Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (16)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>A=Шикин В$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 11
Представлено документи з 1 до 11
1.

Шикин В. 
Дополнение к статье V. Shikin, I. Chikina, and S. Nazin "Relaxation phenomena in cryogenic electrolytes”, Fiz. Nizk. Temp. 39, 712 (2013) [Електронний ресурс] / В. Шикин, I. Chikina, С. Назин // Физика низких температур. - 2014. - Т. 40, № 5. - С. 608-609. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2014_40_5_15
Попередній перегляд:   Завантажити - 273.622 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Шикин В. 
Низкочастотные аномалии эффективной массы заряженных кластеров в жидком гелии [Електронний ресурс] / В. Шикин // Физика низких температур. - 2013. - Т. 39, № 10. - С. 1079-1085. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2013_39_10_8
Обсуждены детали динамического поведения заряженных кластеров в жидком гелии. Речь идет об их присоединенной массе, имеющей идеальную <$EM sub s sup ass> и нормальную <$EM sub n sup ass> составляющие. При этом нормальная компонента содержит ряд интересных особенностей вязкого происхождения. Часть из них обнаружена в недавних экспериментах.
Попередній перегляд:   Завантажити - 529.404 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Шикин В. 
Вольт-амперная характеристика диска Корбино в условиях квантового эффекта Холла [Електронний ресурс] / В. Шикин // Физика низких температур. - 2016. - Т. 42, № 1. - С. 23-27. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2016_42_1_4
Попередній перегляд:   Завантажити - 324.52 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Шикин В. 
Акустические краевые магнетоплазмоны и квантовый эффект Холла [Електронний ресурс] / В. Шикин, С. Назин // Физика низких температур. - 2017. - Т. 43, № 1. - С. 143-149. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2017_43_1_18
Обсуждены неравновесные свойства целочисленных (integer) каналов, влияющие на магнето-плазменную динамику вырожденных, регулярно неоднородных 2D электронных систем в режиме цело-численного квантового эффекта Холла. Показано, что наличие integer полоски вблизи периметра 2D электронной системы с "мягким" профилем электронной плотности должно "гасить" ряд акустических мод в спектре краевых магнетоплазмонов электронного диска в магнитном поле, нормальном его поверхности. Эффект наблюдается экспериментально и может привлекаться для диагностики свойств integer каналов в переменном электрическом поле.
Попередній перегляд:   Завантажити - 470.51 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Шикин В. 
Отрицательные ионы в криогенных средах [Електронний ресурс] / В. Шикин, С. Назин // Физика низких температур. - 2017. - Т. 43, № 6. - С. 807-818. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2017_43_6_3
Обсуждено положение дел с локализацией свободных электронов, внедренных в криогенную среду. В таких условиях электроны не связываются с газовыми атомами на боровских расстояниях, но могут участвовать в создании многочастичных комплексов, "конденсонов", понятие о которых и многие общие свойства исследованы в трудах И. М. Лифшица. Исходным для формализма является построение энергии взаимодействия электрона с газовой средой W(a0, ng). Структура W(a0, ng) в общем случае нелинейна по плотности ng газовой среды. Детали взаимодействия