Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
у знайденому
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (3)Журнали та продовжувані видання (2)Реферативна база даних (17)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Луньов С$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 24
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Луньов С. В. 
Тензочутливість в Delta_1– моделі зони провідності кристалів германію [Електронний ресурс] / С. В. Луньов // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2013. - Т. 10, № 3. - С. 76. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2013_10_3_11
Попередній перегляд:   Завантажити - 594.211 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Луньов С. М. 
Освіта в селі Миколо-Комишувата Красноградського району Харківської області (1885-2012) [Електронний ресурс] / С. М. Луньов // Збірник наукових праць Харківського національного педагогічного університету імені Г. С. Сковороди. "Історія та географія". - 2013. - Вип. 49. - С. 166-167. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/znpkhnpu_ist_2013_49_40
Попередній перегляд:   Завантажити - 95.513 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Луньов С. В. 
Ефективна маса густини станів електронів ∆1-мінімуму зони провідності кристалів германію [Електронний ресурс] / С. В. Луньов // Физика и техника высоких давлений. - 2014. - Т. 24, № 1. - С. 48-53. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhTVD_2014_24_1_5
На основі теорії деформаційного потенціалу й експериментальних даних поздовжнього п'єзоопору в кристалографічному напрямку [100] сильнолегованих монокристалів германію в області виключно іонного розсіювання (T = 4,2 K) з урахуванням ділянки сильних одновісних тисків X >> 1,6 ГПа (коли внесок у зміну питомого опору монокристалів n-Ge дають як <$E L sub 1>-, так і <$E DELTA sub 1>-мінімуми зони провідності) було знайдено ефективну масу густини станів <$E m sub {DELTA sub 1}~=~0,88 roman m sub 0> для <$E DELTA sub 1>-мінімуму.
Попередній перегляд:   Завантажити - 252.485 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Луньов С. В. 
Вплив інверсії типу (L1–Δ1) абсолютного мінімуму на енергію іонізації основного стану мілких донорів в монокристалах n-Ge [Електронний ресурс] / С. В. Луньов // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2014. - № 5(5). - С. 18-21. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2014_5(5)__5
Попередній перегляд:   Завантажити - 228.12 Kb    Зміст випуску     Цитування
5.

Луньов С. В. 
Константи електрон-фононної взаємодії для оптичних та міждолинних фононів в n-Ge [Електронний ресурс] / С. В. Луньов, О. В. Бурбан // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 1. - С. 01020(5). - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_1_22
Досліджено розсіяння електронів в чотирьох- дво- та однодолинній L1 моделі зони провідності монокристалів германію. На основі теорії анізотропного розсіяння та одержаних експериментально температурних залежностей питомого опору для чотирьохдолинної L1 моделі знайдено константи електрон-фононної взаємодії для оптичних <$EXI sub 430 ~=~4~cdot~10 sup 8> еВ/см та міждолинних фононів <$EXI sub 320 ~=~1,4~cdot~10 sup 8> еВ/см в n-Ge. Показано, що в чотирьохдолинній L1 моделі зони провідності n-Ge крім розсіяння електронів на акустичних фононах та іонах домішки необхідно враховувати також розсіяння електронів на оптичних і міждолинних фононах. Для дво- та однодолинної L1 моделі домінуючим є розсіяння електронів на акустичних фононах.
Попередній перегляд:   Завантажити - 338.744 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Луньов С. В. 
Параметри високоенерґетичного δ1-мінімуму зони провідності n-Ge [Електронний ресурс] / С. В. Луньов, П. Ф. Назарчук, О. В. Бурбан // Журнал фізичних досліджень. - 2013. - Т. 17, Число 3. - С. 3702-1-3702-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jphd_2013_17_3_7
Попередній перегляд:   Завантажити - 147.735 Kb    Зміст випуску     Цитування
7.

Луньов С. 
Визначення константи деформаційного потенціалу Ξd в n-Si методом п'єзоопору [Електронний ресурс] / С. Луньов, С. Федосов // Журнал фізичних досліджень. - 2011. - Т. 15, Число 2. - С. 2705-1-2705-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jphd_2011_15_2_11
Попередній перегляд:   Завантажити - 164.132 Kb    Зміст випуску     Цитування
8.

Луньов С. 
Методика вимірювання електричних властивостей монокристалів n-ge при високих одновісних тисках [Електронний ресурс] / С. Луньов, П. Назарчук, О. Бурбан, В. Лопухович // Вісник Тернопільського національного технічного університету. - 2014. - № 3. - С. 172-179. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/tstub_2014_3_21
Попередній перегляд:   Завантажити - 586.612 Kb    Зміст випуску     Цитування
9.

