Наведено температурно-частотні дослідження діелектричної проникності за низьких температур в кристалах в <$E roman {Sn sub 2 P sub 2 S} sub 6>, <$E roman {Sn sub 2 P sub 2 Se} sub 6>, <$E ({roman Pb} sub y {roman Sn} sub 1-y ) sub 2 roman {P sub 2 Se} sub 6>. Спостережено заморожування релаксаційної динаміки на температурно-частотних залежностях діелектричних властивостей, як в кристалах які за низьких температур знаходяться в сегнетоелектричному полідоменному стані, так і в кристалах (<$E ({roman Pb} sub y {roman Sn} sub 1-y ) sub 2 roman {P sub 2 Se} sub 6> з <$E y~>>~0,4>), які за низьких температур знаходяться в неспівмірній фазі. Обговорено природу ефекту у взаємозв'язку з сегнетоелектричними доменами та неспівмірною структурою.

Досліджено діелектричні властивості змішаних кристалів типу <$E ({roman Pb} sub y {roman Sn} sub 1-y ) sub 2 roman {P sub 2 (Se} sub x {roman S} sub 1-x ) sub 6> в околі неспівмірних фазових переходів. Установлено, що під впливом дефектів, індукованих заміщеннями, діелектричні аномалії під час фазових переходів розмиваються та замість двох аномалій, що обмежують неспівмірну фазу, спостережено один розмитий пік. Характер діелектричної дисперсії та нелінійна діелектрична поведінка в досліджених кристалах свідчать про те, що хаотичний стан, який виникає внаслідок впливу дефектів на неспівмірну фазу, володіє властивостями сегнетоелектриків-релаксорів.