Досліждено спектри фотопровідності в температурному інтервалі <$E roman T~symbol Ы~36~-~200> К та спектри термостимульованих струмів в температурному інтервалі <$E roman T~symbol Ы~70~-~300> К монокристалів Tl1-xIn1-xSnxSe2, отриманих методом напрямленої кристалізації Бріджмена-Стокбаргера. Виявлена індукована фотопровідність та довготривалі процеси релаксації фотопровідності. Для інтерпретації отриманих результатів запропонована модель двоцентрової рекомбінації. Показано, що роль r-центрів повільної рекомбінації в монокристалах Tl1-xIn1-xSnxSe2 виконують вакансії Tl. На основі досліджень спектрів термостимульованих струмів визначено термічну енергію активації електронів з t-рівнів прилипання.