Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
у знайденому
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (3)Журнали та продовжувані видання (1)Автореферати дисертацій (1)Реферативна база даних (68)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Горічок І$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 47
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Фреїк Д. 
Термодинаміка власних точкових дефектів у нестехіометричному плюмбум телуриді [Електронний ресурс] / Д. Фреїк, І. Горічок, Ю. Лисюк, М. Шевчук // Chemistry of metals and alloys. - 2012. - Vol. 5, № 1-2. - С. 1-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Khms_2012_5_1-2_4
Використовуючи поняття термодинамічного потенціалу для характеристики кристала розраховано залежність концентрації електронів від температури у CdTe після відпалу у парі Cd у разі її максимального тиску. Розрахунок проведено для моделі домінування (МД) <$E {roman Cd} sub i sup 2+> і МД <$E V sub roman Te sup 2+>. Визначено температурну залежність ентальпії утворення домінуючого дефекту.За допомогою методу термодинамічних потенціалів проаналізовано домінуючі точкові дефекти, а також рівноважну концентрацію вільних носіїв заряду та ступінь відхилення від стехіометрії SnTe залежно від технологічних факторів двотемпературного відпалу - температури відпалу T і тиску пари халькогену PTe2. Розраховано енергії утворення моновакансій металу та халькогену.Проведено розрахунок концентрацій точкових дефектів і вільних носіїв заряду у металічній та напівпровідниковій фазі монокристалічного моносульфіду самарію, що знаходиться у рівновазі з парою металу. Визначено температурну залежність лінії солідусу з боку надлишку металу та встановлено переважаючий тип дефектів на межі області гомогенності сполуки.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.334 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Фреїк Д. 
Термодинаміка власних точкових дефектів кадмій телуриду на межі області гомогенності [Електронний ресурс] / Д. Фреїк, І. Горічок, В. Прокопів // Chemistry of metals and alloys. - 2011. - Vol. 4, № 3-4. - С. 223-228. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Khms_2011_4_3-4_10
Використовуючи поняття термодинамічного потенціалу для характеристики кристала розраховано залежність концентрації електронів від температури у CdTe після відпалу у парі Cd у разі її максимального тиску. Розрахунок проведено для моделі домінування (МД) <$E {roman Cd} sub i sup 2+> і МД <$E V sub roman Te sup 2+>. Визначено температурну залежність ентальпії утворення домінуючого дефекту.За допомогою методу термодинамічних потенціалів проаналізовано домінуючі точкові дефекти, а також рівноважну концентрацію вільних носіїв заряду та ступінь відхилення від стехіометрії SnTe залежно від технологічних факторів двотемпературного відпалу - температури відпалу T і тиску пари халькогену PTe2. Розраховано енергії утворення моновакансій металу та халькогену.Проведено розрахунок концентрацій точкових дефектів і вільних носіїв заряду у металічній та напівпровідниковій фазі монокристалічного моносульфіду самарію, що знаходиться у рівновазі з парою металу. Визначено температурну залежність лінії солідусу з боку надлишку металу та встановлено переважаючий тип дефектів на межі області гомогенності сполуки.
Попередній перегляд:   Завантажити - 967.828 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Фреїк Д. М. 
Фазовий склад термоелектричних матеріалів на основі твердих розчинів PbTe-Sb2Te3, PbTe-Bi2Te3 [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, С. І. Мудрий, І. В. Горічок, О. С. Криницький, О. М. Матківський, Т. С. Люба, Т. О. Семко. // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_4_26
Наведено результати ренгенографічних досліджень термоелектричних матеріалів на основі твердих розчинів PbTe - Sb2Te3, PbTe - Bi2Te3 у діапазоні 0 - 5 мол. % Sb2Te3 (Bi2Te3). Встановлено залежність фазового та структурного стану системи від хімічного складу і умов термічної обробки зразків.
Попередній перегляд:   Завантажити - 454.871 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Горічок І. В. 
Визначення теплопровідності напівпровідників методом радіального теплового потоку [Електронний ресурс] / І. В. Горічок, А. І. Ткачук, О. С. Криницький, О. М. Матківський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 4. - С. 912-914. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_4_39
Запропоновано установку для вимірювання теплопровідності напівпровідникових матеріалів із використанням методу радіального теплового потоку. Розроблену методику апробовано на термоелектричних зразках плюмбум телуриду.
Попередній перегляд:   Завантажити - 300.026 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Фреїк Д. М. 
Технологічні аспекти осадження плівок CdТe методом гарячої стінки [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, І.В. Горічок, О. Л. Соколов, Ю. В. Потяк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 1. - С. 89-94. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_1_15
Досліджено умови формування тонких плівок CdTe, осаджених на свіжі сколи (0001) слюди-мусковіт у квазізамкненому об'ємі за допомогою методу гарячої стінки. Плівки вирощено за різних температурних факторів: температури підкладки, випарника, стінок камери. Визначено величину зерен і швидкість конденсації залежно від технологічних факторів одержання.
Попередній перегляд:   Завантажити - 688.179 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Горічок І. В. 
Кристалохімія власних точкових дефектів у кристалах системи PbTe-Bi [Електронний ресурс] / І. В. Горічок, Л. В. Туровська, В. М. Бойчук, Л. Й. Межиловська // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 1. - С. 147-152. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_1_24
Попередній перегляд:   Завантажити - 908.65 Kb    Зміст випуску     Цитування
7.

