Досліджено енергетичний спектр пасток для дірок в органічному полімері полі(ді-н-гексилсилані) за допомогою методу термостимульованої люмінесценції (ТСЛ) в інтервалі температур 5 - 40 К. Одержано спектр комбінаційного розсіяння (КР) за 300 К полімера. Вперше виявлено структуру на кривій ТСЛ. Знайдено, що енергії активації пасток збігаються з енергіями квантів коливань кремнієвого ланцюга, активних в КР спектрах. Ці результати пояснено на основі моделі, згідно з якою звільнення носіїв з пасток відбувається за рахунок резонансної передачі енергії від Si-Si коливань до носіїв заряду. Модель пояснює наявність структури, що спостерігається на кривій ТСЛ полімеру.