 Книжкові видання та компакт-диски  Журнали та продовжувані видання  Автореферати дисертацій  Реферативна база даних  Наукова періодика України  Тематичний навігатор  Авторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Матківський О$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 19
Представлено документи з 1 до 19
|
| 1. |
Фреїк Д. М. Нанокомпозитні термоелектричні матеріали: отримання, властивості використання (огляд) [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, О. С. Криницький, О. М. Матківський // Прикарпатський вісник НТШ. Число. - 2012. - № 1. - С. 155-195. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Pvntsh_ch_2012_1_19
| | 2. |
Фреїк Д. М. Композитні термоелектричні матеріали із нановключеннями: сучасний стан і перспективи (Огляд) [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, О. С. Криницький, О. М. Матківський // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2013. - Т. 10, № 4. - С. 60-80. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2013_10_4_7
| | 3. |
Фреїк Д. М. Явища переносу у парофазних конденсатах PbTe-Bi2Te3 на поверхні слюди [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, Б. С. Дзундза, Я. С. Яворський, Т. С. Люба, О. М. Матківський // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2014. - Т. 5, № 1. - С. 82-88. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2014_5_1_13 Досліджено залежність структурних характеристик та електричних властивостей тонких плівок твердих розчинів PbTe - Bi2Te3 складів 1, 3, 5 мол. % Bi2Te32Te3 складів 1, 3, 5 мол. % Bi2Te3, осаджених у відкритому вакуумі на ситалових підкладках від їх товщини d (0,2 - 2) мкм. Визначено ефективну довжину вільного пробігу <$Elambda> носіїв заряду і встановлено домінуючий механізм їх розсіювання. У межах двошарової моделі Петріца зроблено оцінку величини термоелектричних параметрів приповерхневих шарів. Встановлено що конденсат характеризується стабільним n-типом провідності і має місце дифузне розсіювання носіїв на поверхні, що зумовлює значне зменшення по відношенню до об'єму плівок величини рухливості (mus), питомої електропровідності (sigmas), та зростання коефіцієнта Зеєбека (Ss). Одержані результати пояснено акцепторним впливом атмосферного кисню та дроселюванням носіїв заряду на потенціальних бар'єрах міжзеренних меж.Проведено дослідження залежності структурних характеристик і термоелектричних властивостей тонких плівок твердих розчинів PbTe - Sb2Te3 складів 1,3,5 мол. % Sb2Te3, осаджених у відкритому вакуумі на ситалових підкладках від їх товщини d = (0,2 - 2) мкм. Визначено ефективну довжину вільного пробігу носіїв заряду та встановлено домінуючий механізм їх розсіювання. У межах двошарової моделі Петріца зроблено оцінку величини термоелектричних параметрів приповерхневих шарів. Встановлено, що конденсат характеризується стабільним n-типом провідності і має місце дифузне розсіювання носіїв на поверхні, що зумовлює значне зменшення по відношенню до об'єму плівок величини рухливості, питомої електропровідності, та зростання коефіцієнта Зеєбека. Одержані результати пояснено акцепторним впливом атмосферного кисню та дроселюванням носіїв заряду на потенціальних бар'єрах міжзеренних меж.
| | 4. |
Фреїк Д. М. Явища переносу у парофазних конденсатах PbTe-Sb2Te3 на ситалі [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, В. В. Мокляк, Б. С. Дзундза, Я. С. Яворський, О. Б. Костюк, О. М. Матківський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 4. - С. 789-793. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_4_19 Досліджено залежність структурних характеристик та електричних властивостей тонких плівок твердих розчинів PbTe - Bi2Te3 складів 1, 3, 5 мол. % Bi2Te32Te3 складів 1, 3, 5 мол. % Bi2Te3, осаджених у відкритому вакуумі на ситалових підкладках від їх товщини d (0,2 - 2) мкм. Визначено ефективну довжину вільного пробігу <$Elambda> носіїв заряду і встановлено домінуючий механізм їх розсіювання. У межах двошарової моделі Петріца зроблено оцінку величини термоелектричних параметрів приповерхневих шарів. Встановлено що конденсат характеризується стабільним n-типом провідності і має місце дифузне розсіювання носіїв на поверхні, що зумовлює значне зменшення по відношенню до об'єму плівок величини рухливості (mus), питомої електропровідності (sigmas), та зростання коефіцієнта Зеєбека (Ss). Одержані результати пояснено акцепторним впливом атмосферного кисню та дроселюванням носіїв заряду на потенціальних бар'єрах міжзеренних меж.Проведено дослідження залежності структурних характеристик і термоелектричних властивостей тонких плівок твердих розчинів PbTe - Sb2Te3 складів 1,3,5 мол. % Sb2Te3, осаджених у відкритому вакуумі на ситалових підкладках від їх товщини d = (0,2 - 2) мкм. Визначено ефективну довжину вільного пробігу носіїв заряду та встановлено домінуючий механізм їх розсіювання. У межах двошарової моделі Петріца зроблено оцінку величини термоелектричних параметрів приповерхневих шарів. Встановлено, що конденсат характеризується стабільним n-типом провідності і має місце дифузне розсіювання носіїв на поверхні, що зумовлює значне зменшення по відношенню до об'єму плівок величини рухливості, питомої електропровідності, та зростання коефіцієнта Зеєбека. Одержані результати пояснено акцепторним впливом атмосферного кисню та дроселюванням носіїв заряду на потенціальних бар'єрах міжзеренних меж.
| | 5. |
Фреїк Д. М. Фазовий склад термоелектричних матеріалів на основі твердих розчинів PbTe-Sb2Te3, PbTe-Bi2Te3 [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, С. І. Мудрий, І. В. Горічок, О. С. Криницький, О. М. Матківський, Т. С. Люба, Т. О. Семко. // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_4_26 Наведено результати ренгенографічних досліджень термоелектричних матеріалів на основі твердих розчинів PbTe - Sb2Te3, PbTe - Bi2Te3 у діапазоні 0 - 5 мол. % Sb2Te3 (Bi2Te3). Встановлено залежність фазового та структурного стану системи від хімічного складу і умов термічної обробки зразків.
| | 6. |
Горічок І. В. Визначення теплопровідності напівпровідників методом радіального теплового потоку [Електронний ресурс] / І. В. Горічок, А. І. Ткачук, О. С. Криницький, О. М. Матківський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 4. - С. 912-914. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_4_39 Запропоновано установку для вимірювання теплопровідності напівпровідникових матеріалів із використанням методу радіального теплового потоку. Розроблену методику апробовано на термоелектричних зразках плюмбум телуриду.
| | 7. |
Фреїк Д. М. Синтез і термоелектричні властивості твердих розчинів PbTe-Sb2Te3 [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, Ц. А. Криськов, І. В. Горічок, Т. С. Люба, Л. В. Туровська, О. С. Криницький, О. М. Матківський, І. П. Яремій // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 1. - С. 137-144. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_1_23 Приведено результати дослідження мікроструктури та термоелектричних параметрів сплавів PbTe:Ni та (Pb0,5Sn0,5)0,4995Te0,5005, одержаних синтезом окремих компонентів. Встановлено, що якщо легований нікелем плюмбум телурид характеризується електронною провідністю, то твердий розчин - дірковою. Виявлено вплив величини фракцій одержаного матеріалу для брикетування на його характеристики.Надано результати дослідження термоелектричних властивостей виготовлених за допомогою металокерамічного методу зразків плюмбум телуриду, легованого сурмою. Встановлено кореляцію між технологічними факторами та термоелектричними параметрами одержаного матеріалу.Наведено результати дослідження термоелектричних властивостей твердих розчинів (ТР) PbTe-Sb2Te3 у діапазоні 0 - 5 мол. % Sb2Te3. Здійснено кристалохімічний аналіз дефектної підсистеми ТР, на підставі якого зроблено висновки про можливі механізми входження атомів стибію у кристалічну гратку.
| | 8. |
Фреїк Д. М. Нові термоелектричні нанокомпозитні матеріали (огляд) [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, М. О. Галущак, О. С. Криницький, О. М. Матківський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 2. - С. 300-316. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_2_10 Проведено огляд робіт щодо проблем одержання та особливостей термоелектричних властивостей перспективних напівпровідникових композитних матеріалів для пристроїв перетворення теплової енергії. Розглянуто як традиційні нанокомпозити на основі халькогенідних сполук Bi2Te3, PbTe, AgSbTe2, так нові структури типу половинних сполук Гейслера та скутерудитів. Визначено стратегії подальшого розвитку нових нанокомпозитних матеріалів із підвищеними значеннями термоелектричних параметрів.
