 Книжкові видання та компакт-диски  Журнали та продовжувані видання  Автореферати дисертацій  Реферативна база даних  Наукова періодика України  Тематичний навігатор  Авторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Макара В$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 43
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Шевченко В. Б. Определение АФК в присутствии биологически активных веществ по флуоресценции пористого кремния [Електронний ресурс] / В. Б. Шевченко, А. И. Даценко, О. В. Шаблыкин, Т. В. Осадчук, А. М. Ляхов, Ю. В. Пивоваренко, В. А. Макара // Український біохімічний журнал. - 2012. - Т. 84, № 4. - С. 74-78. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/BioChem_2012_84_4_11 Получены спектры флуоресценции пористого кремния, модифицированного водными растворами биологически активных веществ, а также спектры флуоресценции пористого кремния, модифицированного монослоями из лецитина, сформированными на поверхности водных растворов биологически активных веществ. На основании анализа полученных спектров сделаны выводы о влиянии исследованных веществ на содержание АФК в водных растворах и лецитиновых монослоях.
| | 2. |
Макара В. А. Обумовлені дією рентгенівського випромінювання та магнітного поля особливості динамічної поведінки дислокацій у кристалах кремнію [Електронний ресурс] / В. А. Макара, Л. П. Стебленко, О. М. Кріт, Д. В. Калініченко, А. М. Курилюк, С. М. Науменко // Доповiдi Національної академії наук України. - 2012. - № 4. - С. 71-74. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2012_4_14 Виявлено особливості в динамічній поведінці дислокацій, які проявляються за самостійної дії рентгенівського випромінювання, а також комбінованого (рентгенівського та магнітного) впливу на кристали кремнію. Встановлені зміни в мікропластичних характеристиках кристалів кремнію проаналізовано з точки зору стимулювання рентгенівською та магнітною дією міждефектних перетворень.
| | 3. |
Плющай І. В. Особливості електронної структури твердих розчинів перехідних металів у хромі [Електронний ресурс] / І. В. Плющай, М. І. Захаренко, В. А. Макара, О. І. Плющай // Доповiдi Національної академії наук України. - 2012. - № 6. - С. 84-88. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2012_6_15 Досліджено електронну структуру твердих розчинів V, Mn і Mo в хромі за допомогою методу розрахунку LMTO (linear muffin-tin orbital). Розраховано енергетичні залежності густини електронних станів для надкомірки, що містить 16 атомів. Показано, що додавання V, Mn і Mo призводить до розщеплення основного 3d-піка хрому на дві підзони за рахунок формування хвиль зарядової густини.Досліджено електронну структуру твердих розчинів перехідних металів (Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu; Nb, Mo; Ta, W) у хромі за допомогою методу розрахунку LMTO (linear muffin-tin orbital). Розраховано енергетичні залежності густини електронних станів для надкомірки, що містить 16 атомів. Показано, що додавання домішкових атомів перехідних металів призводить до розщеплення основного 3d піка хрому на дві підзони за рахунок формування хвиль зарядової густини. Доведено незастосовність моделі нестинга до розглянутих сплавів хрому.
| | 4. |
Кудін В. Г. Синтез боридів N23−xMexB6 (Me — Ti, Zr, Hf) методом реакційного спікання в умовах високих тиску й температури [Електронний ресурс] / В. Г. Кудін, О. С. Осіпов, Н. М. Білявина, В. Я. Марків, В. А. Макара, В. М. Ткач // Доповiдi Національної академії наук України. - 2011. - № 2. - С. 90-95. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2011_2_17
| | 5. |
Кудін В. Г. Синтез бориду Ni23−xAlxB6 реакційним спіканням в умовах високого тиску та температури [Електронний ресурс] / В. Г. Кудін, О. С. Осіпов, Н. М. Білявина, В. Я. Марків, В. А. Макара, С. В. Ткач // Доповiдi Національної академії наук України. - 2011. - № 6. - С. 97-101. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2011_6_19
| | 6. |
Плющай І. В. Електронний, зарядовий та магнітний стани точкових дефектів в монокристалах кремнію [Електронний ресурс] / І. В. Плющай, В. А. Макара, О. І. Плющай // Доповiдi Національної академії наук України. - 2011. - № 9. - С. 82-89. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2011_9_16 Розраховано електронні спектри надкомірки з 64 атомів кремнію, що містить точковий дефект (ТД) - власний дефект (вакансію та міжвузловий атом), кисень і вуглець у міжвузловому положенні та стані заміщення. Розрахунок проведено за допомогою методу linear muffin-tin orbital. Розглянуто зміни густини електронних станів монокристалів кремнію, а також можливість формування магнітних моментів на дефектах. Показано, що частково заповнена домішкова підзона, яка спостерігається для вакансії, атомів кисню та вуглецю в міжвузловому положенні може призводити до формування магнітного моменту. Проаналізовано зарядовий стан ТД у монокристалах кремнію.
