Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (5)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Red'ko S$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
1.

Konakova R. V. 
Effect of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of III-V single crystals [Електронний ресурс] / R. V. Konakova, S. M. Red'ko, V. V. Milenin, R. A. Red'ko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 1. - С. 75-79. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_1_16
The long-term transformations of photoluminescence of GaP, GaAs and InP single crystals treated with pulsed weak magnetic fields are obtained. The treatments were performed in two regimes, namely, single-pulse (<$E tau> = 30 ms) and multi-pulse (<$E tau> = 1,2 ms) ones, at varying magnitudes of magnetic induction. The defect structure transformations were inferred from the radiative recombination spectra in the 0,6 - 2,5 <$E mu>m at 77 K. A possible mechanism of observed modifications related to the electron spin transformation is discussed.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.535 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Konakova R. V. 
Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films [Електронний ресурс] / R. V. Konakova, M. V. Sosnova, S. M. Red'ko, V. V. Milenin, R. A. Red'ko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 2. - С. 130-133. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_2_4
Long-term transformations of the optical reflectance of GaAs epitaxial structure under weak magnetic field treatment (B = 60 mT, f = 10 Hz, <$E tau> = 1,2 ms, t = 5 min) have been obtained. Optical measurements were performed within the wavelength range 800 - 1100 nm at 300 K. Non-monotonous changes of reflectance were observed. Experimental results have been interpreted in terms of diffusion of point defects, resulting from destruction of metastable complexes (probably [VAs + impurity]), from the internal boundaries to the surfaces of the investigated structures. The method for detection of non-equilibrium complexes in multilayer objects has been proposed.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.759 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Red'ko S. M. 
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs [Електронний ресурс] / S. M. Red'ko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 3. - С. 272-274. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_3_13
Long-term transformations in photoluminescence of GaAs single crystals treated with pulsed weak magnetic fields have been obtained. Treatments were performed in the multi-pulse (B = 60 mT, f = 10 Hz, <$Etau~=~1,2> ms, t = 5 min) regime. The defect structure transformations were inferred from the radiative recombination spectra within the range 0,6 to 2,5 pm at 300 and 77 K. A possible mechanism of the observed modifications related with electron-spin transformation is discussed.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.423 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Red'ko S. M. 
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaN:Si [Електронний ресурс] / S. M. Red'ko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 1. - С. 71-73. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_1_14
Long-term transformations in photoluminescence of GaAs single crystals treated with pulsed weak magnetic fields have been obtained. Treatments were performed in the multi-pulse (B = 60 mT, f = 10 Hz, <$Etau~=~1,2> ms, t = 5 min) regime. The defect structure transformations were inferred from the radiative recombination spectra within the range 0,6 to 2,5 pm at 300 and 77 K. A possible mechanism of the observed modifications related with electron-spin transformation is discussed.
Попередній перегляд:   Завантажити - 469.226 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського