 Книжкові видання та компакт-диски  Журнали та продовжувані видання  Автореферати дисертацій  Реферативна база даних  Наукова періодика України  Тематичний навігатор  Авторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Terebinska M$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
|
| 1. |
Terebinska M. I. Frequencies of normal vibrations of oxygen complexes on silicon (111) face [Електронний ресурс] / M. I. Terebinska, V. V. Lobanov, A. G. Grebenyuk // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2014. - Т. 5, № 1. - С. 10-15. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2014_5_1_4 За допомогою методу теорії функціонала густини (B3LYP, 6-31G<^>**) у кластерному наближенні розглянуто будову молекулярного адсорбційного комплекса молекули O2 на грані Si(111) і продуктів його подальшого перетворення аж до утворення SiO4 - тетраедра. Проведено порівняння теоретично розрахованих ІЧ-спектрів адсорбційних структур з літературними даними.
| | 2. |
Filonenko O. V. Quantumchemical calculation of 29Si NMR spectrum of silicon dioxide fullerene-like molecules [Електронний ресурс] / O. V. Filonenko, V. S. Kuts, M. I. Terebinska, V. V. Lobanov // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2015. - Т. 6, № 2. - С. 263-268. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2015_6_2_15
| | 3. |
Lysenko V. S. The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures [Електронний ресурс] / V. S. Lysenko, S. V. Kondratenko, Ye. Ye. Melnichuk, M. I. Terebinska, O. I. Tkachuk, Yu. N. Kozyrev, V. V. Lobanov // Поверхность. - 2015. - Вып. 7. - С. 285-296. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Pov_2015_7_32 Досліджено фотогенерацію і транспорт нерівноважних носіїв заряду і визначений механізм фотовідповіді в напівпровідникових SiGe/Si і SiGe/SiO2/Siр-гетероструктурах з наноострівцями. Зразки були вирощені методом молекулярно-променевої епітаксії. Узагальнено результати досліджень морфологічних, структурних, оптичних та електричних властивостей гетероструктур з нанорозмірними об'єктами - квантовими точками і квантовими ямами. Показано, що фотопровідність наногетероструктури SiGe/Si в інфрачервоному діапазоні в залежності від компонентного складу, розмірів і величини механічних напружень в наноострівців Si1-xGex визначається міжзонними і внутрішньозонними переходами за участю локалізованих станів валентної зони Ge нанорозмірних об'єктів. Встановлено ефекти фото- довгострокового розпаду і оптичного затухання провідності в SiGe/SiO2/n-Si гетероструктур з SiGe нанокластерами, які викликані змінами електростатичного потенціалу в приповерхневій зоні p-Si підкладки і оптично-індукованого просторового перерозподілу захоплених позитивних зарядів між рівнями межі поділу SiO2/Si і локалізованих станів Ge наноострівців. Вивчено адсорбційні комплекси германію на реконструйованій грані Si (001) (<$E 4~times~2>) на прикладі кластера Si96Ge2H84. Для атомів Ge, локалізованих в приповерхневому шарі кластера, результати розрахунків методом ТФГ (B3LYP, 6-31G<^>**) положення їх 3d-остовних рівнів свідчить про кореляцію між хімічним зсувом Ge (3d) і хімічним оточенням атомів германію.
|
|
|