Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (4)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>A=Terebinska M$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
1.

Terebinska M. I. 
Frequencies of normal vibrations of oxygen complexes on silicon (111) face [Електронний ресурс] / M. I. Terebinska, V. V. Lobanov, A. G. Grebenyuk // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2014. - Т. 5, № 1. - С. 10-15. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2014_5_1_4
За допомогою методу теорії функціонала густини (B3LYP, 6-31G<^>**) у кластерному наближенні розглянуто будову молекулярного адсорбційного комплекса молекули O2 на грані Si(111) і продуктів його подальшого перетворення аж до утворення SiO4 - тетраедра. Проведено порівняння теоретично розрахованих ІЧ-спектрів адсорбційних структур з літературними даними.
Попередній перегляд:   Завантажити - 197.321 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Filonenko O. V. 
Quantumchemical calculation of 29Si NMR spectrum of silicon dioxide fullerene-like molecules [Електронний ресурс] / O. V. Filonenko, V. S. Kuts, M. I. Terebinska, V. V. Lobanov // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2015. - Т. 6, № 2. - С. 263-268. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2015_6_2_15
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.027 Mb    Зміст випуску     Цитування
3.

Lysenko V. S. 
The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures [Електронний ресурс] / V. S. Lysenko, S. V. Kondratenko, Ye. Ye. Melnichuk, M. I. Terebinska, O. I. Tkachuk, Yu. N. Kozyrev, V. V. Lobanov // Поверхность. - 2015. - Вып. 7. - С. 285-296. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Pov_2015_7_32
Досліджено фотогенерацію і транспорт нерівноважних носіїв заряду і визначений механізм фотовідповіді в напівпровідникових SiGe/Si і SiGe/SiO2/Siр-гетероструктурах з наноострівцями. Зразки були вирощені методом молекулярно-променевої епітаксії. Узагальнено результати досліджень морфологічних, структурних, оптичних та електричних властивостей гетероструктур з нанорозмірними об'єктами - квантовими точками і квантовими ямами. Показано, що фотопровідність наногетероструктури SiGe/Si в інфрачервоному діапазоні в залежності від компонентного складу, розмірів і величини механічних напружень в наноострівців Si1-xGex визначається міжзонними і внутрішньозонними переходами за участю локалізованих станів валентної зони Ge нанорозмірних об'єктів. Встановлено ефекти фото- довгострокового розпаду і оптичного затухання провідності в SiGe/SiO2/n-Si гетероструктур з SiGe нанокластерами, які викликані змінами електростатичного потенціалу в приповерхневій зоні p-Si підкладки і оптично-індукованого просторового перерозподілу захоплених позитивних зарядів між рівнями межі поділу SiO2/Si і локалізованих станів Ge наноострівців. Вивчено адсорбційні комплекси германію на реконструйованій грані Si (001) (<$E 4~times~2>) на прикладі кластера Si96Ge2H84. Для атомів Ge, локалізованих в приповерхневому шарі кластера, результати розрахунків методом ТФГ (B3LYP, 6-31G<^>**) положення їх 3d-остовних рівнів свідчить про кореляцію між хімічним зсувом Ge (3d) і хімічним оточенням атомів германію.
Попередній перегляд:   Завантажити - 810.644 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського