Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | |||
| автором | назвою | роком видання | видом документа |
| Знайдено в інших БД: | Наукова періодика України (4) |
Пошуковий запит: (<.>A=Sudzhanskaya I$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 4 Представлено документи з 1 до 4 |
||||
| 1. | Ivanov O. N. Tunneling conductivity in the normal phase of superconducting indium in porous glass / O. N. Ivanov, I. V. Sudzhanskaya // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2015. - 7, № 2. - С. 02044-1-02044-4. - Бібліогр.: 8 назв. - англ. Electrical resistance of indium in 7 nm-pore glass has been studied in the temperature 2,3 - 300 K interval. It was found that material under study undergoes the transition into the superconducting state at Tc = 3,9 K. A sharp asymmetric R(T) maximum was found at temperature of 6,4 K. The R(T) dependence has been for the first time analyzed for the normal phase. It was found that the temperature dependence of the resistance in the temperature 15 - 80 K interval can be described by tunnelling mechanism of the charge carriers in the frames of the Shengіs model. Material under study can be considered as electrically inhomogeneous material in which metallic domains in pores are contacting each other via dielectric bridges of glass matrix. A charge transfer between the metallic domains can be realized by the electron tunneling through the potential barriers corresponding to the dielectric bridges. Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ  Повний текст Наукова періодика України
| |||
| 2. | Ivanov O. N. Hopping conductivity and negative magnetoresistance of the bulk nanograined Bi2Te3 material / O. N. Ivanov, R. A. Lyubushkin, M. N. Yaprintsev, I. V. Sudzhanskaya // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2015. - 7, № 4. - С. 04073-1-04073-3. - Бібліогр.: 12 назв. - англ. The bulk nanograined Bi2Te3 material was prepared by the microwave assisted solvothermal method and cold isostatic pressure method. It was found that above T ≈ 190 K the temperature dependence of the specific electrical resistivity of material is of metallic type, while below this temperature a semiconductor conductivity takes place. Within the temperature ΔT ≈ 90 - 35 K interval the electrical conductivity of material can be described by the variable-range hopping conductivity mechanism. Negative magnetoresistance was observed at the same temperature interval. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212 + В379.27 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України
| |||
| 3. | Sudzhanskaya I. V. Influence of the angle of inclination of the plasma flow of carbon to the substrate on the electrical capacitance and morphology of the surface of carbon coatings = Влияние угла наклона плазменного потока углерода к подложке на электрическую емкость и морфологию поверхности углеродных покрытий / I. V. Sudzhanskaya, A. I. Poplavsky, I. Yu. Goncharov, O. V. Glukhov // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2017. - 9, № 6. - С. 06027-1-06027-3. - Бібліогр.: 7 назв. - англ. Углеродные покрытия были получены с помощью импульсного вакуумно-дугового метода на подложках монокристаллического кремния. С применением метода импедансной спектроскопии получены результаты изменений электрической емкости в зависимости от параметров формирования углеродных покрытий. Исследование морфологии поверхности производили с помощью метода сканирующей зондовой микроскопии. Установлена корреляционная зависимость между электрической емкостью углеродных покрытий и изменением морфологии поверхности в зависимости от условий их формирования. Предложены объяснения полученных результатов. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
| |||
| 4. | Sudzhanskaya I. V. Electrical conductivity and dielectric relaxation processes of the ceramic system Y2O3 - ZrO2 - SrTiO3 - BiScO3 = Електропровідність та процеси діелектричної релаксації керамічної системи Y2O3 - ZrO2 - SrTiO3 - BiScO3 / I. V. Sudzhanskaya, V. M. Beresnev, L. O. Iliushyn // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2018. - 10, № 4. - С. 04024-1-04024-4. - Бібліогр.: 8 назв. - англ. За допомогою методу реакції у твердій фазі синтезовано керамічну систему Y Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.2 + В379.271.7 + Л428.7-106 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
| |||
 |
| Відділ інформаційно-комунікаційних технологій |
 Пам`ятка користувача |