Горічок І. В. 
Енергії утворення вакансій у кристалах А2В6 [Електронний ресурс] / І. В. Горічок // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 2. - С. 322-324. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_2_9
Використовуючи напівемпіричний метод, розраховано енергії утворення моновакансій металу та халькогену у кристалах A<^>2B<^>6. Встановлено, що деформації в околі нейтральних вакансій не є значними та суттєво не впливають на значення енергій утворення цих дефектів. Розраховані величини енергій утворення вакансій узгоджуються з літературними даними, і їх можна використовувати для оцінки концентрацій цих дефектів у напівпровідниках.
Попередній перегляд:   Завантажити - 115.478 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
8.

Фреїк Д. М. 
Власні точкові дефекти у плюмбум телуриді на межі області гомогенності [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, І. В. Горічок, М. О. Шевчук, Л. В. Туровська // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 2. - С. 378-388. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_2_21
Попередній перегляд:   Завантажити - 720.193 Kb    Зміст випуску     Цитування
9.

Фреїк Д. М. 
Локалізовані стани електронів у напівпровідниках. II. Експериментальні методи дослідження (огляд) [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, О. М. Возняк, Т. О. Паращук, В. М. Чобанюк, І. В. Горічок // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 2. - С. 445-454. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_2_31
Проведено аналіз методів розрахунку мілких і глибоких центрів у напівпровідникових кристалах, що базуються на моделях одиничного та періодичного дефектів відповідно. Особливу увагу звернуто на методи ефективної маси, Слєтера - Костера, псевдопотенціалу, Волкова - Панкратова, функціонала густини та квантово-хімічних підходах. Підкреслено особливості використання відзначених методів розрахунку та одержаних на їх основі результатів.Представлено аналіз експериментальних методів визначення мілких і глибоких центрів у напівпровідникових кристалах. Розглянуто кінетичні, релаксаційні та оптичні методи визначення енергії іонізації дефектів. Підкреслено особливості використання відзначених експериментальних методів та одержаних на їх основі результатів.Проаналізовано результати експериментальних і теоретичних досліджень енергетичних рівнів власних і домішкових дефектів у цинк, кадмій і плюмбум телуридах. Розглянуто як нові, так і вже відомі роботи з питань дослідження енергетичного спектра точкових дефектів у кристалах A<^>IIB<^>VI та A<^>IVB<^>VI.
Попередній перегляд:   Завантажити - 309.767 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
10.

Фреїк Д. М. 
Процеси формування і топологія тонких плівок і наноструктур срібла (огляд) [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, І. В. Горічок, Я. С. Яворский, Б. С. Дзундза, Ю. В. Кланічка // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 3. - С. 555-566. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_3_3
Зроблено огляд робіт щодо дослідження процесів структуроутворення у наноструктурованих плівках срібла, одержаних за різних технологічних процесів, як на аморфних, полікристалічних, так і монокристалічних підкладках. Розглянуто оригінальні результати з топології парофазних наноструктур Ag на свіжих сколах (0001) слюди-мусковіт.
Попередній перегляд:   Завантажити - 789.018 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
11.

Фреїк Д. М. 
Особливості структури і електричних властивостей тонких плівок телуриду свинцю легованих вісмутом [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, Я. С. Яворський, Б. С. Дзундза, І. В. Горічок, Л. Й. Межиловська // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 3. - С. 633-638. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_3_17
Досліджено термоелектричні параметри наноструктур PbTe:Bi n-типу провідності, одержаних осадженням у вакуумі пари на свіжі сколи (0001) слюди-мусковіт за різних технологічних умов та їх витримки та відпалу в атмосфері кисню у процесі їх витримки та відпалу на повітрі.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.037 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
12.

Фреїк Д. М. 
Електронні стани та електричні властивості моносульфіду самарію [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, І. В. Горічок, М. О. Шевчук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 3. - С. 661-663. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_3_22
Проведено модельні розрахунки, що пояснюють температурну залежність концентрації вільних носіїв струму у моносульфіді самарію. Використано модель, у якій враховано наявність в енергетичній структурі кристала мілких донорних рівнів, зумовлених присутністю у кристалічній гратці власних точкових дефектів, а також f-рівнів атома самарію: основного, першого збудженого, та другого збудженого, який кристалічним полем розщеплюється на 5 окремих рівнів. Запропонована модель носить універсальний характер і її можна застосовувати також для розрахунку параметрів інших властивостей в SmS, зокрема і фазового переходу напівпровідник - метал.
Попередній перегляд:   Завантажити - 139.754 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
13.

Фреїк Д. М. 
Локалізовані стани електронів у напівпровідниках. IIІ. Енергетичні рівні точкових дефектів у цинк, кадмій і плюмбум телуридах (огляд) [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, В. М. Чобанюк, О. М. Возняк, І. В. Горічок, Т. О. Паращук, С. Д. Бардашевська // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 4. - С. 834-848. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_4_3
Проведено аналіз методів розрахунку мілких і глибоких центрів у напівпровідникових кристалах, що базуються на моделях одиничного та періодичного дефектів відповідно. Особливу увагу звернуто на методи ефективної маси, Слєтера - Костера, псевдопотенціалу, Волкова - Панкратова, функціонала густини та квантово-хімічних підходах. Підкреслено особливості використання відзначених методів розрахунку та одержаних на їх основі результатів.Представлено аналіз експериментальних методів визначення мілких і глибоких центрів у напівпровідникових кристалах. Розглянуто кінетичні, релаксаційні та оптичні методи визначення енергії іонізації дефектів. Підкреслено особливості використання відзначених експериментальних методів та одержаних на їх основі результатів.Проаналізовано результати експериментальних і теоретичних досліджень енергетичних рівнів власних і домішкових дефектів у цинк, кадмій і плюмбум телуридах. Розглянуто як нові, так і вже відомі роботи з питань дослідження енергетичного спектра точкових дефектів у кристалах A<^>IIB<^>VI та A<^>IVB<^>VI.
Попередній перегляд:   Завантажити - 352.889 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
14.

Фреїк Д. М. 
Розрахунок енергій утворення вакансій та анти структурних дефектів у напівпровідникових кристалах GeTe, GeSe, GeS [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, І. В. Горічок, Л. Д. Юрчишин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 4. - С. 966-969. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_4_24
Попередній перегляд:   Завантажити - 134.084 Kb    Зміст випуску     Цитування
15.

Фреїк Д. М. 
Концентраційна залежність ефективної маси електронів у d-зоні провідності моносульфіду самарію [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, І. В. Горічок, М. О. Шевчук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 1. - С. 27-29. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_1_5
На основі експериментальних залежностей холлівської концентрації електронів від температури визначено залежність ефективної маси електронів від їх концентрації у d-зоні провідності моносульфіду самарію. Показано, що лише за умови врахування в енергетичній структурі кристалів другої зони провідності, у якій ефективна маса електронів є функцією їх концентрації, є можливою кількісно правильна інтерпретація холлівських експериментальних даних за температур T >> 500 K.
Попередній перегляд:   Завантажити - 129.364 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
16.

Горічок І. В. 
Синтез і термоелектричні властивості PbTe:Sb [Електронний ресурс] / І. В. Горічок, Р. О. Дзумедзей, Ю. В. Лисюк, В. П. Кознюк, А. П. Кознюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 1. - С. 220-223. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_1_38
Наведено результати рентгенографічних досліджень і вимірювань термоелектричних параметрів (коефіцієнта термоерс, питомої електропровідності та коефіцієнту теплопровідності) матеріалів на основі системи PbTe - SnTe. За допомогою методу холодного пресування з наступним відпалом одержано термоелектричні зразки p-Pb0,4Sn0,6Te з безрозмірною термоелектричною добротністю ZT = 0,3.
Попередній перегляд:   Завантажити - 202.908 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
17.

Дзумедзей Р. О. 
Термоелектричні властивості твердих розчинів Pb1-xSnxTe [Електронний ресурс] / Р. О. Дзумедзей, І. В. Горічок, Л. І. Никируй, М. О. Галущак // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 2. - С. 369-373. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_2_13
Надано результати дослідження кінетичних параметрів (коефіцієнтів термоерс, електропровідності, теплопровідності та термоелектричної добротності) зразків Pb1-xSnxTe із різним складом x = 0,4; 0,5 і 0,6, виготовлених за допомогою металокерамічного методу.Надано результати дослідження кінетичних параметрів (коефіцієнтів термоерс, електропровідності та теплопровідності) зразків PbTe1-xSex із різним складом x = 0,15; 0,25; 0,75; 0,85 і 0,95, виготовлених за допомогою металокерамічного методу. Встановлено оптимальний склад і діапазон температур максимуму термоелектричної добротності.
Попередній перегляд:   Завантажити - 392.525 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
18.

Шевчук М. О. 
Енергії утворення моновакансій у кристалах самарій та європій монохалькогенідів [Електронний ресурс] / М. О. Шевчук, І. В. Горічок // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 2. - С. 407-409. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_2_20
На базі експериментальних термохімічних даних розраховано енергії утворення катіонних та аніонних моновакансій у самарій та європій халькогенідах. Встановлено, що деформації кристалічної гратки в околі вакансій металу та халькогену є незначними і суттєво не впливають на їх енергії утворення.
Попередній перегляд:   Завантажити - 126.247 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
19.

Фреїк Д. М. 
Фотоелектричні перетворювачі сонячного випромінювання на основі кадмій телуриду II. Основні досягнення і сучасний стан (Огляд) [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, В. М. Чобанюк, О. С. Криницький, І. В. Горічок // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 3. - С. 744-758. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_3_33
Проаналізовано досягнення у галузі використання сонячної енергії. Розглянуто фізико-хімічні властивості, методи одержання тонких плівок і елементів сонячних модулів на їх основі. Надано аналіз перспектив їх виготовлення та використання.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.751 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
20.

Фреїк Д. М. 
Синтез і термоелектричні властивості твердих розчинів PbTe-Sb2Te3 [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, Ц. А. Криськов, І. В. Горічок, Т. С. Люба, Л. В. Туровська, О. С. Криницький, О. М. Матківський, І. П. Яремій // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 1. - С. 137-144. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_1_23
Приведено результати дослідження мікроструктури та термоелектричних параметрів сплавів PbTe:Ni та (Pb0,5Sn0,5)0,4995Te0,5005, одержаних синтезом окремих компонентів. Встановлено, що якщо легований нікелем плюмбум телурид характеризується електронною провідністю, то твердий розчин - дірковою. Виявлено вплив величини фракцій одержаного матеріалу для брикетування на його характеристики.Надано результати дослідження термоелектричних властивостей виготовлених за допомогою металокерамічного методу зразків плюмбум телуриду, легованого сурмою. Встановлено кореляцію між технологічними факторами та термоелектричними параметрами одержаного матеріалу.Наведено результати дослідження термоелектричних властивостей твердих розчинів (ТР) PbTe-Sb2Te3 у діапазоні 0 - 5 мол. % Sb2Te3. Здійснено кристалохімічний аналіз дефектної підсистеми ТР, на підставі якого зроблено висновки про можливі механізми входження атомів стибію у кристалічну гратку.
Попередній перегляд:   Завантажити - 343.342 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
...
 
Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського