|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Karakis Yu$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
|
| 1. |
Myndrul V. B. Determination in mobility of non-equilibrium carriers considering motion velocity distribution [Електронний ресурс] / V. B. Myndrul, A. Yu. Bak, Yu. N. Karakis, M. I. Zatovskaya N. P. Kutalova, S. V. Zubritskii // Фотоэлектроника. - 2013. - № 22. - С. 130-134. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2013_22_23 The particularities of contact influence on processes of current rise in crystal at the expense of non-equilibrium charge were investigated. The procedure to determine carrier active mobility for the case of considerable asymmetry in their velocity distribution was developed.
| | 2. |
Karakis Yu. N. Optimyzation in conditions for CDS-сU2s heterophotocell shaping [Електронний ресурс] / Yu. N. Karakis, M. I. Kutalova, N. P. Zatovskaya // Фотоэлектроника. - 2012. - № 21. - С. 86-89. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2012_21_16
| | 3. |
Dragoev A. A. Features of photocurrent relaxation in sensor-based cds crystals or features of photocurrent relaxation in crystals with fast and slow recombination centres [Електронний ресурс] / A. A. Dragoev, A. S. Ilyashenko, Yu. N. Karakis, M. I. Kutalova // Фотоэлектроника. - 2012. - № 21. - С. 110-115. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2012_21_21 Исследована быстрая релаксация фототока, связанная с электронными процессами. Изучено влияние на нее внешних факторов. Показано, что в отличие от действующих представлений, процесс перехода носителей включает в себя сначала термическую активацию на возбуждённые уровни центров чувствительности, а затем в свободное состояние.
| | 4. |
Bak A.Yu. Determination of band gap of semiconductor material in end product [Електронний ресурс] / A.Yu. Bak, Yu. N. Karakis, A. E. Stupak, M. I. Kutalova, A. P. Chebanenko // Фотоэлектроника. - 2014. - № 23. - С. 124-130. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2014_23_17 Запропоновано метод визначення енергії активації напівпровідника в готовому виробі. Показано, що ширину забороненої зони можливо розрахувати по відсічкам на обох вісях графіків <$E roman {ln(I)~symbol Ш~U}>, виміряних за різних температур. Визначено мінімальний температурний інтервал залежно від точності вимірювань. Вказано на новий засіб визначення Eg без екстраполяції ВАХ.
|
|
|