Паращук Тарас Олексійович| Пошуковий профіль науковця на порталі НБУВ ID: 0070571 адреса матеріалу: http://irbis-nbuv.gov.ua/ASUA/0070571
|
| Паращук Тарас Олексійович (кандидат наук) | |
|
|
|
| |
|
Списки документів формуються автоматично на основі електронних ресурсів НБУВ. До списків можуть бути включені публікації авторів з подібними іменами або однофамільців
Праці:
-
[К] (2015) Термодинамічні властивості халькогенідних кристалів II-VI: моделювання та розрахунок
Наукова періодика:
(2011) Локалізовані стани електронів у напівпровідниках. II. Експериментальні методи дослідження (огляд)
(2011) Локалізовані стани електронів у напівпровідниках. IIІ. Енергетичні рівні точкових дефектів у цинк, кадмій і плюмбум телуридах (огляд)
(2012) Ab initio розрахунок термодинамічних параметрів фазових перетворень цинк телуриду
(2013) Теплоємність і температура Дебая кристалів цинк халькогенідів ZnTe, ZnSe, ZnS
(2013) Термодинамічні властивості кристалів сфалеритного цинк телуриду: квантово-механічний розрахунок (Огляд)
(2013) Термодинамічні властивості кристалів цинк селеніду: квантово-хімічний розрахунок
(2013) Термодинамічні параметри сфалеритних кристалів цинк халькогенідів: квантово-хімічний розрахунок
(2014) Температурні залежності термодинамічних параметрів кристалів CdTe та CdS
(2014) Теплоємність та температура Дебая кристалів CdTe, CdSe
(2014) Термодинаміка дефектної підсистеми кристалів II-VI у наближенні потенціалу Гіббса: моделювання, розрахунок
(2014) Термодинамічні параметри сфалеритних кристалів CdS у представленні квантової хімії
(2015) Дослідження термодинамічних властивостей кристалів ZnTe, ZnSe, ZnS із використанням ab initio розрахунків
(2015) Термодинамічні параметри кристалів плюмбум телуриду: DFT-розрахунок
(2017) Вивчення фізики через дослідження наукового середовища
Реферативна база даних "Україніка наукова" (наукові видання, опубліковані в Україні): база даних на реконструкції, можлива некоректна робота-
(2011) Власні точкові дефекти і фізико-хімічні властивості цинк телуриду
-
(2011) Локалізовані стани електронів у напівпровідниках. II. Експериментальні методи дослідження
-
(2011) Локалізовані стани електронів у напівпровідниках. III. Енергетичні рівні точкових дефектів у цинк, кадмій і плюмбум телуридах
-
(2013) Теплоємність і температура Дебая кристалів ZnTe, ZnSe, ZnS
-
(2013) Термодинамічні властивості кристалів сфалериту ZnTe: квантово-хімічний розрахунок
-
(2013) Термодинамічні властивості кристалів цинк селеніду: квантово-хімічний розрахунок
-
(2013) Термодинамічні параметри сфалеритних кристалів цинк халькогенідів: квантово-хімічний розрахунок
-
(2014) Температурні залежності термодинамічних параметрів кристалів CdTe та CdSe
-
(2014) Теплоємність і температура Дебая кристалів CdTe, CdSe
-
(2014) Термодинаміка дефектної підсистеми кристалів II - VI у наближенні потенціалу Гіббса: моделювання, розрахунок
-
(2015) Дослідження термодинамічних властивостей кристалів ZnTe, ZnSe, ZnS із використанням ab initio розрахунків
-
(2015) Термодинамічні параметри кристалів плюмбум телуриду: DFT-розрахунок
|
|
|
|
|
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
|