электрона с отдельными атомами определяются в газовом приближении характерной длиной рассеяния a0, определяющей результативно знак и амплитуду W(a0, ng). Свойства длины a0 интегрально формируются конкуренцией контактного и обменного взаимодействий электрона с газовыми атомами. Используя явный вид W(a0, ng), удается проследить за различными наблюдаемыми в криогенных средах эффектами, имеющими в своей основе образование "конденсонов" электронного происхождения. Речь идет о формировании пузырьков (bubble effect) в случае a0 >> 0 и возможной альтернативе, заряженных газовых уплотнениях, если a0 << 0. Здесь электрон играет коллективизирующую роль. Формализм находится в качественном соответствии с прямыми измерениями минимальной энергии Vinject (в общем случае нелинейной по ng) при внедрении электронов в криогенную среду и другими наблюдаемыми следствиями.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.049 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Шикин В. 
Целочисленныe каналы в неоднородных неравновесных 2D системах [Електронний ресурс] / В. Шикин // Физика низких температур. - 2018. - Т. 44, № 1. - С. 74-85. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2018_44_1_9
Обсуждены неравновесные свойства целочисленных каналов, возникающих в пространственно неоднородных 2D электронных (дырочных) системах при наличии квантующего магнитного поля. Полученные результаты используются для качественного объяснения деталей вольтамперной характеристики (ВАХ) диска Корбино в режиме квантового эффекта Холла (КЭХ). Основное внимание уделено явлению, получившему специальное название "пробой КЭХ". Этот эффект c варьируемыми деталями уверенно наблюдается в Hall bar и Corbino геометриях используемых ячеек. Особенно нагляден "пробой КЭХ" в Корбино образцах, позволяющий объяснить целый ряд особенностей.
Попередній перегляд:   Завантажити - 830.739 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Chikina I. 
Ионы бария в жидком гелии [Електронний ресурс] / I. Chikina, В. Шикин // Физика низких температур. - 2018. - Т. 44, № 5. - С. 525-536. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2018_44_5_5
Обсуждены различные свойства кластеров бария (заряженных либо нейтральных), внедренных в жидкий гелий. Предложена модель, в которой отдельный атом бария не образует отрицательного иона, а кластер, составленный из большого числа атомов бария, такой способностью обладает. В приложениях это свойство важно для объяснения наблюдаемых деталей в экспериментах с лазерной абляцией поверхности металлического бария в жидком гелии. Отмечена качественная разница в механизмах образования квазиодномерных цепей из металлической либо диэлектрической пыли при ее внедрении в сверхтекучий гелий. Для диспергированного металла хорошо "смотрится" дендритный сценарий пробоя в плоском конденсаторе с конечной разностью потенциалов между пластинами, заполненном металлической пылью. В диэлектрической задаче не удается использовать дендритный механизм развития кластера. Здесь говорят об участии в сборе мелких частиц вихревых полей сверхтекучей жидкости. Однако детали этого механизма плохо согласуются с имеющимися наблюдениями. В работе намечается альтернатива вихревому сценарию образования длинных цепей с диэлектрическими звеньями.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.84 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
8.

Колмаков Г. 
Устойчивость и реконструкция инверсионных пленок [Електронний ресурс] / Г. Колмаков, К. Коно, А. Левченко, П. Лейдерер, В. Шикин // Физика низких температур. - 2012. - Т. 38, № 11. - С. 1257-1268. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2012_38_11_4
Обсуждена ретроспектива формирования понятия устойчивости инверсионных по отношению к силе тяжести жидких пленок. В исходном рэлеевском сценарии развития неустойчивости отсутствует понятие критического состояния, достижение которого ведет к трансформации антипленки из плоской (устойчивой) в гофрированную модификацию при малом изменении ее толщины. Общее понимание происходящего в критической точке и возможность говорить о полномасштабном явлении неустойчивости, включая ее определение и разные сценарии реконструкции антипленок, сложилось лишь в последнее время. Изложена последовательная картина развития капельной неустойчивости на разных ее этапах: от порога возникновения до появления стационарной гофрировки (реконструкция формы поверхности). Расчетная часть работы сопровождается специально выполненными экспериментами, подтверждающими основные выводы теории.
Попередній перегляд:   Завантажити - 2.516 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
9.

Chikina I. 
Эффекты близости в холодном газе многозарядных атомов [Електронний ресурс] / I. Chikina, В. Шикин // Физика низких температур. - 2016. - Т. 42, № 7. - С. 663-686. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2016_42_7_3
Обсуждены возможные эффекты близости в газе холодных многозарядных атомов. Речь идет о разреженном газе плотностью nd тяжелых атомов (Z >> >> 1) при низких температурах в рамках известного приближения Томаса - Ферми (TF), дающего возможность судить о статистических свойствах отдельного атома. Для сохранения достоинств TF-формализма, успешного в сферически симметричных задачах, внешние граничные условия, учитывающие конечность плотности атомов (доноров) <$En sub d~symbol Щ~0>, также симметризованы (используется сферическая ячейка Вигнера - Зейтца) и оформлены в стандартной манере, сохраняющей полный заряд внутри ячейки. В рамках модели показано, что при нулевой температуре в разреженном газе многозарядных атомов существует эффективное дальнодействующее взаимодействие Eproxi (nd) (proximity), знак которого зависит от свойств внешних оболочек отдельного атома. Степень дальнодействия Eproxi оценивается сравнением со свойствами известного дисперсионного притяжения ELond (nd) << 0 (London), считающегося в газовых задачах дальнодействующим. Для благородных газов аргона, криптона, ксенона Eproxi >> 0. Щелочные и щелочноземельные атомы демонстрируют Eproxi << 0. При конечных температурах TF-статистика обнаруживает новый, аномально большой эффект близости, отражающий стремление локализованных на кулоновских центрах электронов к уходу в зону сплошного спектра. Свойства теплового распада интересны сами по себе, определяя важное явление диссоциации нейтральных комплексов на заряженные фрагменты. Ниже это явление согласованно входит в TF-теорию зависимостью разных вариантов Eproxi от температуры. Аномальность теплового эффекта близости проявляется в том, что при его наличии в условиях <$ET~symbol Щ~0> равновесное решение TF-статистики для отдельного многозарядного атома в вакууме перестает существовать. Неустойчивость подавляется в модели Вигнера - Зейтца с использованием предположения об отсутствии электронных потоков через внешнюю границу <$ER sup 3~symbol Х~n sub d sup -1> ячейки Вигнера - Зейтца. Величина Eproxi отвечает определению корреляционой энергии в газе взаимодействующих частиц. Обзор написан в манере, допускающей сравнение результатов TF-формализма с известными положениями корреляционной теории классической плазмы. Классический пример из практики работы со слабыми растворами (в том числе и заряженными) - использование полунепроницаемых мембран при изучении свойств осмотического давления - оказывается весьма целесообразным для задач с участием Eproxi. Речь идет об одной или нескольких резких границах, формируемых ионной частью многочастичной задачи. Это может быть граница металл - вакуум в известной ячейке Казимира при изучении свойств вакуума в промежутке 2l между проводящими средами разной природы либо различные слоистые системы (квантовые ямы) в полупроводимости и т.п. Электроны как подвижная часть равновесия вблизи резкой границы могут (должны) выходить за пределы ионного остова в промежуток 2l с вероятностью, зависящей, среди прочего, и от свойств Eproxi электронного облака внутри проводящих обкладок ячейки Казимира (квантовой ямы). В полупроводниках аналогом сэндвича Казимира оказываются широко используемые многослойные гетероструктуры, именуемые квантовыми ямами, шириной 2l, с берегами из подходящих легированных материалов, обеспечивающих статистически равновесный обмен электронами между слоями многослойника. Тепловая составляющая эффектов близости в полупроводящих квантовых ямах дает представление о многих свойствах процесса диссоциации в легированных полупроводниках. В частности, положительность Eproxi >> 0 (по отношению ко дну зоны проводимости) говорит о том, что TF-доноры с конечной плотностью <$En sub d~symbol Щ~0> формируют в полупроводнике вырожденное, полупроводящее состояние: имеется конечная плотность свободных носителей при нулевой температуре. Эта плотность растет с увеличением T степенным образом.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.904 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
10.

Левченко А. 
Вольт-фарадные явления в структурах металл–диэлектрик–полупроводник [Електронний ресурс] / А. Левченко, Л. Межов-Деглин, I. Chikina, В. Шикин // Фізика низьких температур. - 2019. - Т. 45, № 8. - С. 965-985. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2019_45_8_4
Попередній перегляд:   Завантажити - 987.993 Kb    Зміст випуску     Цитування
11.

Chikina I. 
Аккумуляционные слои в криогенных электролитах [Електронний ресурс] / I. Chikina, В. Шикин // Фізика низьких температур. - 2020. - Т. 46, Вип. 11. - С. 1303-1309.
    Зміст випуску

Повний текст публікації буде доступним після 01.12.2022 р., через 199 днів

 
Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського