Запропоновано кристалохімічну модель парофазної епітаксії плівок телуриду свинцю, яка припускає одночасне утворення однозарядних, двозарядних і електронейтральних дефектів Френкеля у катіонній підгратці. Показано, що незважаючи на велику концентрацію частково компенсованих дворазово заряджених дефектів, суттєву роль у зміні концентрації носіїв струму в плівках PbTe відіграють також одноразово заряджені пари Френкеля Pb_i⁺ і V_Pb^-. Результати числового розрахунку узгоджуються з наявними експериментальними даними залежності концентрації носіїв заряду в плівках від парціального тиску пари телуру та температури осадження з використанням методу гарячої стінки.

Предложена кристаллохимическая модель парофазной эпитаксии пленок теллурида свинца, предполагающая одновременное образование однозарядных, двухзарядних и электронейтральных дефектов Френкеля в катионной подрешетке. Показано, что несмотря на большую концентрацию частично компенсированных двукратно заряженных дефектов, существенную роль в изменении концентрации носителей тока в пленках РbТе играют также однократно заряженные пары Френкеля Pb_і⁺ и V_Pb^-. Результаты численного расчета согласуются с имеющимися экспериментальными данными зависимости концентрации носителей заряда в пленках от парциального давления пара теллура и температуры осаждения в методе горячей стенки.

The crystallochemical model of vapor-phase epitaxy of the lead telluride films has been proposed with the supposition about the simultaneous formation of singly charged, doubly charged and electroneutral Frenkel defects in the cationic sublattice. It has been shown that in spite of the large concentration of partly compensated doubly charged defects the singly charged Frenkel pairs Pb_і⁺ and V_Pb^- also play an essential role in change carrier concentration in PbTe films. The results of numerical calculation agree with the available experimental data of the dependence of charge carrier concentration in films on the partial pressure of tellurium vapor and the deposition temperature in the hot-wall method.

Досліджено внутрішньо- та міжзонний механізми електронного поглинання гіперзвуку. Визначено коефіцієнти поглинання обмежених акустичних фононів гіперзвуку з урахуванням екранування деформаційної електрон-фононної взаємодії носіями заряду та законів дисперсії діраківськмх електронних станів.

Між- та внутрішньозонну провідності допованого графену теоретично досліджено за межами теорії лінійного відгуку. Нові залежності індукованого струму від частоти й амплітуди зовнішнього електричного поля, температури графену та хімпотенціалу визначено для досить сильних електричних полів у резонансному наближенні. Зокрема, насичення індукованого струму і нелінійне збільшення оптичної прозорості з ростом інтенсивності випромінювання одержано для довільних температур і допованого зразка. На відміну від збільшення для міжзонних переходів для фіксованої інтенсивності, коефіцієнт трансмісії внутрішньозонного механізму зменшується зі зростанням хімічного потенціалу та температури.

Теоретично визначено електропровідність, термоерс і теплопровідність квантового напівпровідникового дроту внаслідок гаусівськнх флуктуацій товщини дроту. Результати наведено для випадків невиродженої та виродженої статистики носіїв заряду. Розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є суттєвим для достатньо тонкого і чистого дроту з напівпровідників типу A3B5 і A4B6 за низьких температур. Визначено квантово-розмірні ефекти, характерні для квазіодновимірних систем.