Луньов С. В. 
Константи деформаційного потенціалу Δ1-мінімуму n-Ge [Електронний ресурс] / С. В. Луньов, П. Ф. Назарчук, Л. І. Панасюк // Перспективні технології та прилади. - 2011. - Вип. 1. - С. 112-119. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ptp_2011_1_13
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.001 Mb    Зміст випуску     Цитування
10.

Луньов С. В. 
Визначення параметрів радіаційних дефектів в опромінених високоенергетичними електронами монокристалах n Ge [Електронний ресурс] / С. В. Луньов, А. І. Зімич, П. Ф. Назарчук, В. Т. Маслюк, І. Г. Мегела // Ядерна фізика та енергетика. - 2016. - Т. 17, № 1. - С. 47-52. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/yadf_2016_17_1_9
Досліджено ефект Холла для монокристалів n-Ge, опромінених різними потоками електронів з енергією 10 МеВ. Враховуючи отримані експериментальні результати, знайдено енергетичний спектр рівнів радіаційних дефектів і встановлено їх основні параметри. На підставі розв'язків систем рівнянь електронейтральності показано, що створеним радіаційним дефектам належить лише 2 глибоких енергетичних рівні (Ec - 0,27) та (EV + 0,27) еВ. Незначну зміну енергетичного положення цих рівнів у разі збільшення дози опромінення можна пояснити впливом внутрішніх механічних напружень, що виникають у гратці германію навколо утворених радіаційних дефектів.
Попередній перегляд:   Завантажити - 437.422 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
11.

Луньов С. В. 
Розсіяння електронів для різних Δ1 моделей зони провідності монокристалів n-Ge [Електронний ресурс] / С. В. Луньов, О. В. Бурбан, Л. А. Косинець, А. І. Цизь, Т. В. Максимчук // Перспективні технології та прилади. - 2014. - Вип. 4. - С. 8-12. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ptp_2014_4_4
Попередній перегляд:   Завантажити - 992.456 Kb    Зміст випуску     Цитування
12.

Луньов С. В. 
Розсіювання електронів для одновісно деформованих монокристалів n-Ge [Електронний ресурс] / С. В. Луньов // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 3. - С. 03029-1-03029-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_3_31
Досліджено розсіяння електронів в (<$EL sub 1 ~-~DELTA sub 1>) моделі зони провідності монокристалів n-Ge, утвореної одновісним тиском вздовж кристалографічного напрямку [100]. Одержані експериментальні результати та проведені теоретичні розрахунки температурних залежностей питомого опору для одновісно деформованих монокристалів n-Ge показують, що для діапазону одновісних тисків від 1,4 до 2,3 ГПа суттєвим стає нееквівалентне міждолинне розсіяння електронів між <$EL sub 1> та <$EDELTA sub 1> мінімумами, відносний вклад якого залежить від величини одновісного тиску. Наявність максимуму для залежностей сталої Холла від одновісного тиску за P ~ 2,1 ГПа, коли енергетична щілина між <$EL sub 1> та <$EDELTA sub 1> "захлопується", пояснюється найбільшою ефективність даного механізму розсіяння за таких тисків.
Попередній перегляд:   Завантажити - 390.378 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
13.

Луньов С. В. 
Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту [Електронний ресурс] / С. В. Луньов, Л. І. Панасюк, С. А. Федосов // Український фізичний журнал. - 2012. - Т. 57, № 6. - С. 637-642. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2012_57_6_10
Попередній перегляд:   Завантажити - 375.647 Kb    Зміст випуску     Цитування
14.

Луньов С. В. 
Розрахунок енергії іонізації основного стану мілких донорів в Δ1-моделі зони провідності монокристалів n-Ge [Електронний ресурс] / С. В. Луньов, О. В. Бурбан, П. Ф. Назарчук // Український фізичний журнал. - 2015. - Т. 60, № 10. - С. 1022-1026. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2015_60_10_6
На базі варіаційного методу Рітца розраховано енергію іонізації основного стану донорів Sb, P, As для <$E DELTA sub 1>-моделі зони провідності монокристалів n-Ge з урахуванням анізотропії закону дисперсії та хімічного зсуву. Порівняння одержаних теоретичних результатів з відповідними експериментальними даними показують, що модель кулонівського потенціалу домішки можна використати в грубому наближенні лише для домішки Sb в Ge без урахування хімічного зсуву. Для домішок P і As розрахунки необхідно проводити вже з урахуванням хімічного зсуву, тобто, коли потенціал поля іона домішки не є кулонівським.
Попередній перегляд:   Завантажити - 582.086 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
15.

Луньов С. В. 
Визначення енергії активації А-центра в одновісно деформованих монокристалах n-Ge [Електронний ресурс] / С. В. Луньов, А. І. Зімич, П. Ф. Назарчук, С. А. Мороз, Л. М. Поліщук, В. Т. Маслюк, І. Г. Мегела // Ядерна фізика та енергетика. - 2017. - Т. 18, № 1. - С. 48-55. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/yadf_2017_18_1_9
На підставі розв'язків рівняння електронейтральності та експериментальних результатів вимірювань п'єзо-холл-ефекту одержано залежності енергії активації глибокого рівня А-центра від одновісного тиску вздовж кристалографічних напрямків [100], [110] і [111] для монокристалів n-Ge, опромінених електронами з енергією 10 МеВ. За допомогою методу найменших квадратів одержано апроксимаційні поліноми для розрахунку даних залежностей. Показано, що енергія активації А-центра зменшується лінійно для всього діапазону одновісних тисків уздовж кристалографічного напрямку [100]. Для випадків одновісної деформації вздовж кристалографічних напрямків [110] і [111] зменшення енергії активації за лінійним законом спостерігається лише за високих одновісних тисків, коли глибокий рівень А-центра взаємодіє з тими мінімумами зони провідності германію, які виявилися нижніми у випадку деформації.
Попередній перегляд:   Завантажити - 574.208 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
16.

Луньов С. 
Концепт-календарі "Гармонія в кожен дім” [Електронний ресурс] / С. Луньов, Т. Луньова // Рідний край. - 2011. - № 1. - С. 247-249. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Almpolt_2011_1_51
Попередній перегляд:   Завантажити - 806.897 Kb    Зміст випуску     Цитування
17.

Удовицька Ю. А. 
Вплив електронного опромінення на механічні та експлуатаційні властивості полімерів на основі епоксидної смоли [Електронний ресурс] / Ю. А. Удовицька, С. В. Луньов, В. П. Кашицький, П. П. Савчук, В. Т. Маслюк // Перспективні технології та прилади. - 2017. - Вип. 11. - С. 138-141. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ptp_2017_11_26
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.146 Mb    Зміст випуску     Цитування
18.

Луньов С. В. 
Вплив радіаційних дефектів на механізми розсіяння електронів в монокристалах n-Ge [Електронний ресурс] / С. В. Луньов, А. І. Зімич, П. Ф. Назарчук, В. Т. Маслюк, І. Г. Мегела // Журнал фізичних досліджень. - 2015. - Т. 19, Число 4. - С. 4704-1-4704-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jphd_2015_19_4_10
Попередній перегляд:   Завантажити - 310.765 Kb    Зміст випуску     Цитування
19.

Луньов С. В. 
Особливості відпалу радіаційних дефектів в монокристалах n-Ge, опромінених електронами високих енергій [Електронний ресурс] / С. В. Луньов, А. І. Зімич, М. В. Хвищун, В. Т. Маслюк, І. Г. Мегела // Український фізичний журнал. - 2019. - Т. 64, № 2. - С. 148-153. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2019_64_2_11
Попередній перегляд:   Завантажити - 704.486 Kb    Зміст випуску     Цитування
20.

Луньов С. В. 
Вплив електронного опромінення на магнітну чутливість монокристалів N-Si |P| [Електронний ресурс] / С. В. Луньов, А. І. Зімич, В. Т. Маслюк, І. Г. Мегела // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2019. - Т. 16, № 1. - С. 68-77. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2019_16_1_7
Досліджено тензоопір за T = 300 K для опромінених електронами, з енергією 10 МеВ, монокристалів n-Ge, одновісно деформованих вздовж кристалографічних напрямків [100], [110] та [111]. На основі аналізу одержаних залежностей сталої Холла від одновісного тиску було зроблено висновок, що домінуючим механізмом тензоопору опромінених монокристалів n-Ge є зміна співвідношення між концентраціями електронів та дірок у разі одновісної деформації. Одержана лінійна залежність тензоопору за одновісного тиску P >> 0,25 ГПа вздовж кристалографічного напрямку [100] може бути використана для конструювання на основі опроміненого n-Ge тензодатчиків для контролю високих одновісних тисків.
Попередній перегляд:   Завантажити - 744.199 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
...
 
Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського