Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
у знайденому
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (6)Автореферати дисертацій (1)Реферативна база даних (16)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Мирончук Г$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 28
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Давидюк Г. Є. 
Особливості утворення і відпалу нано-розмірних дефектних кластерів в монокристаллах CdS опромінених нейтронами з енергією 1 МеВ [Електронний ресурс] / Г. Є. Давидюк, Г. Л. Мирончук, В. В. Божко // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 3. - С. 643-649. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_3_19
Досліджено електричні, оптичні та фотоелектричні властивості спеціально нелегованих монокристалів CdS, опромінених великими дозами (більше 10<^>18 cм<^>-2) швидких реакторних нейтронів. Встановлено, що в нейтронно опромінених кристалах домінують кластери дефектів (КД). Відпал КД відбувається в інтервалі температур ~ 200 - 400 градусів за Цельсієм і веде до розпаду КД і збагачення кристалічної гратки VCd. Запропоновано несуперечливу фізичну модель експериментально-спостережуваних явищ. Вважається, що в утворенні КД суттєву роль відіграють підпорогові ефекти, зв'язані зі збудженням та іонізацією K-електронної оболонки атомів Cd.
Попередній перегляд:   Завантажити - 417.799 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Мирончук Г. Л. 
Електричні і оптичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4 [Електронний ресурс] / Г. Л. Мирончук, Г. Є. Давидюк, О. В. Парасюк, М. В. Шевчук, О. В. Якимчук, С. П. Данильчук // Український фізичний журнал. - 2012. - Т. 57, № 10. - С. 1050-1054. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2012_57_10_9
Досліджено монокристали твердих розчинів 50 мол. % AgGaGeS4 + 50 мол. % AgGaGe3Se8. Внаслідок статистичного розміщення у вузлах кристалічної гратки атомів Ga і Ge, а також наявності вузлів, не заповнених атомами Ag, тверді розчини проявляють властивості невпорядкованих напівпровідників з максимальною щільністю локалізованих енергетичних станів біля середини забороненої зони. Встановлено оптичну та термічну ширину забороненої зони та їх температурну залежність. Монокристали розчину AgGaGe2Se4 виявилися фоточутливими напівпровідниками p-типу провідності з положенням рівня Фермі біля середини забороненої зони. Досліджено особливості електропровідності та спектрального розподілу фотопровідності зразків розчину. Запропоновано несуперечливу фізичну модель, яка дозволяє пояснити експериментально одержані результати.
Попередній перегляд:   Завантажити - 596.214 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Махновець Г. В. 
Оптичні властивості кристалів системи Tl1-xGa1-xSnxSe2 (x=0,05; 0,1) [Електронний ресурс] / Г. В. Махновець, Г. Л. Мирончук, О. В. Парасюк // Науковий вісник Чернівецького університету. Хімія. - 2016. - Вип. 781. - С. 75-79. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchu_chem_2016_781_16
Попередній перегляд:   Завантажити - 411.724 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Парасюк О. 
Одержання кристалів TlGa(In)Se2 та вплив катіонного заміщення на їхні фізичні параметри [Електронний ресурс] / О. Парасюк, Л. Піскач, Г. Мирончук, О. Замуруєва, Г. Махновець, О. Цісар, В. Бабіжецький, В. Левицький // Праці наукового товариства ім. Шевченка. Хімічні науки. - 2017. - Т. 48. - С. 64-74. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/pntsh_him_2017_48_8
Попередній перегляд:   Завантажити - 654.364 Kb    Зміст випуску     Цитування
5.

Кажукаускас В. 
Низькотемпературна фотопровідність та термостимульована провідність монокристалів Tl1-xIn1-xSnxSe2 [Електронний ресурс] / В. Кажукаускас, Г. Л. Мирончук, Р. Гарбачаускас, О. В. Парасюк, С. Савіцкі, О. В. Новосад, С. П. Данильчук, Л. В. Піскач // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2018. - Т. 15, № 1. - С. 53-62. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2018_15_1_8
Досліждено спектри фотопровідності в температурному інтервалі <$E roman T~symbol Ы~36~-~200> К та спектри термостимульованих струмів в температурному інтервалі <$E roman T~symbol Ы~70~-~300> К монокристалів Tl1-xIn1-xSnxSe2, отриманих методом напрямленої кристалізації Бріджмена-Стокбаргера. Виявлена індукована фотопровідність та довготривалі процеси релаксації фотопровідності. Для інтерпретації отриманих результатів запропонована модель двоцентрової рекомбінації. Показано, що роль r-центрів повільної рекомбінації в монокристалах Tl1-xIn1-xSnxSe2 виконують вакансії Tl. На основі досліджень спектрів термостимульованих струмів визначено термічну енергію активації електронів з t-рівнів прилипання.
Попередній перегляд:   Завантажити - 551.786 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Піскач Л. В. 
Система TlGaSe2–HgSe та властивості кристалів Tl0,98Hg0,02Ga0,98Se2 [Електронний ресурс] / Л. В. Піскач, О. П. Вронська, А. В. Махновець, Г. Л. Мирончук, А. О. Федорчук // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія : Хімія. - 2017. - Вип. 2. - С. 39-47. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvuuchem_2017_2_11
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.181 Mb    Зміст випуску     Цитування
7.

