of Gd atoms by Lu takes place at Lu/(Lu+Gd) = 0,1 - 0,2. The obtained crystals with C2/c symmetry type demonstrate good scintillation characteristics. High <$E roman Ce sup 3+> distribution coefficient together with preferred inclusion of cerium into the seven-fold oxygen - coordinated position provide high light yield and good energy resolution of the crystals.

Вивчено вплив активування кристалів оксиортосилікату лютецію LSO рідкісноземельними елементами (Ce, Yb) на енергетичні та кінетичні параметри люмінесценції. Показано, що за певних концентрацій активуючих домішок (<$E C sub roman Ce> ~ 0,1 ат. %, <$E C sub roman Yb> ~ 0,5 ат. %) спостережено істотне зниження світлозапасання (рівень післясвітіння зменшується приблизно в <$E 10 sup 2> рази) у разі збереження спектрального складу випромінювання та високого світлового виходу з одночасним значним поліпшенням стабільності вихідних характеристик LSO(Ce, Yb).

Одержано спектри оптичного пропускання, фотолюмінесценції (ФЛ), збудження ФЛ, а також температурну залежність інтенсивності ФЛ монокристалів GSO, G(Y)SO, G(Y)SO:Ce з різним вмістом ітрію. Встановлено, що домішка ітрію у кількості 15 мол. % збільшує інтенсивність ФЛ приблизно на 10 % і прозорість кристалів в УФ і видимій області спектра.

Вивчено оптичні властивості сплавів Cu - Mn з концентраціями 2, 5, 10 і 17,6 % Mn, що відповідають <$E gamma>-твердим розчинам, в широкій області спектра 0,23 - 2,8 мкм (0,44 - 5,39 еВ) шляхом вимірювання дійсної та уявної частини показника заломлення, на основі яких розраховано інші оптичні характеристики, такі як діелектрична проникність, оптична провідність та коефіцієнт дзеркального відбивання за нормального падіння світла. Шляхом аналізу дисперсійних залежностей <$E epsilon (h nu )>, <$E R(h nu )> і <$E sigma (h nu )> запропоновано модель електронної структури вказаних сплавів. Згідно з цією моделлю, електронний спектр (залежність густини електронних станів від енергії N(E) сплавів з вказаними концентраціями компонентів є суперпозицією електронних спектрів основи (Cu) з пропорціями, що дорівнюють концентраціям Cu у сплавах, і густини станів у межах домішкової зони, розрахованої на базі одержаних експериментальних даних.

Мета роботи - визначити кількісні остеосцинтиграфічні параметри операбельності хворих на деформуючий остеоартроз у разі ендопротезування колінних суглобів. Остеосцинтиграфію проводили на однодетекторній сцинтиляційній гама-камері в статичному режимі після внутрішньовенного введення <$Enothing sup 99m roman Tc>-пірофосфату активністю 550 - 770 МБк. У всіх 39-ти (100 %) пацієнтів першої діагностичної групи на післяопераційних сцинтиграмах у проекції парапротезної ділянки відсоток нагромадження радіофармпрепарату складав (+ 5 %) - (+ 65 %), у проекції проксимального відділу великогомілкової кістки (ВГК) - (+ 5 %) - (+ 20 %), у порівнянні з симетричною ділянкою дослідження. У 22-х (76 %) пацієнтів другої групи у проекції парапротезної ділянки відсоток нагромадження індикатору дорівнював (+160 %) - (+250 %), у проекції проксимального відділу ВГК - (+55 %) - (+120 %). У 14-ти (82 %) хворих третьої діагностичної групи за данними післяопераційної сцинтиграфії у проекції парапротезної ділянки відсоток нагромадження радіофармпрепарату дорівнював (+215 %) - (+380 %), а у проекції проксимального відділу ВГК - (+90 %) -(+200 %), по відношенню до симетричної ділянки обстеження. Висновки: визначено наступні кількісні остеосцинтиграфічні параметрами операбельності хворих на деформуючий остеоартроз у разі ендопротезування колінних суглобів, що не викликають післяопераційних ускладнень: відсоток нагромадження радіофармпрепарату у проекції ураженого остеоартрозом суглобу має бути в межах (+10 %) - (+110 %); у проекції проксимального відділу ВГК - (+5 %) - (+50 %), по відношенню до симетричної ділянки дослідження.