| | 9. |
Фреїк Д. М. Приповерхневі шари і термоелектричні властивості тонких плівок твердих розчинів PbTe-Bi2Te3 [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, Б. С. Дзундза, Я. С. Яворський, О. Б. Костюк, О. М. Матківський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 3. - С. 555-559. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_3_19 Досліджено термоелектричні властивості плівок на основі чистого та легованого бісмутом телуриду олова, одержаних конденсацією пари у відкритому вакуумі на ситалові та слюдяні підкладки. На базі двошарової моделі Петріца визначено електричні параметри приповерхневих шарів. Одержані результати інтерпретуються процесами адсорбції кисню на поверхні та його дифузії в глиб конденсату.Досліджено термоелектричні властивості полікристалічних плівок PbTe:Bi, одержаних конденсацією пари у відкритому вакуумі на ситалові підкладки. На базі двошарової моделі Петріца знайдено електричні параметри приповерхневих шарів. Одержані результати інтерпретуються процесами адсорбції кисню на поверхні та його дифузії в глиб конденсату. Показано, що конденсати товщиною d меншими за 0,2 мкм характеризуються покращеними термоелектричними властивостями.Досліджено термоелектричні властивості тонких плівок Pb18Ag2-xSbxTe20, одержаних конденсацією пари у відкритому вакуумі на слюдяні підкладки. На базі двошарової моделі Петріца знайдено електричні параметри приповерхневих шарів. Показано, що конденсати товщиною d > мкм характеризуються покращеними термоелектричними властивостями.Досліджено термоелектричні властивості плівок на основі твердих розчинів PbTe - Bi2Te3 різного складу, одержаних конденсацією пари у відкритому вакуумі на ситалові та слюдяні підкладки. На базі двошарової моделі Петріца визначено електричні параметри приповерхневих шарів. Одержані результати інтерпретуються процесами адсорбції кисню на поверхні та його дифузії в глиб конденсату.
| | 10. |
Фреїк Д. М. Термодинамічні властивості і дефектна підсистема твердих розчинів PbTe-Bi2Te3 [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, Ц. А. Криськов, І. В. Горічок, Т. С. Люба, Л. В. Туровська, О. С. Криницький, О. М. Матківський, І. П. Яремій, В. І. Маковишин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 3. - С. 572-576. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_3_22
| | 11. |
Фреїк Д. М. Термоелектричні властивості легованого вісмутом плюмбум телуриду PbTe:Bi [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, С. І. Мудрий, Ц. А. Криськов, І. В. Горічок, Т. С. Люба, О. С. Криницький, О. М. Матківський, Т. О. Семко // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 2. - С. 288-293. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_2_12 Проведено рентгенографічні дослідження та вимірювання термоелектричних параметрів (коефіцієнта термоерс <$E alpha> і питомої електропровідності <$E sigma>) легованого вісмутом плюмбум телуриду. Встановлено наявність текстури у досліджуваних матеріалах, ідентифіковано фазу Pb1-xBix, присутню у всіх легованих зразках незалежно від вмісту домішки. Показано, що введення вісмуту в кількості (0,1 - 0,3) ат. % сприяє зростанню термоелектричної потужності <$E alpha sup 2 sigma> PbTe внаслідок збільшення як питомої електропровідності <$E sigma>, так і коефіцієнта термоерс <$E alpha> у порівнянні з нелегованим матеріалом.Проведено рентгенографічні дослідження та вимірювання коефіцієнта термоерс (<$E alpha>) і питомої електропровідності (<$E sigma>), легованого вісмутом станум телуриду у діапазоні концентрацій (0 - 2,0) ат. % Bi. Встановлено немонотонні залежності параметра елементарної комірки та електрофізичних параметрів від вмісту домішки. Показано, що введення вісмуту в кількості 1,0 ат. % сприяє зростанню в інтервалі температур T >> 500 K термоелектричної потужності <$E alpha sup 2 sigma> SnTe внаслідок збільшення коефіцієнта термоерс (<$E alpha>) у порівнянні з нелегованим матеріалом.
| | 12. |
Матківський О. М. Фізико-хімічні властивості і механізми легування вісмутом станум телуриду [Електронний ресурс] / О. М. Матківський, І. В. Горічок, Д. М. Фреїк, Г. Я. Гургула // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 3. - С. 469-474. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_3_6 Наведено аналіз особливостей діаграм рівноваги та області гомогенності сполуки SnTe, характеру дефектної підсистеми кристалічної структури, фізико-хімічних властивостей як чистого, так і легованого вісмутом станум телуриду. На підставі експериментальних досліджень концентраційних залежностей сталої гратки та термоелектричних параметрів SnTe:Bi визначено можливі механізми взаємодії легуючої домішки з матрицею: заміщення металом халькогену, а також збільшення величини області гомогенності з утворенням вакансій у катіонній підгратці.
| | 13. |
Фреїк Д. М. Структура і термоелектричні властивості легованих вісмутом парофазних конденсатів станум телуру SnTe:Bi [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, Я. С. Яворський, І. І. Чавяк, В. І. Маковишин, О. М. Матківський, Р. Я. Яремків // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 4. - С. 767-773. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_4_16 Надано результати ACM-досліджень процесів структуроутворення та термоелектричних властивостей парофазних конденсатів легованого Sb і Bi плюмбум телуриду, а також твердих розчинів (ТР) PbTe-Sb2Te3, PbTe-Bi2Te3, осаджених на підкладках із полірованого скла. Встановлено вплив часу осадження <$E tau> = (3 - 75) с (товщини конденсату) на особливості формування окремих наноутворень і зміну термоелектричних параметрів. Показано, що основним механізмом зародження є Фольмера - Вебера з утворенням окремих нанокластерів і реалізацією процесів нуклеацій, агрегування та коалесценцій. Виявлено значний донорний вплив домішок Sb і Bi та "гігантські" значення коефіцієнтів Зеєбека S = (800 - 1400) мкВ/К ТР. Запропоновано кристалохімічні механізми процесів легування та утворення ТР для досліджуваних конденсатів. Вказано на домінування заміщення домішками катіонних вузлів кристалічної гратки PbTe (<$E roman {Sb sup 2+~symbol О~Sb sub Pb sup 1+}>, <$E roman {Bi sup 2+~symbol О~Bi sub Pb sup 1+}>).Надано результати комплексного дослідження фазового складу, структури та термоелектричних властивостей легованих вісмутом (0,3 - 2 ат.% Bi) тонких плівок SnTe:Bi, осаджених у відкритому вакуумі на свіжі сколи (0001) монокристалів слюди-мусковіт. Визначено механізми зародження та процеси росту, а також залежності розмірів нанокристалітів та електричних параметрів від товщини конденсатів і вмісту легуючої домішки Bi. Встановлено, що оптимальні термоелектричні характеристики тонких плівок SnTe:Bi визначаються як товщиною, так і вмістом легуючої домішки. Одержаним результатам представлено фізико-хімічне трактування.
| | 14. |
Фреїк Д. М. Кристалохімічне представлення амфотерного впливу домішки вісмуту у станум телуриді [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, Л. В. Туровська, І. В. Горічок, О. М. Матківський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 4. - С. 774-779. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_4_17 Запропоновано моделі точкових дефектів у легованих вісмутом кристалах станум телуриду з урахуванням амфотерної дії домішки (Bi3+, Bi3-). З'ясовано вплив величини диспропорціонування зарядового стану домішки на зміну концентрації носіїв заряду. На базі запропонованих кристалоквазіхімічних формул розраховано залежності концентрації точкових дефектів, холлівської концентрації носіїв заряду від вмісту легуючої домішки.
| | 15. |
Фреїк Д. М. Синтез і властивості високоефективних термоелектричних матеріалів на основі систем Pb-Ag-Sb-Te [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, С. І. Мудрий, Ц. А. Криськов, І. В. Горічок, О. М. Матківський, Т. О. Семко // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16, № 1. - С. 49-54. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2015_16_1_9 Надано результати рентгенографічних досліджень і вимірювань термоелектричних параметрів (коефіцієнта термоерс, питомої електропровідності та коефіцієнта теплопровідності) матеріалів на основі плюмбум телуриду: PbTe, PbTe:Sb, PbTe - Sb2Te3, Pb18Ag1Sb1Te20, Pb18Ag2Te20 і PbTe - Ag2Te. Встановлено, що найбільш високими значеннями термоелектричної добротності володіють PbTe:Sb (0,3 ат.% Sb) і системи Pb18Ag1Sb1Te20, Pb18Ag2Te20, що у першому випадку зумовлено значним ростом електропровідності матеріалу, а у двох інших - як збільшенням коефіцієнту термоерс, так і значним зниженням теплопровідності у порівнянні з бездомішковим PbTe.
| | 16. |
Матківський О. М. Термоелектричний плюмбуму телурид із нановключеннями ZnO [Електронний ресурс] / О. М. Матківський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16, № 1. - С. 62-67. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2015_16_1_11
| | 17. |
Фреїк Д. М. Термоелектричні властивості легованого вісмутом станум телуриду SnTe:Bi [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, С. І. Мудрий, І. В. Горічок, В. В. Прокопів, О. М. Матківський, І. О. Арсенюк, О. С. Криницький, В. М. Бойчук // Український фізичний журнал. - 2016. - Т. 61, № 2. - С. 161-165. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2016_61_2_11 Проведено рентгенографічні дослідження та вимірювання термоелектричних параметрів (коефіцієнта термоерс <$E alpha> і питомої електропровідності <$E sigma>) легованого вісмутом плюмбум телуриду. Встановлено наявність текстури у досліджуваних матеріалах, ідентифіковано фазу Pb1-xBix, присутню у всіх легованих зразках незалежно від вмісту домішки. Показано, що введення вісмуту в кількості (0,1 - 0,3) ат. % сприяє зростанню термоелектричної потужності <$E alpha sup 2 sigma> PbTe внаслідок збільшення як питомої електропровідності <$E sigma>, так і коефіцієнта термоерс <$E alpha> у порівнянні з нелегованим матеріалом.Проведено рентгенографічні дослідження та вимірювання коефіцієнта термоерс (<$E alpha>) і питомої електропровідності (<$E sigma>), легованого вісмутом станум телуриду у діапазоні концентрацій (0 - 2,0) ат. % Bi. Встановлено немонотонні залежності параметра елементарної комірки та електрофізичних параметрів від вмісту домішки. Показано, що введення вісмуту в кількості 1,0 ат. % сприяє зростанню в інтервалі температур T >> 500 K термоелектричної потужності <$E alpha sup 2 sigma> SnTe внаслідок збільшення коефіцієнта термоерс (<$E alpha>) у порівнянні з нелегованим матеріалом.
| | 18. |
Горічок І. В. Технологічні аспекти отримання термоелектричного PbTe [Електронний ресурс] / І. В. Горічок, І. М. Ліщинський, С. І. Мудрий, О. С. Оберемок, Т. О. Семко, І. М. Хацевич, О. М. Матківський, Г. Д. Матеїк, Р. О. Дзумедзей // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2017. - Т. 14, № 3. - С. 53-64. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2017_14_3_7 Представлено результати дослідження фазового складу і структурного стану синтезованих за різних технологічних факторів полікристалічних зливків бездомішкового телуриду свинцю та виготовлених на їх основі методом пресування порошку зразків. Проведено вимірювання температурних залежностей питомої електропровідності, коефіцієнта термоерс та коефіцієнта теплопровідності. Встановлено вплив температури відпалу зразків на їх термоелектричні властивості.
| | 19. |
Бушкова В. С. Температурна залежність початкової магнітної проникності феритів системи NixCo1-xFe2O4 [Електронний ресурс] / В. С. Бушкова, О. В. Копаєв, Н. І. Бушков, Б. В. Карпик, О. М. Матківський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16, № 4. - С. 695-699. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2015_16_4_13 Порошки нікель-кобальтових феритів синтезовано за допомогою золь-гель методу за участі автогоріння. Одержано залежність початкової магнітної проникності від ступеня заміщення катіонів кобальту катіонами нікелю. Виявлено, що розмір кристалітів має суттєвий вплив на магнітні властивості досліджуваних зразків. Зі зменшенням розміру кристалітів нікель-кобальтових феритів знижується температура Кюрі. Показано, що чим меншими є частинки за розмірами, тим більшою є товщина поверхневого шару зі значними порушеннями магнітної структури.
|
|
|