Кітик І. В. 
Вплив легуючих атомів хімічних елементів І, ІІІ і IV груп на деякі фізичні властивостімонокристалів тетрарної сполуки AgGaGe3Se8 [Електронний ресурс] / І. В. Кітик, Г. Л. Мирончук, Г. Є. Давидюк, О. В. Якимчук, О. В. Парасюк, М. Хмель // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2012. - № 3. - С. 8-18. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2012_3_4
Досліджено електричні, оптичні та фотоелектричні властивості монокристалів тетрарної фази AgGaGe3Se8, легованої атомами Cu, In, Si, Sn. Ця сполука - високоомний (10<^>-7 - 10<^>-10 Ом<^>-1см<^>-1, при <$E Т~symbol Ы~300> К) широкозонний напівпровідник (<$E E sub g ~symbol Ы~ 2,4> еВ) p-типу провідності з електричними, оптичними і фотоелектричними параметрами, які залежать від природи і концентрації легуючих домішок. Показано, що легування зразка AgGaGe3Se8 з 5 - 10 % концентрацією домішок веде до просвітлення кристала в області вікна пропускання світла (<$E h nu~<<~ 1,8> еВ). На основі запропонованої фізичної моделі, з врахуванням особливостей невпорядкованих систем, проведено інтерпретацію одержаних експериментальних результатів.
Попередній перегляд:   Завантажити - 751.032 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
8.

Давидюк Г. Є. 
Особливості фотолюмінесценції монокристалів тетрарної сполуки AgGaGeS4 [Електронний ресурс] / Г. Є. Давидюк, Г. Л. Мирончук, О. В. Парасюк, О. М. Юрченко, С. П. Данильчук, І. А. Левчук // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2012. - № 3. - С. 31-39. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2012_3_6
Розвиток сфери комунікаційного зв'язку в області систем управління і новітніх технологій у різних галузях промисловості і виробництва зумовлює потребу одержання дешевих, анізотропних, кристалічних фоточутливих сполук із регульованими параметрами і широкими вікнами пропускання світла, які можуть бути перспективними матеріалами оптоелектроніки, нелінійної оптики тощо. Як показали проведені в останні роки наукові дослідження, до таких матеріалів відносяться деякі багатокомпонентні сполуки. Завдяки низці фізичних властивостей особливо перспективними можуть виявитися халькогенідні фази, для яких аналогами є бінарні халькогеніди групи A<^>IIB<^>VI. Досліджено оптичні та фотоелектричні властивості маловивченої тетрарної монокристалічної сульфідної сполуки AgGaGeS4. Показано, що халькогенідні матеріали даного типу є фоточутливими широкозонними (<$E E sub g~symbol Ы~ 2,8> еВ при T = 300 K) напівпровідниками, спектр люмінесценції яких лежить у видимій області електромагнітного випромінювання (<$E lambda sub m~symbol Ы~ 700~-~735> нм). На основі дослідження температурної залежності інтенсивності випромінювання в максимумі спектрального розподілу фотолюмінесценції запропоновано модель центрів випромінювання, за які за умов низьких температур (<$E T~symbol Ы~ 80~-~180> K) відповідальні донорно-акцепторні пари. Встановлено енергетичне положення в забороненій зоні сполуки компонент пари, висловлено припущення щодо природи донора і акцептора, які входять у склад пари. За високих температур (<$E T~>>~180~-~200> K) механізм випромінювання набуває характеру рекомбінаційної люмінесценції.
Попередній перегляд:   Завантажити - 477.598 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
9.

Давидюк Г. Є. 
Особливості спектрів поглинання і фоточутливості монокристала тетрарної сполуки AgGaGeS4 [Електронний ресурс] / Г. Є. Давидюк, Г. Л. Мирончук, О. В. Парасюк, М. В. Хвищун, С. П. Данильчук, О. В. Замуруєва // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2012. - № 3. - С. 40-47. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2012_3_7
Проведено дослідження дефектних алмазоподібних тетрарних монокристалів AgGaGeS4 (просторова група Fdd2), в яких лише 75 % вузлів у кристалографічній позиції 16b зайняті атомами Ag. Наявність стехіометричних вакансій срібла і статистичне заповнення відповідних вузлів кристалічної гратки атомами Ga і Ge спричиняють появу властивостей невпорядкованих матеріалів у сполуках AgGaGeS4, p-типу провідності. На основі аналізу спектрів поглинання світла в області краю фундаментальних переходів зроблено висновок про існування підзон зони провідності, утворених хвильовими функціями орбіталей валентних електронів атомів Ag, Ga, Ge з різною ефективною масою. Монокристали AgGaGeS4 належать до фоточутливих напівпровідників. Інтерпретацію експериментальних результатів проведено в межах моделі Мотта для невпорядкованих тіл.
Попередній перегляд:   Завантажити - 440.541 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
10.

Давидюк Г. Є. 
Вплив атомів легуючої домішки міді на стабілізацію кластерів дефектів у нейтронно опромінених монокристалах CdS [Електронний ресурс] / Г. Є. Давидюк, Г. Л. Мирончук, Г. П. Шаварова, О. В. Якимчук // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2012. - № 16. - С. 3-9. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2012_16_3
Попередній перегляд:   Завантажити - 448.353 Kb    Зміст випуску     Цитування
11.

Давидюк Г. Є. 
Рентгеностимульований відпал радіаційних дефектів у нелегованих монокристалах CdS, опромінених швидкими нейтронами [Електронний ресурс] / Г. Є. Давидюк, Г. Л. Мирончук, О. В. Якимчук, Г. П. Шаварова // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2012. - № 16. - С. 9-18. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2012_16_4
Попередній перегляд:   Завантажити - 463.674 Kb    Зміст випуску     Цитування
12.

Давидюк Г. Є. 
Оптичні властивості кристалів системи Tl1-xIn1-xSnxSe2 (x=0; 0,1; 0,20; 0,25) [Електронний ресурс] / Г. Є. Давидюк, Г. Л. Мирончук, О. В. Парасюк, С. П. Данильчук, В. В. Божко // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2012. - № 16. - С. 19-24. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2012_16_5
Попередній перегляд:   Завантажити - 539.513 Kb    Зміст випуску     Цитування
13.

Кітик І. 
Оптичні властивості кристалів Tl1-xIn1-xSnxS2 (x=0; 0,1; 0,20; 0,3; 0,4; 0,5) [Електронний ресурс] / І. Кітик, Г. Мирончук, О. Парасюк, С. Данильчук, В. Божко, О. Замуруєва // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2013. - № 2. - С. 3-10. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2013_2_3
Попередній перегляд:   Завантажити - 313.251 Kb    Зміст випуску     Цитування
14.

Замуруєва О. 
Оптичні, електричні та фотоелектричні властивості кристалів Ag2In2Si(Ge)Se6 [Електронний ресурс] / О. Замуруєва, Г. Мирончук, О. Парасюк // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2013. - № 2. - С. 18-23. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2013_2_5
Попередній перегляд:   Завантажити - 242.791 Kb    Зміст випуску     Цитування
15.

Давидюк Г. 
Утворення хвостів щільності електронних станів біля країв зон в опромінених швидкими нейтронами монокристалах [Електронний ресурс] / Г. Давидюк, Г. Мирончук, О. Замуруєва, Г. Шаварова // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2013. - № 2. - С. 29-34. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2013_2_7
Попередній перегляд:   Завантажити - 237.664 Kb    Зміст випуску     Цитування
16.

Кітик І. 
Фотоіндуковані зміни поглинання та двопроменезаломлення в складних халькогенідних кристалах AgxGaxGe1-xSe2 (0,167 ≤ x ≤ 0,333) [Електронний ресурс] / І. Кітик, Г. Мирончук, О. Замуруєва // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2013. - № 26. - С. 26-32. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2013_26_7
Попередній перегляд:   Завантажити - 319.043 Kb    Зміст випуску     Цитування
17.

Кажукаускас В. 
Дослідження оптичних властивостей шаруватих кристалів Tl1-xIn1-xSixSe2 [Електронний ресурс] / В. Кажукаускас, Г. Мирончук, О. Замуруєва, О. Парасюк, Г. Шаварова, М. Богданюк // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2013. - № 26. - С. 32-39. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2013_26_8
Попередній перегляд:   Завантажити - 367.903 Kb    Зміст випуску     Цитування
18.

Кітик І. 
Дослідження фото- та термоіндукованого п’єзоелектричного ефекту в монокристалах AgxGaxGe1-хSe2 [Електронний ресурс] / І. Кітик, Г. Мирончук, С. Данильчук, О. Замуруєва, А. Кримусь // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2013. - № 26. - С. 39-43. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2013_26_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 342.005 Kb    Зміст випуску     Цитування
19.

Кітик І. 
Отримання а фотоелектричні властивості твердих розчинів Tl1-xIn1-xSnxSe2 (х = 0–0,25) [Електронний ресурс] / І. Кітик, С. Данильчук, Г. Мирончук, М. Мозолюк, В. Божко, А. Кримусь // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2014. - № 15. - С. 3-9. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2014_15_3
Попередній перегляд:   Завантажити - 223.92 Kb    Зміст випуску     Цитування
20.

Замуруєва О. 
Кінетика релаксації фотопровідності в кристалах Ag2In2Si(Ge)Se6 [Електронний ресурс] / О. Замуруєва, Г. Мирончук, О. Парасюк, Г. Шаварова // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2014. - № 15. - С. 10-15. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2014_15_4
Попередній перегляд:   Завантажити - 213.141 Kb    Зміст випуску     Цитування
...
 
Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського