За допомогою методу рентгенівського фазового та рентгеноструктурного аналізу досліджено відпалені за <$E800~symbol Р roman C> сплави системи Gd - Si - Ga. Встановлено існування двох потрійних сполук GdSi0,94-0,6Ga1,06-1,4 (структура типу <$Ealpha - roman ThSi sub 2>) і GdSi0,9-0,6Ga0,1-0,4 (CrB), а також протяжних твердих розчинів на основі більшості подвійних силіцидів і галідів гадолінію. В повному концентраційному інтервалі побудовано ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd - Si - Ga за умови <$E800~symbol Р roman C>.