Приведен обзор исследований высокочастотной проводимости двумерных электронных систем с высокой подвижностью в широких квантовых ямах n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs. В результате одновременных измерений коэффициента поглощения и скорости поверхностной акустической волны определены вещественная и мнимая компоненты высокочастотного кондактанса. На основании полученных экспериментальных данных и их обработки сделан вывод, что вблизи числа заполнения ν = 1/5, а также в интервале 0,18 > ν > 0,125 формируется вигнеровский кристалл, "запиннингованный" беспорядком. Определена температура плавления вигнеровского кристалла и длина корреляции доменов, образующихся за счет пиннинга. Вблизи целых чисел заполнения ν = 1, 2 уровней Ландау наблюдается переход системы от режима одноэлектронной локализации к вигнеровскому кристаллу.