Сочетанием методов электронной и атомно-силовой микроскопии определены количественные параметры наноструктуры аморфных пленок системы Ge - Se: размеры неоднородностей, высота выступов и глубина впадин рельефа поверхности, диаметры зерен или столбиков, размеры каналов между столбиками, размеры нанопор, степень нанопористости. Установлено, что нанонеоднородности реализуются благодаря наличию рельефа поверхности исследуемых образцов и их нанопористости.