Кристали PbWO4, леговані BaF2, вирощено з застосуванням модифікованого способу температурних градієнтів. Дефекти у кристалах досліджено за допомогою методу хімічного травлення. Рентгенографія зразків показала, що піки мали звичайне розташування, однак параметри гратки дещо перевищували параметри для кристала чистого PbWO4. Спектр пропускання вздовж осі c кристала PbWO4:BaF2 свідчив про підвищення коефіцієнта пропускання у порівнянні з кристалом чистого PbWO4. Інтенсивність піка люмінесценції з максимумом у межах 400 - 460 нм у спектрі рентгенолюмінесценції збільшувалася майже удвічі у порівнянні з кристалом чистого PbWO4. Світловихід кристала PbWO4, легованого BaF2, підвищувався у 2,5 рази. Ці результати свідчать, что легування PbWO4 BaF2 може покращити сцинтиляційні характеристики кристала для детектування частинок середньої енергії.