Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (2)Реферативна база даних (11)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Теребінська М$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5
1.

Теребінська М. І. 
Частоти нормальних коливань адсорбційних комплексів молекулярного кисню на грані Si(111), розраховані в кластерному наближенні [Електронний ресурс] / М. І. Теребінська // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 2. - С. 258-263. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_2_6
За допомогою методу теорії функціонала густини (B3LYP, 6-31G<^>**) в кластерному наближенні розглянуто будову молекулярного адсорбційного комплекса молекули O2 на грані Si(111) і продуктів його подальшого перетворення аж до утворення SiO4 - тетраедра. Проведено порівняння теоретично розрахованих ІЧ-спектрів адсорбційних структур з відомими з літератури експериментальними даними.
Попередній перегляд:   Завантажити - 542.15 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Теребінська М. І. 
Адсорбційні процеси на поверхні кристалічного кремнію: квантово-хімічний підхід (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 21 жовтня 2015 року) [Електронний ресурс] / М. І. Теребінська // Вісник Національної академії наук України. - 2016. - № 1. - С. 98-106. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vnanu_2016_1_15
За допомогою сучасного методу квантової хімії (теорія функціонала густини) виконано розрахунки структурних і енергетичних параметрів адсорбційних комплексів O2, H2O та атомарного германію на чітко структурованій грані Si(001). Добре узгодження теоретично одержаних енергетичних характеристик розглянутих об'єктів з експериментальними даними надає підстави вважати, що їх геометричні параметри, які неможливо встановити дослідним шляхом, вірно відтворюються за методами квантової хімії.
Попередній перегляд:   Завантажити - 383.675 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Ткачук О. І. 
Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001) [Електронний ресурс] / О. І. Ткачук, М. І. Теребінська, В. В. Лобанов // Поверхность. - 2013. - Вып. 5. - С. 26-33. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Pov_2013_5_5
Методом ТФГ (B3LYP, 6-31G<^>**) розрахована рівноважна просторова будова кластера Si96H84, який моделює фрагмент релаксованої поверхні Si(001)(4 x 2), а також адсорбційних комплексів атомів Ge і димера Ge2 на грані Si(001). Визначено типи активних центрів грані Si(001)(4 x 2), на яких відбувається адсорбція атомарного германію і димера Ge2, а також енергії утворень відповідних поверхневих сполук.
Попередній перегляд:   Завантажити - 569.575 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Теребінська М. І. 
Коливальні стани кластерів, які моделюють адсорбційні комплекси кисню на грані Si(100) [Електронний ресурс] / М. І. Теребінська, О. В. Філоненко, В. В. Лобанов // Поверхность. - 2014. - Вып. 6. - С. 11-17. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Pov_2014_6_4
Методом теорії функціоналу густини (B3LYP, 6-31G<^>**) розраховані коливальні стани (частоти та форми коливань) адсорбційних комплексів молекули O2, які відтворюють перетворення молекулярно адсорбованого кисню в комплекси, що містять силоксанові зв'язки. Ідентифіковано відомі з літератури експериментально визначені частоти та співставлено їх із частотами коливань атомів відповідних кисеньвмісних структур.
Попередній перегляд:   Завантажити - 542.723 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Дацюк А. М. 
Карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження [Електронний ресурс] / А. М. Дацюк, М. І. Теребінська, В. В. Лобанов // Поверхность. - 2015. - Вып. 7. - С. 71-76. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Pov_2015_7_10
Виходячи з хвильової функції, одержаної квантово-хімічними розрахунками властивостей вуглецевої нанотрубки типу (8,0) з дефектами вакансійного типу побудовано карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу (МЕСП) в площинах, що проходять через діаметр нанотрубки і перпендикулярно до нормалі проведеної через точковий дефект. Показано, що характер розподілу потенціалу є майже незмінний в усіх випадках розміщення вакансій: ззовні і всередині стінок вуглецевих нанотрубок наявні області від'ємних значень потенціалу, в той час як ділянки поблизу входу в нанотрубку характеризуються його позитивними значеннями. Розміщення дефектів поблизу порту вуглецевої нанотрубки (в першому гексагональному поясі) спричиняє значний (до 50 %) ріст від'ємних значень МЕСП (від -20 ... -24 кДж/моль до -32 ... -34 кДж/моль) в середині ВНТ поблизу її порту. Такий вплив дефекту типу вакансії створює передумови для синтезу ВНТ з наперед заданими властивостями.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.538 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського