Проведено дослідження дефектних алмазоподібних тетрарних монокристалів AgGaGeS4 (просторова група Fdd2), в яких лише 75 % вузлів у кристалографічній позиції 16b зайняті атомами Ag. Наявність стехіометричних вакансій срібла і статистичне заповнення відповідних вузлів кристалічної гратки атомами Ga і Ge спричиняють появу властивостей невпорядкованих матеріалів у сполуках AgGaGeS4, p-типу провідності. На основі аналізу спектрів поглинання світла в області краю фундаментальних переходів зроблено висновок про існування підзон зони провідності, утворених хвильовими функціями орбіталей валентних електронів атомів Ag, Ga, Ge з різною ефективною масою. Монокристали AgGaGeS4 належать до фоточутливих напівпровідників. Інтерпретацію експериментальних результатів проведено в межах моделі Мотта для невпорядкованих тіл.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж69212 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України