| | 7. |
Закарян Д. А. Комп'ютерне моделювання умов утворенння евтектики в системі Hf–HfB [Електронний ресурс] / Д. А. Закарян, В. В. Картузов, В. А. Макара, А. В. Хачатрян // Доповiдi Національної академії наук України. - 2010. - № 5. - С. 95-100. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2010_5_18 Побудовано термодинамічний потенціал подвійної системи Hf - HfB за допомогою методу псевдопотенціалів. Енергію теплових коливань обчислено в межах моделі Ейнштейна з використанням енергії взаємодії між атомними площинами. Оцінена енергія змішування систем підтверджує факт утворювання евтектики. Визначено концентрації компонент і температури в точці евтектики. Обчислено питомий електроопір для компонентів та системи в цілому.
| | 8. |
Плющай І. В. Електронний та магнітний стани атомів кисню в монокристалах кремнію [Електронний ресурс] / І. В. Плющай, В. А. Макара // Доповiдi Національної академії наук України. - 2009. - № 3. - С. 110-114. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2009_3_21 Розраховано електронний спектр надкомірки з 64 атомів кремнію, що містить домішковий атом кисню в міжвузловому положенні та стані заміщення. Розрахунок проведено за допомогою методу LMTO. Обговорено зміни густини електронних станів монокристалів кремнію, а також можливість формування магнітних моментів на домішкових атомах. Показано, що частково заповнена домішкова підзона атомів кисню в міжвузловому положенні може призводити до формування магнітного моменту.
| | 9. |
Кудін В. Г. Фазові рівноваги в багатій на нікель області концентрацій системи Ni–B–C при нормальному тиску (900 °С) та при 7,7 ГПа (1200 °С) [Електронний ресурс] / В. Г. Кудін, О. С. Осіпов, Н. М. Білявина, В. Я. Марків, В. А. Макара, В. М. Ткач // Доповiдi Національної академії наук України. - 2009. - № 8. - С. 89-95. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2009_8_17 У результаті дослідження багатих на нікель сплавів системи Ni - B - C, одержаних за допомогою методу реакційного спікання за високого тиску, побудовано фрагмент ізотермічного перерізу цієї системи за 7,7 ГПа і <$E 1200~symbol Р roman C>. Показано, що за високого тиску утворюються тверді розчини на основі нікелю та бориду Ni3B (до 18 і 10 % (ат.) C, відповідно). Уточнено кристалічну структуру цих твердих розчинів.
| | 10. |
Семенько М. П. Особливості тензорезистивного ефекту аморфних металевих сплавів при різних типах деформації [Електронний ресурс] / М. П. Семенько, М. І. Захаренко, В. А. Макара // Доповiдi Національної академії наук України. - 2008. - № 7. - С. 99-104. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2008_7_20 The formulas for tensoresistance coefficients in the cases of uniaxial tension and compression, as well as of uniform compression, are obtained using the Faber - Ziman theory in the assumption that changes of the electric resistance R under external stress a mainly arise due to changes of the structural factor. The estimations by the proposed relations are in good agreement with the experimental results for uniaxial tension and compression and with the reference data for uniform pressure.
| | 11. |
Макара В. А. Фотопровідність кремнію в умовах магнітного впливу [Електронний ресурс] / В. А. Макара, Л. П. Стебленко, А. О. Подолян, А. М. Курилюк, Ю. Л. Кобзар, С. М. Науменко // Доповiдi Національної академії наук України. - 2008. - № 10. - С. 91-95. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2008_10_19 It is shown that the action of magnetic fields (MF) of different nature (constant and variable MF and a microwave superhigh-frequency field) changes the relaxation kinetics of photoconductivity (PC) in silicon crystals. For an explanation of the obtained results, the mechanism, according to which differences in the relaxation times of PC are related to structural changes in the surface layer of Si that are stimulated by the magnetic influence, is offered.
| | 12. |
Плющай І. В. Про роль атомів бору в формуванні електронної структури аморфних сплавів на основі заліза [Електронний ресурс] / І. В. Плющай, М. І. Захаренко, В. А. Макара // Доповiдi Національної академії наук України. - 2007. - № 1. - С. 100-104. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2007_1_21 The role of boron atoms in the formation of the electronic structure of Fe - B-based amorphous metallic alloys (AMA) has been analyzed. In particular, the problem of the boron charge state has been considered. The energy dependence of the density of electronic states has been calculated for the model systems corresponding to the amorphous Fe and AMA Fe80B20 using the LMTO method. The main contribution to the density of electronic states in the vicinity of the Fermi level is shown to be determined by 3d-electrons of iron. The doping with boron leads to the splitting of the 3d-peak into bound and antibound subbands, which places the Fermi level within the pseudogap between these subbands. This reduces the density of electronic states at the Fermi level that is in agreement with the Nagel-Tauc criterion of the amorphous state stability. The performed calculation and the experimental X-ray emission spectra prove that boron atoms are the electron acceptors in the Fe-based AMAs.
