 Книжкові видання та компакт-диски  Журнали та продовжувані видання  Автореферати дисертацій  Реферативна база даних  Наукова періодика України  Тематичний навігатор  Авторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Пошуковий запит: (<.>A=Sarkar S$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
|
| 1. |
Biswas A. K. An arithmetic logic unit of computer based on single electron transport system / A. K. Biswas, S. K. Sarkar // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 1. - С. 91-96. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.Зазначено, що проста схема двоваріантного перемикання може бути модифікована з використанням оптичного перемикання, модуляції електронних хвиль та одноелектронного транспорту. Наведено розробку арифметико-логічного модуля, що базується на приладах або сітках з використанням одноелектронного переносу в схемі діаграми бінарних рішень. Схему розглянуто для випадку одиничного біту арифметико-логічного модуля. Повну конструкцію можна побудувати шляхом каскадування бажаного числа подібних бітових комірок. Індекс рубрикатора НБУВ: З973-047.21
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
| | 2. |
Biswas A. K. Error detection and debugging on information in communication system using single electron circuit based binary decision diagram / A. K. Biswas, S. K. Sarkar // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 3. - С. 357-364. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.Відзначено, що у комунікаційних системах помилки під час передачі цифрової інформації виникають через затримки на лінії та в процесі обробки сигналу. Помилки цього типу можна виявити за допомогою логічної схеми на підставі діаграми бінарних розв'язків для сіток з переносом поодинокого електрона від кореневого вузла до пелюсткового. Діаграми бінарних розв'язківішень відображають логічні функції, які факторизуються рекурсивно щодо вхідних змінних. Помилки в одержуваній інформації можна виявити за допомогою спеціальної схеми, що відповідає діаграмі бінарних розв'язків. У цьому підході максимальні помилки в 4 біта можуть бути виявлені в одержуваній інформіції довжиною 32 біта. Проте, шляхом перебудови одержуваних бітових картин є можливість знаходити помилку (-ки) в будь-якому біті одержуваної інформації. Індекс рубрикатора НБУВ: З970.60-011
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
| | 3. |
Sarkar S. K. One-dimensional warm electron transport in GaN quantum well wires at low temperatures / S. K. Sarkar // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 2. - С. 264-268. - Бібліогр.: 26 назв. - англ.Відзначено, що коефіцієнт <$E beta> для одновимірних гарячих електронів та омічну рухливість <$E mu sub 0> у квантовому дроті з ямою квадратного перерізу на базі GaN досліджено в інтервалі температур гратки 4 - 10 K, що є важливим з точки зору їх застосування. У розрахунках враховано розсіювання електронів на акустичному та п'єзоелектричному деформаціонному потенціалі, а також іонізованими домішками. Розподіл носіїв вважається нагрітим фермі - діраковським. Омічна рухливість <$E mu sub 0> є більшою для квантових дротів більшої ширини та повільно зменшується із зростанням температури гратки. Коефіцієнт <$E beta> має від'ємне значення, а його абсолютна величина зменшується із збільшенням температури гратки та має більше значення для дрота більшої ширини. Одержані результати обговорено в термінах конкуренції різних механізмів розсіювання в залежності від параметрів моделі. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271 + В379.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|