Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (1) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Savchenko Е$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
| 1. | 
Savchenko Е. М. The Method of Bandwidth Extension of SiGe BiCMOS Microwave Variable-Gain Amplifier Integrated Circuit [Електронний ресурс] / Е. М. Savchenko, А. S. Budiakov, P. S. Budiakov, N. N. Prokopenko // Вісник Національного технічного університету України "Київський політехнічний інститут". Серія : Радіотехніка. Радіоапаратобудування. - 2017. - Вип. 69. - С. 5-10. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKPI_rr_2017_69_3 Запропоновано метод розширення діапазону робочих частот аналогової мікросхеми регульованого підсилювача (РП) за SiGe БіКМОН технології з проектними нормами 0,18 мкм. Розроблений РП має лінійну (в дБ) характеристику управління. Розглянуто архітектуру РП і наведено результати його проектування. Описано властивості двох модифікацій мікросхеми РП - з класичною корекцією амплітудно-частотної характеристики і з ланцюгом взаємної компенсації паразитної ємності у високоімпедансному вузлі. Показано, що друге схемотехнічне рішення дозволяє збільшити верхню граничну частоту РП в 1,8 - 2 рази. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ інформаційно-комунікаційних технологій |
 Пам`ятка користувача |