| | 13. |
Шірінян А. С. Розмірно-залежна петля двофазних станів ізольованої Cu-Ni наночастинки [Електронний ресурс] / А. С. Шірінян, Ю. Білогородський, В. А. Макара // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 3. - С. 497-503. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_3_8 Наведено загальні термодинамічні міркування про фазову діаграму для багатокомпонентних наносистем, що зазнають фазового перетворення типу рідина -> тверде тіло з концентраційним виснаженням. Для нанорозмірної ізольованої наночастинки Cu-Ni радіуса 30 нм розраховано і побудовано розмірно-залежну "петлю" проміжних двофазних станів для кристалізації. Підтверджено зсув критичних точок фазового перетворення в наночастинці.
| | 14. |
Попов О. Ю. Структура та механічні характеристики реакційно-пресованих композитів системи Ti – B – Al [Електронний ресурс] / О. Ю. Попов, О. О. Бобришев, О. Ю. Клепко, В. А. Макара // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 2. - С. 395-400. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_2_31 Метод реакційного гарячого пресування суміші порошків титану, алюмінію та бору використано для синтезу дрібнодисперсних матеріалів системи TiB2 - Al без попереднього розмелу порошків. Показано, що протікання фізико-хімічної взаємодії між компонентами шихти в процесі гарячого пресування надає можливість одержати компактні зразки в інтервалі температур <$E 1600~-~1800~symbol Р roman C> і тиску 20 МПа впродовж 8 хв.
| | 15. |
Сівак О. А. Особливості утворення тугоплавких фаз в системі Al-Сr2О3-B2O3 [Електронний ресурс] / О. А. Сівак, М. І. Чередник, І. М. Тоцький, О. Ю. Попов, В. А. Макара // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 4. - С. 780-783. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_4_18 Досліджено температурні та часові залежності освіти тугоплавких фаз Al2O3 в ході реакційного синтезу за температур ізотермічної витримки від 1000 до 1600 oC і тривалості від 2 до 16 хв. Показано, що реакційний синтез систем Al - Cr2O3 і Al - B2O3 протікає в декілька стадій і призводить до утворення додаткових, щодо легкоплавких фаз, таких як B2O3, металевого хрому та інтерметалідів алюмінію і хрому, які за більш високотемпературних режимів спікання розпадаються й утворюють тугоплавкі сполуки. Використання реакційної суміші Al - Cr2O3 - B2O3 (енергетичний вихід реакції становить 730 кДж, що надає можливість вже за температур від 1300 oC одержувати склади, містять лише тугоплавкі керамічні фази.
| | 16. |
Плющай I. В. Магнiтний стан крайової дислокацiї в кремнiї [Електронний ресурс] / I. В. Плющай, В. А. Макара, О. I. Плющай // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 1. - С. 83-88. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2013_1_16
| | 17. |
Плющай I. В. Електронний стан атомiв кисню в ядрi дислокацiї в кремнiї [Електронний ресурс] / I. В. Плющай, В. А. Макара, О. I. Плющай, Т. В. Волкова // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 11. - С. 90-95. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2013_11_16
| | 18. |
Заремба Є. Х. Клінічний випадок розшаровуючої аневризми аорти з утворенням "несправжнього каналу" на фоні гіпертонічної хвороби [Електронний ресурс] / Є. Х. Заремба, В. З. Макара, Я. В. Мизак // Практикуючий лікар. - 2014. - № 3. - С. 51-53. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PraktLik_2014_3_13
| | 19. |
Плющай I.В. Першопринципне моделювання процесу аморфiзацiї в системi Fe−Zr [Електронний ресурс] / I.В. Плющай, В.А. Макара, О. I. Плющай, Т.В. Волкова // Доповіді Національної академії наук України. - 2015. - № 8. - С. 84-88. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2015_8_14
| | 20. |
Макара В. А. Особливості магнітостимульованої зміни поверхневого електричного потенціалу в кристалах кремнію, що використовуються для потреб сонячної енергетики та мікроелектроніки [Електронний ресурс] / В. А. Макара, Л. П. Стебленко, О. О. Коротченков, А. Б. Надточій, Д. В. Калініченко, А. М. Курилюк, Ю. Л. Кобзар, О. М. Кріт, С. М. Науменко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2014. - Т. 12, Вип. 2. - С. 247-258. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nano_2014_12_2_7 Путем локальных измерений фото-эдс и построения карт распределения поверхностного электрического потенциала определен характер магнитостимулированных изменений во времени жизни носителей заряда в кристаллах кремния для солнечной энергетики и микроэлектроники. Особенности в проявлении выявленных магниточувствительных эффектов связываются с различиями в примесном составе и с различиями в протекании вызванных магнитным влиянием междефектных преобразований в кристаллах "солнечного" кремния и кремния для микроэлектроники.
| | | |
|
|