Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (13)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>A=Karakis Yu$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
1.

Myndrul V. B. 
Determination in mobility of non-equilibrium carriers considering motion velocity distribution [Електронний ресурс] / V. B. Myndrul, A. Yu. Bak, Yu. N. Karakis, M. I. Zatovskaya N. P. Kutalova, S. V. Zubritskii // Фотоэлектроника. - 2013. - № 22. - С. 130-134. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2013_22_23
The particularities of contact influence on processes of current rise in crystal at the expense of non-equilibrium charge were investigated. The procedure to determine carrier active mobility for the case of considerable asymmetry in their velocity distribution was developed.
Попередній перегляд:   Завантажити - 338.842 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Karakis Yu. N. 
Optimyzation in conditions for CDS-сU2s heterophotocell shaping [Електронний ресурс] / Yu. N. Karakis, M. I. Kutalova, N. P. Zatovskaya // Фотоэлектроника. - 2012. - № 21. - С. 86-89. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2012_21_16
Попередній перегляд:   Завантажити - 263.453 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Dragoev A. A. 
Features of photocurrent relaxation in sensor-based cds crystals or features of photocurrent relaxation in crystals with fast and slow recombination centres [Електронний ресурс] / A. A. Dragoev, A. S. Ilyashenko, Yu. N. Karakis, M. I. Kutalova // Фотоэлектроника. - 2012. - № 21. - С. 110-115. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2012_21_21
Исследована быстрая релаксация фототока, связанная с электронными процессами. Изучено влияние на нее внешних факторов. Показано, что в отличие от действующих представлений, процесс перехода носителей включает в себя сначала термическую активацию на возбуждённые уровни центров чувствительности, а затем в свободное состояние.
Попередній перегляд:   Завантажити - 241.342 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Bak A.Yu. 
Determination of band gap of semiconductor material in end product [Електронний ресурс] / A.Yu. Bak, Yu. N. Karakis, A. E. Stupak, M. I. Kutalova, A. P. Chebanenko // Фотоэлектроника. - 2014. - № 23. - С. 124-130. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2014_23_17
Запропоновано метод визначення енергії активації напівпровідника в готовому виробі. Показано, що ширину забороненої зони можливо розрахувати по відсічкам на обох вісях графіків <$E roman {ln(I)~symbol Ш~U}>, виміряних за різних температур. Визначено мінімальний температурний інтервал залежно від точності вимірювань. Вказано на новий засіб визначення Eg без екстраполяції ВАХ.
Попередній перегляд:   Завантажити - 236.381 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського