 Книжкові видання та компакт-диски  Журнали та продовжувані видання  Автореферати дисертацій  Реферативна база даних  Наукова періодика України  Тематичний навігатор  Авторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Пошуковий запит: (<.>AT=Trachevsky Changes in the state$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
| 1. |
Trachevsky V. V. Changes in the state of paramagnetic centers and lattice parameter of micro-structured Si under the influence of weak magnetic field / V. V. Trachevsky, L. P. Steblenko, P. Y. Demchenko, O. V. Koplak, A. M. Kuryliuk, A. K. Melnik // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 1. - С. 87-90. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.In this work, the influence of weak magnetic field on structure-dependent properties of micro-structured Si was determined. The researches of EPR-spectra inherent to micro-structured Si showed the presence of the spectral line at H ~ 3500 Oe that appears from centers with the g-factor g ~ 2,0010 (pB-centers). Intensity of the determined spectral line decreases twice after magnetic processing. The observed redox processes and evolution of defect structure are interpreted as the influence of magnetic field on micro-structured Si. Calculations made using the data of X-ray diffractometric researches showed an essential decrease of internal strains and respective increase of the lattice parameter in micro-structured Si samples after magnetic processing in the weak magnetic field. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.273
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України
|
|
|