Реконструкція Si(001)-c(<$E 8~times~8>), що спостерігається в деяких випадках, є унікальним наноструктурованим станом поверхні Si(001). Він був одержаний внаслідок внесення домішок Cu в концентраціях нижче межі чутливості електронної спектроскопії. Детальні СТМ зображення демонструють, що в стані с(<$E 8~times~8>) поверхня не є атомарно гладкою, натомість складається із основних елементів, які належать двом послідовним атомним шарам. Цими елементами є епітаксійні аддимери Si в першому (поверхневому) шарі та подвійні димерні вакансії в другому (приповерхневому) шарі кремнієвого субстрату.